本实用新型涉及激光技术领域，特别涉及一种能够快速冷却的半导体激光器。
背景技术：
目前，激光功率电子器件在工业、国防等领域已经得到广泛的应用，市场需求巨大，发展前景广阔。随着激光电子器件功率的提高，基质材料热扩散将引起应力的变化，由于热量的沉积，会导致半导体激光器芯片温度升高、输出波长变化，使半导体激光器不能正常工作。为了提高功率电子器件的功率、可靠性和性能稳定性，降低生产成本，必须设计出高效散热结构。因此，设计和制备低成本、高效率的冷却器是十分必要的。
现有技术中，叠层阵列半导体激光器的封装形式主要有传导冷却型和微通道液体冷却型。对于高功率半导体激光器而言，采用传导冷却的方式，散热效率较低，会导致器件寿命和可靠性下降，输出功率的提高收到了限制；若采用微通道液体冷却的方式，由于冷却通道直径很小，冷却液体需采用高质量的去离子水，成本较高，并且长时间使用会导致微通道管壁腐蚀或者堵塞，严重影响了半导体激光器的可靠性。
技术实现要素：
针对上述现有的叠层阵列半导体激光器的封装形式主要有传导冷却型和微通道液体冷却型。对于高功率半导体激光器而言，采用传导冷却的方式，散热效率较低，会导致器件寿命和可靠性下降等问题，本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够快速冷却的半导体激光器。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：能够快速冷却的半导体激光器，包括半导体叠阵组、光纤、绝缘片和冷却管，所述冷却管穿过半导体叠阵组，所述冷却管的一端连接冷气输送装置和送水装置、另一端连接抽水机，所述半导体叠阵组的下方设置有水槽，所述水槽连接送水装置，所述半导体叠阵组的上下侧均设置有绝缘片，所述半导体的右侧设置有光纤。
上述方案的优选方案为：所述冷气的温度为0-10度，0-10度的冷气可以增加半导体叠阵组冷却的速度，增加半导体激光器的使用寿命和性能。
上述方案的优选方案为：所述冷却管为环形的，便于冷气或冷水的输入或输入，方便对半导体叠阵组的冷却。
上述方案的优选方案为：所述冷却管上设置有冷气出口，所述冷气出口位于半导体叠阵组的中间，增大了冷却的面积，提高了冷却速度，增加半导体激光器性能。
上述方案的优选方案为：所述半导体叠阵组的左侧设置有气体驱动装置，用于半导体叠叠阵的快速散热，同时降低半导体叠阵组的潮湿度。
有益效果：采用上述技术方案，本实用新型的能够快速冷却的半导体激光器，冷却管穿过半导体叠阵组，所述冷却管的一端冷气输送装置和送水装置、另一端连接抽水机，通过输送冷气的装置往冷却管中输送冷气，冷却管上设置有冷气出口，冷气出口位于半导体叠阵组的中间，扩大了冷却的面积，提高了半导体激光器的冷却速，增加了半导体激光器的使用寿命，同时也半导体激光器的性能。本实用新型所提供的能够快速冷却的半导体激光器，通过冷气和水进行两次冷却、提高了半导体激光器的冷却速，增加了半导体激光器的使用寿命，同时也半导体激光器的性能。
附图说明
图1为本实用新型能够快速冷却的半导体激光器的结构示意图。
图中：1-半导体叠阵组，2-冷却管，3-冷气出口，4-抽水机，5-光纤，6-绝缘片，7-水槽，8-冷气输送装置，9-送水装置，10-气流驱动装置。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
如图1所示,本实施例的能够快速冷却的半导体激光器，包括半导体叠阵组1、光纤5、绝缘片6和冷却管2，冷却管2穿过半导体叠阵组1，冷却管2的一端连接冷气输送装置8和送水装置9、另一端连接抽水机4，半导体叠阵组1的下方设置有水槽7，水槽7连接送水装置9，半导体叠阵组1的上下侧均设置有绝缘片，所述半导体的右侧设置有光纤。
其中，冷气的温度为0-10度，0-10度的冷气可以增加半导体叠阵组1冷却的速度，增加半导体激光器的使用寿命和性能。
其中，冷却管2为环形的，便于冷气或冷水的输入或输入，方便对半导体叠阵组的冷却。
其中，冷却管2上设置有冷气出口，所述冷气出口位于半导体叠阵组的中间，增大了冷却的面积，提高了冷却速度，增加半导体激光器性能。
其中，半导体叠阵组1的左侧设置有气体驱动装置10，用于半导体叠叠阵的快速散热，同时降低半导体叠阵组的潮湿度。
综上所述，本实用新型的能够快速冷却的半导体激光器，冷却管穿过半导体叠阵组，所述冷却管的一端冷气输送装置和送水装置、另一端连接抽水机，通过输送冷气的装置往冷却管中输送冷气，冷却管上设置有冷气出口，冷气出口位于半导体叠阵组的中间，扩大了冷却的面积，提高了半导体激光器的冷却速，增加了半导体激光器的使用寿命，同时也半导体激光器的性能。本实用新型所提供的能够快速冷却的半导体激光器，通过冷气和水进行两次冷却、提高了半导体激光器的冷却速，增加了半导体激光器的使用寿命，同时也半导体激光器的性能。
以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本实用新型的保护范围内。