1.一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
第一类型外延层，位于所述衬底上；
电子隧道层，位于所述第一类型外延层上远离所述衬底的一侧，用于控制所述第一类型外延层提供的电子形成隧道效应；
量子阱结构层，位于所述电子隧道层上远离所述第一类型外延层的一侧；
第二类型外延层，位于所述量子阱结构层上远离所述电子隧道层的一侧。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述电子隧道层包括电子震荡层和应力控制层，所述电子震荡层用于控制所述电子形成震荡的亚稳态结构，所述应力控制层用于对所述量子阱结构层进行应力控制。
3.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述电子震荡层的厚度小于所述应力控制层的厚度。
4.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述电子震荡层的禁带宽度小于所述应力控制层的禁带宽度。
5.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述电子震荡层为单层InGaN结构，或者InGaN层和GaN层的循环结构，其中，In的固态组分为0.5％-3.5％。
6.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述应力控制层为单层InGaN结构，或者InGaN层和GaN层的循环结构，其中，In的固态组分为3.5％-8.0％。
7.根据权利要求5或6所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，当所述电子震荡层或者所述应力控制层为InGaN层和GaN层的循环结构时，所述InGaN层与GaN层之间的厚度比例范围为0.5-3。
8.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述量子阱结构层包括InGaN势阱层和GaN势垒层的循环结构。
9.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，还包括非掺杂GaN层，位于所述衬底与所述第一类型外延层之间。
10.根据权利要求9所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，还包括氮化物成核层，位于所述衬底与所述非掺杂GaN层之间。
11.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，所述第一类型外延层为N型GaN层，所述第二类型外延层为P型GaN层。