引线框的制作方法

公开的实施方式涉及一种引线框。

背景技术：

作为薄型的半导体装置，例如已知qfn(quadflatnon-leadedpackage，方型扁平无引脚封装)型的半导体装置、son(smalloutlinenon-leadedpackage，小外形无引脚封装)型的半导体装置等。另外，所述薄型的半导体装置例如在将搭载有多个半导体元件、接合线的引线框一并用树脂密封，而一体形成多个半导体装置后，经过切开成每个半导体装置的切割而制造。而且，在该切割中，已知为了抑制因连杆而在切断面产生毛边，预先对连杆进行半蚀刻加工的技术(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-320007号公报

技术实现要素：

本发明欲解决的问题

然而，像以往的引线框那样在对连杆进行半蚀刻加工的情况下，强度会随着引线框的大规格化等而下降，引线框有可能挠曲。而且，由于该挠曲，搭载在引线框上的半导体元件、接合线有可能会断裂或者脱落。

实施方式的一个形态是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种抑制短边方向的挠曲的引线框。

用于解决问题的方案

实施方式的一个形态所涉及的引线框为矩形，包括多个单位引线框、多个第1连杆、多个第2连杆。所述单位引线框具有芯片焊盘(diepad)和多个引脚。所述第1连杆将邻接的所述单位引线框彼此连结，沿所述引线框的长边方向延伸。所述第2连杆将邻接的所述单位引线框彼此连结，沿所述引线框的短边方向延伸。而且，多个所述第2连杆的至少一部分具有比所述第1连杆刚性高的部位。

发明的效果

根据实施方式的一个形态，能够提供一种抑制挠曲的引线框。

附图说明

图1是第1实施方式所涉及的引线框的示意图。

图2是第1实施方式所涉及的引线框的放大俯视图。

图3a是图2所示的a-a线向视的剖视图。

图3b是图2所示的b-b线向视的剖视图。

图3c是图2所示的c-c线向视的剖视图。

图4a是示出使用了第1实施方式所涉及的引线框的半导体装置的一个制造工序的概要剖视图。

图4b是示出使用了第1实施方式所涉及的引线框的半导体装置的接下来的制造工序的概要剖视图。

图4c是示出使用了第1实施方式所涉及的引线框的半导体装置的再接下来的制造工序的概要剖视图。

图5a是图2所示的d-d线向视的剖视图。

图5b是相当于第1实施方式的变形例所涉及的图2的d-d线向视的剖视图。

图5c是相当于第1实施方式的其他变形例所涉及的图2的d-d线向视的剖视图。

图6是第2实施方式所涉及的引线框的放大俯视图。

图7是第2实施方式的变形例所涉及的引线框的放大俯视图。

图8是第3实施方式所涉及的引线框的概要俯视图。

图9是第4实施方式所涉及的引线框的概要俯视图。

图10是第4实施方式的变形例所涉及的引线框的概要俯视图。

图11是第4实施方式的其他变形例所涉及的引线框的概要俯视图。

图12是第4实施方式的进一步其他变形例所涉及的引线框的概要俯视图。

图13是将第3实施方式与第4实施方式组合的引线框的概要俯视图。

图14是第5实施方式所涉及的引线框的概要俯视图。

图15是第6实施方式所涉及的引线框的概要俯视图。

附图标记的说明

1、1a～1j：引线框

2：半导体装置

10：单位引线框

10a：芯片焊盘

10b：引脚

10c：支承杆

11、11i、11j：第1连杆

12、12a、12b、12i、12j：第2连杆

13：外框

14：交叉部

l：长边方向

s：短边方向

具体实施方式

下面，参照附图，说明本申请公开的引线框的实施方式。此外，本发明不被以下所示的各实施方式限定。

＜第1实施方式＞

首先，参照图1说明第1实施方式所涉及的引线框的概要。如图1所示，第1实施方式所涉及的引线框1俯视下为矩形，包括多个单位引线框10、多个第1连杆11、多个第2连杆12、外框13。单位引线框10在引线框1排列成矩阵状。

第1连杆11将在短边方向邻接的单位引线框10彼此连结，沿着引线框1的长边方向l延伸。第2连杆12将在长边方向邻接的单位引线框10彼此连结，沿着引线框1的短边方向s延伸。外框13被设置为将排列成矩阵状的单位引线框10的四周包围。

具体而言，外框13具有：在短边方向s延伸的一对第1框部13a；以及在长边方向l延伸的一对第2框部13b，第1连杆11在一对第1框部13a之间延伸，第2连杆12在一对第2框部13b之间延伸。而且，引线框1中，对在长边方向l延伸的第1连杆11进行了半蚀刻加工。

引线框是薄的、在长边方向长的部件。因此，引线框容易在长边方向挠曲。以往的引线框中，以引线框沿着与短边方向相比容易挠曲的长边方向不会挠曲的方式支承引线框的短边方向的两端部、即一对第2框部，来进行各种制造工序。因此，本发明人注意到了在引线框的加工中，在长边方向难以挠曲或者在长边方向容易挠曲都不会产生问题。反而，本发明人发现在引线框的加工中，处于在短边方向容易挠曲的状况。特别是，随着引线框的大规格化等，若第2框部13b彼此的间隔增大，则容易在短边方向挠曲。

因此，在第1实施方式所涉及的引线框1中，使在短边方向s延伸的第2连杆12的刚性比第1连杆11的刚性高。具体而言，对第2连杆12不进行半蚀刻加工，使第2连杆12比第1连杆11的至少一部分厚。由此，能够抑制引线框1沿着短边方向s的挠曲。

此外，在本申请说明书的俯视图中，为了容易理解，将未半蚀刻加工的部位称为“全金属部”，以菱形图样的阴影所示。另外，将被半蚀刻加工的部位称为“半蚀刻部”，以斜线构成的阴影所示。

下面，使用图2等来说明第1实施方式所涉及的引线框1的细节。引线框1是qfn型的半导体装置的制造所使用的引线框。引线框1由铜、铜合金、铁镍合金等制成。引线框1是对俯视下长方形的金属板实施蚀刻加工等而形成的。

如图2所示，单位引线框10是被第1连杆11和第2连杆12包围的部位，具有芯片焊盘(diepad)10a、多个引脚10b、支承杆10c。俯视下为矩形的芯片焊盘10a设置在单位引线框10的中央部分，在正面侧能够搭载半导体元件20(参照图4a)。

多个引脚10b分别面对芯片焊盘10a的四边隔开空间而设置，被第1连杆11或者第2连杆12支承。而且，引脚10b由接合线21等与半导体元件20的电极电连接，从而作为半导体装置2的外部端子发挥功能(参照图4a、图4c)。

支承杆10c分别从芯片焊盘10a的各角部向外侧延伸，与第1连杆11和第2连杆12连接并支承芯片焊盘10a。这样，单位引线框10与各个半导体装置2(参照图4c)对应。而且，在单位引线框10的周围，第1连杆11与第2连杆12以方格状配置。

第1连杆11沿着引线框1的长边方向l延伸，将沿着短边方向s邻接的单位引线框10彼此连结。另外，第1连杆11在两端与外框13的第1框部13a(参照图1)连接。

第2连杆12沿着引线框1的短边方向s延伸，将沿着长边方向l邻接的单位引线框10彼此连结。另外，第2连杆12在两端与外框13的第2框部13b(参照图1)连接。

另外，如图2所示，第1连杆11被形成为宽度w1均等，第2连杆12被形成为宽度w2均等。此处，例如宽度w1与宽度w2相等。而且，第1连杆11与第2连杆12在交叉部14互相垂直。然而，在第1实施方式中，宽度w1与w2也可以不相等，第1连杆11与第2连杆12也可以不垂直。

接下来，参照图3a～图3c，说明引线框1的各部的截面形状。此外，在图3a～图3c中，为了容易理解，各构成部件的边界线以虚线所示。

如图3a所示，芯片焊盘10a和引脚10b除了一部分之外未进行半蚀刻加工，与蚀刻加工前的金属板的板厚是相同的厚度。而且，在芯片焊盘10a的端部形成背面侧被半蚀刻加工的蚀刻部15a，在引脚10b的端部形成背面侧被半蚀刻加工的蚀刻部15b。

而且，在沿着长边方向l延伸的第1连杆11，背面侧被半蚀刻加工，形成有蚀刻部15c。即，第1连杆11比蚀刻加工前的金属板薄，刚性低。

另一方面，如图3b所示，在沿着短边方向s延伸的第2连杆12不进行半蚀刻加工，与蚀刻加工前的金属板的板厚是相同的厚度。即，第2连杆12比第1连杆11厚，刚性高。由此，由于第2连杆12的截面积比第1连杆11大，因此，可以提高引线框1的短边方向s的强度。所以，能够抑制引线框1在短边方向s挠曲。

另外，如图3c所示，在第1连杆11(参照图2)与第2连杆12互相交叉的交叉部14未进行半蚀刻加工，与蚀刻加工前的金属板的板厚是相同的厚度。即，沿着短边方向s延伸的第2连杆12包含交叉部14，从一端到另一端的整个都由全金属部构成。由此，能够抑制引线框1在短边方向s挠曲。

并且，在引线框1中，第2连杆12与芯片焊盘10a的主要部分相同，由全金属部构成。由此，在由具有预定板厚的金属板形成引线框1的情况下，能够使第2连杆12的厚度最大化。所以，能够使引线框1的短边方向s的强度最大化。

接下来，参照图4a～图4c，说明使用第1实施方式所涉及的引线框1来制造半导体装置2的方法。此外，图4a～图4c是示出在引线框1中沿着短边方向s的截面的概要剖视图，各构成部件的边界线如虚线所示。

首先，如图4a所示，在引线框1的芯片焊盘10a上搭载半导体元件20，将半导体元件20的各电极与各电极所对应的引脚10b之间分别利用接合线21电连接。接下来，如图4b所示，用密封树脂22将引线框1的正面侧一并密封。接下来，沿着沿第1连杆11和第2连杆12(参照图2)的切割线dl，利用旋转刀将各单位引线框10(参照图2)之间切割。由此，如图4c所示，分割为单独的每个半导体装置2。

此处，如图4b所示，引线框1中，由于利用蚀刻部15c在第1连杆11设置了凹部，因此能够减小沿着长边方向l(参照图2)切割时的金属部分的截面积。由此，即使沿着长边方向l的情况下切割的速度比短边方向s(参照图2)的情况下快，也能够抑制在切割时因第1连杆11而在切断面产生毛边。所以，与两个连杆整个都由全金属部构成的情况相比，能够抑制切割所需的时间增加。

并且，在引线框1中，由于切割时的金属部分的截面积小，因此，能够抑制切割时的旋转刀的磨损。所以，能够延长旋转刀的寿命。

另一方面，引线框1中，第2连杆12由全金属部构成(参照图2)。所以，与两个连杆整个都由半蚀刻部构成的情况相比，能够抑制引线框1的短边方向的挠曲。

此外，半导体装置2中，在芯片焊盘10a和引脚10b所分别设置的蚀刻部15a、15b，以填埋密封树脂22的方式进行树脂密封。利用该构造，半导体装置2中，能够防止芯片焊盘10a、引脚10b从密封树脂22的背面侧脱离。

接下来，参照图5a～图5c，说明第1实施方式所涉及的第2连杆12及其变形例。此外，在图5b和图5c中，为了容易理解，用虚线示出与图5a所示的截面的轮廓对应的部分。

如图5a所示，第2连杆12截面观察下为矩形，换言之由，整个都由全金属部构成。利用该构造，在从具有预定板厚的金属板形成引线框1，使宽度w2为预定值的情况下，能够使第2连杆12的截面积最大化。所以，能够使引线框1的短边方向s的强度最大化。

另一方面，第2连杆12的构成不限于图5a所示的构成。例如，如图5b所示的第2连杆12a所示，也可以形成：在侧部的背面侧被半蚀刻加工的蚀刻部15d。另外，如图5c所示的第2连杆12b所示，也可以形成：以具有侧面朝上而末端变宽的形状的方式被蚀刻加工的蚀刻部15e。此外，蚀刻部15d、15e可以用与上述蚀刻部15a～15c(参照图3a)同一蚀刻工序形成。

而且，无论在哪个变形例中，截面是倒梯形，中央部分由全金属部构成，能够利用该全金属部来确保短边方向s(参照图2)的强度。并且，无论在哪个变形例中，由于侧部被蚀刻，因此，能够减小沿着短边方向s切割时的金属部分的截面积。所以，在第2连杆12a、12b中，能够兼顾短边方向s的强度以及缩短沿着短边方向s切割所需的时间。

＜第2实施方式＞

接下来，参照图6，说明第2实施方式所涉及的引线框1a。此外，图6是与第1实施方式的图2对应的图。

第2实施方式所涉及的引线框1a是son型的半导体装置的制造所使用的引线框。其他点与第1实施方式所涉及的引线框1同样，对于共通的构成标注相同的附图标记，省略详细的说明。

在引线框1a中，单位引线框10具有俯视下为矩形的芯片焊盘10a、多个引脚10b、支承杆10c。引脚10b面对沿着长边方向l的芯片焊盘10a的2边隔开空间设置，仅被第1连杆11支承。另外，支承杆10c从芯片焊盘10a的各角部分别沿着长边方向l延伸，仅与第2连杆12连接，来支承芯片焊盘10a。

而且，与第1实施方式同样，沿着长边方向l延伸的第1连杆11由半蚀刻部构成，沿着短边方向s延伸的第2连杆12包含交叉部14整个都由全金属部构成。

并且，在引线框1a中，在由全金属部构成的第2连杆12未连接有引脚10b，仅连接有支承杆10c。由此，沿着短边方向s的切割中，即使因第2连杆12而在切断面产生毛边，也由于邻接的支承杆10c彼此已经由芯片焊盘10a电连接，因此，即使由于毛边而短路也不会有障碍。

所以，由于能够在不产生毛边产生以外的问题的程度下使切割的速度加快，因此，能够缩短沿着短边方向s切割所需的时间。即，在son型的半导体装置的制造所使用的引线框1a中，能够大幅度缩短切割所需的时间。

接下来，参照图7，说明第2实施方式的变形例所涉及的引线框1b。引线框1b中，支承杆10c从芯片焊盘10a向引脚10b延伸，经由引脚10b支承芯片焊盘10a。此处，与支承杆10c连接的引脚10b在半导体装置2(参照图4c)成为接地用的端子。

即，引线框1b中，单位引线框10的构成部件都与沿着长边方向l延伸的第1连杆11连接，不与第2连杆12连接。由此，由于不存在被第2连杆12支承的单位引线框10的部件本身，因此，在沿着短边方向s的切割中，在切断面不会产生毛边。所以，与引线框1a相比，能够进一步缩短沿着短边方向s切割的时间。

＜第3实施方式＞

接下来，参照图8说明第3实施方式所涉及的引线框1c。此外，图8～图13都是与第1实施方式的图1的下图对应的图，也能够适用于qfn型、son型的各种半导体装置的制造。

在引线框1c中，多个第2连杆12中的一部分的第2连杆12从短边方向s的一端到另一端整个都由全金属部构成。另外，其余的第2连杆12从短边方向s的一端到另一端整个都由半蚀刻部构成。而且，从一端到另一端整个都由全金属部构成的第2连杆12、从一端到另一端整个都由半蚀刻部构成的第2连杆12交替排列地配置。

此处，引线框1c中，能够利用从一端到另一端整个都由全金属部构成的一部分的第2连杆12来确保短边方向s的强度。并且，能够利用整个都由半蚀刻部构成的其余的第2连杆12来延长旋转刀的寿命。所以，在引线框1c中，能够兼顾短边方向s的强度与旋转刀的长寿命化。

此外，在图8中，示出了将整个都由全金属部构成的第2连杆12、整个都由半蚀刻部构成的第2连杆12各交替1条排列的例子，但不限于此。例如，可以将整个都由全金属部构成的部位、整个都由半蚀刻部构成的部位各交替多条排列(例：将2条全金属部和2条半蚀刻部交替排列)。另外，可以使一个部位比另一个部位的条数多，而且交替排列(例：将3条全金属部和2条半蚀刻部交替排列)。

另外，在由于从第1框部13a(参照图1)离开而强度相对低的引线框1c的中央部分可以较多地配置整个都由全金属部构成的部位。并且，也可以在与第1框部13a近且强度相对高的引线框1c的周缘部分较多地配置整个都由半蚀刻部构成的部位。并且，由全金属部构成的第2连杆12中，不是从一端到另一端整个都由全金属部构成也可以。

＜第4实施方式＞

接下来，参照图9说明第4实施方式所涉及的引线框1d。

引线框1d中，第2连杆12在从短边方向s的一端到另一端之间，混杂有由全金属部构成的部位和由半蚀刻部构成的部位。例如，如图9所示，在从一端到另一端之间，单位引线框10的3个宽度量的全金属部、单位引线框10的1个宽度量的半蚀刻部交替排列。这样，通过在第2连杆12的一部分设置有半蚀刻部，从而能够延长旋转刀的寿命。

另外，引线框1d中，被构成为：在以整体观察所有的第2连杆12的情况下，在从短边方向s的一端到另一端的所有部位配置有全金属部。例如，如图9所示，被配置为：邻接的第2连杆12彼此重合，而不存在在短边方向s整体没有全金属部的部位。

利用该全金属部的配置，在以整体观察所有的第2连杆12的情况下，能够从引线框1d消除容易挠曲的薄的部位。所以，能够抑制引线框1d在短边方向s挠曲。即，在引线框1d中，能够兼顾短边方向s的强度与旋转刀的长寿命化。

接下来，参照图10说明第4实施方式的变形例所涉及的引线框1e。引线框1e在各第2连杆12中，使全金属部集中在预定的区域16a的内部并配置。另外，在引线框1e中，俯视下，使带状的区域16a从长边方向l和短边方向s的任意一个方向倾斜，并且将多个区域16a平行配置。

此外，在图10所示的区域16a中，分别在单位引线框10的2个宽度量的全金属部邻接的引线框1e间，将全金属部以单位引线框10的1个宽度量在各短边方向s偏离配置。然而，在配置的全金属部的长边、短边方向s偏离的宽度不限于此。另外，邻接的区域16a彼此的间隔、区域16a的倾斜角度等也是任意的。

接下来，参照图11说明第4实施方式的其他变形例所涉及的引线框1f。引线框1f是在第2连杆12中，使从长边方向l和短边方向s的任意方向倾斜的一对带状的区域16b互相交叉的例子。此外，图11示出使一对区域16b交叉的例子，但也可以使多对区域16b交叉。

接下来，参照图12说明第4实施方式的另一个其他变形例所涉及的引线框1g。引线框1g是在第2连杆12中，使菱形的区域16c在引线框1g内以相同模样分布的例子。此外，虽然图12示出使菱形的区域16c以相同模样分布的例子，但可以不一定是以相同模样分布。另外，也可以使菱形以外的形状的区域16c分布。例如，也可以使三角形、矩形形状等区域16c分布。另外，区域16c的大小是任意的。

接下来，参照图13说明组合有第3实施方式与第4实施方式的引线框1h。引线框1h与第3实施方式同样，多个第2连杆12中的一部分的第2连杆12从短边方向s的一端到另一端整个都由全金属部构成。并且，引线框1h与第4实施方式同样，在其余的第2连杆12中，具有使全金属部集中在内部的区域16d。图13示出平行配置有多个区域16d的情况，但区域16d的构成不限于此。

以上，说明了本发明的各实施方式，但本发明不限于上述各实施方式，只要不脱离其内容，就能够进行各种变更。例如，在上述各实施方式中，说明了qfn型、son型的半导体装置的制造所使用的引线框，但也可以用于其他类型的半导体装置的制造。

如上所述，实施方式所涉及的引线框1(1a～1h)是矩形的引线框，包括：排列成矩阵状的多个单位引线框10；将邻接的单位引线框10彼此连结，在引线框1(1a～1h)的长边方向l延伸的多个第1连杆11；以及将邻接的单位引线框10彼此连结，在引线框1(1a～1h)的短边方向s延伸的多个第2连杆12(12a、12b)。而且，多个第2连杆12(12a、12b)的至少一部分具有比第1连杆11厚的部位。由此，能够抑制引线框1(1a～1h)沿着短边方向s的挠曲。

另外，在实施方式所涉及的引线框1(1a～1h)中，第2连杆12(12a、12b)的比第1连杆11厚的部位与引线框1(1a～1h)的最厚的部位是相同的厚度。由此，能够使引线框1(1a～1h)的短边方向s的强度最大化。

另外，在实施方式所涉及的引线框1a(1b)中，引脚10b仅被比第2连杆12(12a、12b)薄的第1连杆11支承。由此，能够缩短沿着长边方向l切割所需的时间。

另外，在实施方式所涉及的引线框1a中，芯片焊盘10a使用支承杆10c而仅被比第1连杆11厚的第2连杆12支承。由此，能够缩短沿着短边方向s切割所需的时间。

另外，在实施方式所涉及的引线框1(1a～1h)中，第2连杆12a(12b)截面是倒梯形，最厚的部分与引线框1(1a～1h)的最厚的部位是相同的厚度。由此，能够兼顾短边方向s的强度以及沿着短边方向s切割所需的时间的缩短。

另外，在实施方式所涉及的引线框1(1a、1b)中，第1连杆11与第2连杆12(12a、12b)交叉的交叉部14是与第2连杆12(12a、12b)的比第1连杆11厚的部位相同的厚度。由此，能够抑制引线框1(1a、1b)沿着短边方向s的挠曲。

另外，在实施方式所涉及的引线框1c中，多个第2连杆12(12a、12b)中一部分的第2连杆12(12a、12b)从短边方向s的一端到另一端整个都比第1连杆11厚。另外，其余的第2连杆12(12a、12b)从短边方向s的一端到另一端整个都与第1连杆11为相同的厚度。由此，能够兼顾短边方向s的强度以及旋转刀的长寿命化。

另外，在实施方式所涉及的引线框1d(1e～1h)中，第2连杆12(12a、12b)在从短边方向s的一端到另一端之间混杂有比第1连杆11厚的部位、与第1连杆11相同厚度的部位，在以整体观察所有的第2连杆12(12a、12b)的情况下，在从短边方向s的一端到另一端的所有部位，配置有比第1连杆11厚的部位。由此，能够兼顾短边方向s的强度以及旋转刀的长寿命化。

在上述的第1～第4实施方式中，第2连杆12的至少一部分具有比第1连杆11厚的部位，从而第2连杆12的至少一部分比第1连杆11的刚性高。但是，使刚性不同的方法不限于此，可以构成为第5实施方式和第6实施方式。

图14是示出第5实施方式的引线框1i的俯视图。在图14所示的引线框1i中，第1连杆11i和第2连杆12i的厚度相等。如图14所示，多个第2连杆12i的至少一部分具有比第1连杆11i宽的部位。在图示的例子中，所有的第2连杆12i的宽度wl比第1连杆11i的宽度ws宽。此外，在图14中，为了易于说明，示出比实际的单位引线框的个数少的引线框1i。

第2连杆12i的截面积大于第1连杆11i的截面积，第2连杆12i的刚性大于第1连杆11i的刚性。根据这样的构成，能够提供一种在短边方向难以挠曲的引线框1i。此外，也可以将设置在第1连杆11i的狭窄的部位设置在图8～图13所示的设置有半蚀刻部的区域。

图15是示出第6实施方式的引线框1j的俯视图。在图15所示的引线框1j中，第2连杆12j的厚度和宽度与第1连杆11j的厚度和宽度分别相等。如图15所示，第2连杆12j的个数相对于引线框1j的长边方向尺寸lj之比a2，大于第1连杆11j的个数相对于引线框1j的短边方向尺寸sj之比a1。此外，在图15中，为了易于说明，示出比实际的单位引线框的个数少的引线框1i。

第2连杆12j的截面积与第1连杆11j的截面积相等，第1连杆11j和第2连杆12j的刚性相等。但是，由于每单位长度的第2连杆12j的个数[个/m]比每单位长度的第1连杆11j的个数[个/m]多，因此，引线框1j与长边方向相比在短边方向难以挠曲。

在图15中，引线框1j的长边方向尺寸lj是引线框1j的短边方向尺寸sj的二倍。第1连杆11j是2个，第2连杆12j是7个。即，第2连杆12j的个数相对于引线框1j的长边方向尺寸lj之比a2是7/lj＝7/(2sj)，第1连杆11j的个数相对于引线框1j的短边方向尺寸sj之比a1是2/sj。即，引线框1j的短边方向与长边方向相比以1.75倍(7/4倍)难以挠曲。因此，引线框1j的处理性高。

本领域技术人员能够容易导出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广的形态不限于如上所述表示且记载的特定细节和代表性的实施方式。所以，不从附加的权利要求书及其等同替代物定义的总结性的发明的概念精神或者范围脱离，能够进行各种变更。