一种上部电极天板及干法刻蚀设备的制作方法

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种上部电极天板及干法刻蚀设备。

背景技术：

在显示技术领域，通常通过干法刻蚀工艺对玻璃基板进行刻蚀，以制作相应的图形。具体地，将待刻蚀的玻璃基板置于干法刻蚀设备中，利用等离子体放电来去除玻璃基板上待刻蚀的材料进行刻蚀。

以下结合干法刻蚀设备的结构说明其刻蚀的原理。

参见图1，为现有技术干法刻蚀设备结构示意图，包括：反应腔100、位于反应腔100内的上部电极天板101和下部电极102，位于下部电极102上用于放置玻璃基板104；在具体实施时，将待刻蚀的玻璃基板104置于下部电极102上，反应腔100内通入等离子气体，将反应腔100密闭，为上部电极天板101和下部电极102施加电压，二者之间形成电势差，从而促使等离子体向玻璃基板运动，对玻璃基板进行刻蚀。

但是，现有技术中的干法刻蚀设备中的上部电极天板为一整块结构，导致刻蚀均一性较差、刻蚀效率低，无法满足有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器量产的需求。

技术实现要素：

本申请实施例提供了一种上部电极天板及干法刻蚀设备，用以提高干法刻蚀的均一性，提高刻蚀效率，满足OLED显示器量产的需求。

本申请实施例提供的一种上部电极天板，用于干法刻蚀，所述上部电极天板具有多个拼接块。

通过本申请实施例提供的具有多个拼接块的上部电极天板，从而使得各拼接块对应的电场可以单独控制，使得反应腔室内各区域的电场分布均匀，因此，可以提高干法刻蚀的均一性，并且提高刻蚀效率，满足OLED显示器量产的需求。

可选地，每一所述拼接块具有多个气孔。

可选地，所述多个拼接块上的气孔的数量不完全相同。

可选地，每一所述拼接块上的气孔均匀分布。

可选地，所述上部电极天板具有12个拼接块。

可选地，每3个所述拼接块呈三角形分布，所述12个上部电极天板分布在四个区域，所述四个区域构成的图形为矩形。

本申请实施例提供的一种干法刻蚀设备，包括本申请实施例提供的任一所述的上部电极天板。

可选地，还包括下部电极，以及位于所述上部电极天板和所述下部电极之间的耦合线圈。

可选地，所述耦合线圈分区域设置，耦合线圈所处区域与所述拼接块所处区域相对应。

可选地，还包括：控制器，用于单独控制每一所述拼接块与所述下部电极之间的电场强度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的干法刻蚀设备的结构示意图；

图2为现有技术中的上天板的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的上天板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的耦合线圈的分布示意图；

图5为本申请实施例提供的耦合线圈的分布示意图；

图6为本申请实施例提供的上天板的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的耦合线圈的分布示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种上部电极天板及干法刻蚀设备，用以提高干法刻蚀的均一性，提高刻蚀效率，满足OLED显示器量产的需求。

参见图2，现有技术中的上天板为一整块金属铝板，其上具有均匀分布的气孔，但是由于无法实现分区控制电场强度来调节等离子体形态，从而导致刻蚀均一性较差、刻蚀效率低。

本申请实施例提供的技术方案中，主要是将反应腔室(Chamber)内的上部电极天板(简称上天板)设计为不同形状拼接块，同时拼接块表面气孔稀疏性差异分布，并配合分区布置上部耦合线圈一起，控制等离子体形态与密度，使之达到Chamber内各区域电场分布均匀，实现等离子体高均一性、高刻蚀率要求。

本申请实施例提供的一种上部电极天板，用于干法刻蚀，所述上部电极天板具有多个拼接块。

通过本申请实施例提供的具有多个拼接块的上部电极天板，从而使得各拼接块对应的电场可以单独控制，使得反应腔室内各区域的电场分布均匀，在电场作用下产生形态更为均匀的等离子体，因此，可以提高干法刻蚀的均一性，并且提高刻蚀效率，满足OLED显示器量产的需求。

可选地，每一所述拼接块具有多个气孔。因此，可以使气体流量更均衡，在电场作用下产生形态更为均匀的等离子体，从而提高刻蚀速率与膜层刻蚀的均一性，满足OLED制成的干法工艺要求。

例如，参见图3，所述上部电极天板301具有12个拼接块31。每一所述拼接块31具有多个气孔32。

可选地，所述多个拼接块上的气孔的数量不完全相同。

可选地，每一所述拼接块上的气孔均匀分布。

可选地，不同的拼接块的形状不相同。

可选地，参见图3，每3个所述拼接块呈三角形分布，所述12个上部电极天板分布在四个区域，所述四个区域构成的图形为矩形。

本申请实施例提供的一种干法刻蚀设备，包括本申请实施例提供的任一所述的上部电极天板。

可选地，还包括下部电极，以及位于所述上部电极天板和所述下部电极之间的耦合线圈。

所述耦合线圈，例如，参见图4，本申请实施例提供的干法刻蚀设备包括均匀分布的多个耦合线圈401。

可选地，所述耦合线圈分区域设置，耦合线圈所处区域与所述拼接块所处区域相对应。

例如，若上部电极天板的拼接块的分布情况如图3所示，则耦合线圈的分布情况可以如图4或图5所示。

再例如，若上部电极天板的拼接块的分布情况如图6所示，则耦合线圈的分布情况可以如图7所示。作为一种较佳的实现方式，若设置12个拼接块，则每一块拼接块，可以对应5个耦合线圈。

本申请实施例中，上天板的拼接块的数量若增加，则拼接结构越来越多，耦合线圈小型化，耦合线圈的数量也要相应增加。从而，电场控制越精确，等离子的分布越均匀。

也就是说，本申请实施例提供的上天板的拼接块，可按照不同工艺需求设计为不同形状，其上的气孔分布也可以有多种变化，配合电场分布均匀要求，如图6所示。

可选地，本申请实施例提供的干法刻蚀设备还包括：控制器，用于单独控制每一所述拼接块与所述下部电极之间的电场强度。

所述的控制器，例如可以是CPU等处理器。

综上，本申请实施例，通过将干法刻蚀上部Chamber的上部电极设计为拼接块类型并配合区域分布耦合线圈，使之达到Chamber内不同区域电场强度不同，来改善等离子体分布不均匀导致的刻蚀率低、刻蚀均一性差等问题。使用该方案可以使气体流量更均衡，在电场作用下产生较为形态均匀的等离子体，从而提高刻蚀速率与膜层刻蚀的均一性，满足OLED制成的干法工艺要求。

本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器和光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。