基板处理方法、送液方法以及基板处理装置与流程

本发明涉及一种用以处理基板的基板处理方法、基板处理装置以及对基板处理装置所使用的喷嘴送液的送液方法。成为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示设备用基板、有机el(electroluminescence；电致发光)显示设备等的fpd(flatpaneldisplay；平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等的基板。

背景技术：

在下述专利文献1所记载的基板处理方法中，将药液供给至基板后，为了冲洗附着于基板的药液，对基板供给碳酸水。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-358109号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

当在基板处理后的基板上产生颗粒(particle)时，会有在基板处理后的工艺(半导体装置的制造)等中产生动作不良的可能。因此，以往以来通过避免酸性的药液与碱性的药液的混合或者以过滤器过滤药液或冲洗(rinse)液而对颗粒的产生实施预防对策。然而，会有在基板处理后的工艺(半导体装置的制造)等中产生动作不良的情形。

本案发明人们寻找出以冲洗液冲洗附着于基板的表面的药液后在基板上所产生的析出物为基板处理后的工艺的动作不良的原因。由于此种析出物不会在供给至基板上之前的冲洗液中作为颗粒被检测出，因此至今为止未被作为基板处理后的工艺的动作不良的原因受到关注。此种析出物的产生不仅是在基板上，亦会在冲洗液和药液通过的流路内造成。

为了避免析出物的产生，虽然能考虑使用较高纯度的冲洗液来执行基板处理，但此种冲洗液的使用频率越高则基板处理所需的成本越增大。

因此，本发明目的之一在于提供一种能抑制成本的增大且能抑制或防止析出物的产生的基板处理方法、送液方法以及基板处理装置。

用于解决课题的手段

在基板处理中，冲洗液和药液以不会通过药液原本所含有的成分与冲洗液原本所含有的成分形成析出物的方式予以选择。尽管如此，仍会在以冲洗液冲洗基板上的药液时形成析出物。

因此，本发明人们认为成为该析出物的原因的物为即使溶解至冲洗液或药液或者未溶解至冲洗液或药液该物的直径皆比颗粒计数器(particlecounter)的检测的界限(例如18nm)还小的物。并且，本案发明人们寻找出该析出物是因为冲洗液所含有的杂质与药液所含有的离子之间的相互作用所产生。

本发明的实施方式提供一种基板处理方法，包含：药液供给步骤，将含有离子的药液供给至基板的表面；低纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤之后执行，并将含有杂质的低纯度冲洗液供给至所述基板的表面，所述杂质通过与所述药液所含有的所述离子相互作用而形成析出物；以及高纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤与所述低纯度冲洗液供给步骤之间执行，将所含有的所述杂质的量比所述低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液供给至所述基板的表面。

依据此方法，在药液供给步骤与低纯度冲洗液供给步骤之间执行高纯度冲洗步骤。因此，在药液供给步骤中供给至基板上的药液被杂质的含有量比低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液与在高纯度冲洗液之后供给至基板上的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液冲洗药液的基板处理相比，降低基板处理所需的成本。

此外，在低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的高纯度冲洗液供给步骤中，基板上的药液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行低纯度冲洗液供给步骤之前，基板上的药液中的离子的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在药液所含有的离子已经完全从基板上排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

因此，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

在本发明的一个实施方式中，所述药液包含有酸性的水溶液，所述低纯度冲洗液含有作为所述杂质的有机物。

当酸性的水溶液与含有作为杂质的有机物的冲洗液混合时，会有形成析出物的情形。认为该析出物的形成起因于盐析(saltingout)。盐析指处于已分散于水等溶媒中的状态的有机物利用盐的作用而凝集。详细而言，水分子被导引至酸性的水溶液中的阴离子且水分子成为该阴离子的水合水(hydratedwater)，从而去除水合于有机物的水分子。如此，由于有机物的水合所需的水分子不足，因此该有机物凝集。通过该凝集，产生析出物。作为成为盐析的产生的原因的阴离子，能例举例如盐酸所含有的氯化物离子等。作为成为盐析的产生的原因的有机物，能例举例如蛋白质以及分子量比蛋白质还小的有机化合物等。

因此，在低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的高纯度冲洗液供给步骤中，通过高纯度冲洗液置换基板上的酸性的水溶液的一部分或全部，由此在执行低纯度冲洗液供给步骤之前基板上的酸性的水溶液中的阴离子的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低该阴离子与低纯度冲洗液所含有的有机物之间的相互作用。此外，在成为盐析的原因的阴离子已经从基板上完全地排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

在本发明的一个实施方式中，所述低纯度冲洗液亦可包含含有二氧化碳的碳酸含有液。

在本发明的一个实施方式中，所述基板处理方法还包含：第二低纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤之前执行，用以将所述低纯度冲洗液供给至所述基板的表面；以及第二高纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤与所述第二低纯度冲洗液供给步骤之间执行，用以将所述高纯度冲洗液供给至所述基板的表面。

依据此方法，在药液供给步骤之前执行第二低纯度冲洗液供给步骤，并在药液供给步骤与第二低纯度冲洗液供给步骤之间执行第二高纯度冲洗液供给步骤。因此，在用以在药液供给步骤之前以冲洗液清洗基板的表面的基板处理中，基板的表面被杂质的含有量比低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液与在高纯度冲洗液之后所供给的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液洗净基板的表面的基板处理相比，降低基板处理所需的成本。

此外，在药液供给步骤之前所执行的第二高纯度冲洗液供给步骤中，基板上的低纯度冲洗液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行药液供给步骤之前，至少降低基板上的冲洗液中的杂质的量。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在杂质已经完全从基板上排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止药液供给步骤中的析出物的形成。

因此，在用以在药液供给步骤之前以冲洗液洗净基板的表面的基板处理中，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

本发明的一个实施方式提供一种送液方法，用以经由共通流路送液至喷嘴，该送液方法包含：流路药液供给步骤，将含有离子的药液供给至所述共通流路；流路低纯度冲洗液供给步骤，在所述流路药液供给步骤之后将含有杂质的低纯度冲洗液供给至所述共通流路，所述杂质通过与所述药液所含有的所述离子相互作用而形成析出物；以及流路高纯度冲洗液供给步骤，在所述流路药液供给步骤与所述流路低纯度冲洗液供给步骤之间将所含有的所述杂质的量比所述低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液供给至所述共通流路。

依据此方法，在流路药液供给步骤与流路低纯度冲洗液供给步骤之间执行流路高纯度冲洗步骤。因此，在流路药液供给步骤中供给至共通流路的药液被杂质的含有量比低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液与在高纯度冲洗液之后供给至共通流路的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液冲洗药液的送液方法相比，降低所需的成本。

此外，在流路低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的流路高纯度冲洗液供给步骤中，共通流路内的药液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行流路低纯度冲洗液供给步骤之前，共通流路内的药液中的离子的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在药液所含有的离子已经完全从共通流路内排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止流路低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

因此，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

在本发明的一个实施方式中，所述药液包含有酸性的水溶液，所述低纯度冲洗液含有作为所述杂质的有机物。因此，在流路低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的流路高纯度冲洗液供给步骤中，通过高纯度冲洗液置换共通流路内的酸性的水溶液的一部分或全部。由此，在执行流路低纯度冲洗液供给步骤之前基板上的酸性的水溶液中的阴离子的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低该阴离子与低纯度冲洗液所含有的有机物之间的相互作用。此外，在成为盐析的原因的阴离子已经从共通流路内完全地排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止流路低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

在本发明的一个实施方式中，所述低纯度冲洗液亦可包含含有二氧化碳的碳酸含有液。

在本发明的实施方式的一中，所述送液方法包含有：第二流路低纯度冲洗液供给步骤，在所述流路药液供给步骤之前执行，用以将所述低纯度冲洗液供给至所述共通流路；以及第二流路高纯度冲洗液供给步骤，在所述流路药液供给步骤与所述第二流路低纯度冲洗液供给步骤之间执行，用以将所述高纯度冲洗液供给至所述共通流路。

依据此方法，在流路药液供给步骤之前执行第二流路低纯度冲洗液供给步骤，并在流路药液供给步骤与第二流路低纯度冲洗液供给步骤之间执行第二流路高纯度冲洗液供给步骤。因此，在用以在流路药液供给步骤之前以冲洗液洗净共通流路的方法中，共通流路被杂质的含有量比低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液与在高纯度冲洗液之后供给至基板上的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液洗净共通流路的送液方法相比，降低所需的成本。

此外，在流路药液供给步骤之前所执行的第二流路高纯度冲洗液供给步骤中，共通流路内的低纯度冲洗液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行流路药液供给步骤之前，至少降低共通流路内的冲洗液中的杂质的量。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在杂质已经完全从共通流路内排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止流路药液供给步骤中的析出物的形成。

因此，在用以在流路药液供给步骤之前以冲洗液洗净共通流路的方法中，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

本发明的一个实施方式提供一种基板处理装置，包含：药液供给单元，将含有离子的药液供给至基板的表面；低纯度冲洗液供给单元，将能含有杂质的低纯度冲洗液供给至所述基板的表面，所述杂质通过与所述药液所含有的离子相互作用而形成析出物；高纯度冲洗液供给单元，将所含有的所述杂质的量比所述低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液供给至所述基板的表面；以及控制器，控制所述药液供给单元、所述低纯度冲洗液供给单元以及所述高纯度冲洗液供给单元。

并且，所述控制器执行：药液供给步骤，将所述药液供给至所述基板的表面；以及低纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤之后将所述低纯度冲洗液供给至所述基板的表面；并且，所述控制器在所述药液供给步骤与所述低纯度冲洗液供给步骤之间执行用以将所述高纯度冲洗液供给至所述基板的表面的高纯度冲洗液供给步骤。

依据此构成，在药液供给步骤与低纯度冲洗液供给步骤之间执行高纯度冲洗步骤。因此，在药液供给步骤中供给至基板上的药液被杂质的含有量比低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液与在高纯度冲洗液之后供给至基板上的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液冲洗药液的基板处理相比，降低基板处理所需的成本。

此外，在低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的高纯度冲洗液供给步骤中，基板上的药液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行低纯度冲洗液供给步骤之前，基板上的药液中的离子的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在药液所含有的离子已经完全从基板上排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

因此，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

在本发明的一个实施方式中，所述药液供给单元包含用以将酸性的水溶液供给至所述基板的表面的酸性水溶液供给单元，所述低纯度冲洗液含有作为所述杂质的有机物。因此，在低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的高纯度冲洗液供给步骤中，通过高纯度冲洗液置换基板上的酸性的水溶液的一部分或全部。由此，在执行低纯度冲洗液供给步骤之前基板上的酸性的水溶液中的阴离子的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低该阴离子与低纯度冲洗液所含有的有机物之间的相互作用。此外，在成为盐析的原因的阴离子已经从基板上完全地排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

在本发明的一个实施方式中，所述低纯度冲洗液供给单元亦可包含：碳酸含有液供给单元，用以将含有二氧化碳的碳酸含有液供给至所述基板的表面。

在本发明的一个实施方式中，所述控制器设置为：执行第二低纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤之前将所述低纯度冲洗液供给至所述基板的表面；以及执行第二高纯度冲洗液供给步骤，在所述药液供给步骤与所述第二低纯度冲洗液供给步骤之间执行，用以将所述高纯度冲洗液供给至所述基板的表面。

依据此构成，在药液供给步骤之前执行第二低纯度冲洗液供给步骤，并在药液供给步骤与第二低纯度冲洗液供给步骤之间执行第二高纯度冲洗液供给步骤。因此，在用以在药液供给步骤之前以冲洗液清洗基板的表面的基板处理中，基板的表面被杂质的含有量比低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液与在高纯度冲洗液之后供给至基板上的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液洗净基板的表面的基板处理相比，降低基板处理所需的成本。

此外，在药液供给步骤之前所执行的第二高纯度冲洗液供给步骤中，基板上的低纯度冲洗液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行药液供给步骤之前，至少降低基板上的冲洗液中的杂质的量。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在杂质已经完全从基板上排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止药液供给步骤中的析出物的形成。

因此，在用以在药液供给步骤之前以冲洗液洗净基板的表面的基板处理中，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

在本发明的一个实施方式中，所述基板处理装置还包含：喷嘴；以及共通流路，送液至所述喷嘴。所述药液供给单元包含：药液阀，用以切换是否对所述共通流路供给所述药液。所述低纯度冲洗液供给单元包含：低纯度冲洗液阀，用以切换是否对所述共通流路供给所述低纯度冲洗液。所述高纯度冲洗液供给单元包含：高纯度冲洗液阀，用以切换是否对所述共通流路供给所述高纯度冲洗液。

并且，所述控制器控制所述药液阀、所述低纯度冲洗液阀以及所述高纯度冲洗液阀。所述控制器执行：流路药液供给步骤，将所述药液供给至所述共通流路；以及流路低纯度冲洗液供给步骤，在所述流路药液供给步骤之后将所述低纯度冲洗液供给至所述共通流路；并且，所述控制器在所述流路药液供给步骤与所述流路低纯度冲洗液供给步骤之间执行用以将所述高纯度冲洗液供给至所述共通流路的流路高纯度冲洗液供给步骤。

依据此构成，在流路药液供给步骤与流路低纯度冲洗液供给步骤之间执行流路高纯度冲洗步骤。因此，在流路药液供给步骤中供给至共通流路的药液被杂质的含有量比低纯度冲洗液还少的高纯度冲洗液与在高纯度冲洗液之后供给至共通流路的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液冲洗药液的送液方法相比，降低所需的成本。

此外，在流路低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的流路高纯度冲洗液供给步骤中，共通流路内的药液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行流路低纯度冲洗液供给步骤之前，共通流路内的药液中的离子的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在药液所含有的离子已经完全从共通流路内排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止流路低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

因此，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

本发明的所述目的、特征及功效以及其他的目的、特征及功效能参照附图并通过下述实施方式的说明而更明了。

附图说明

图1是用以说明本发明第一实施方式的基板处理装置的内部的布局(layout)的俯视图。

图2是用以说明所述基板处理装置所具备的处理单元的一个构成例的示意性的纵剖视图。

图3是用以说明所述基板处理装置的主要部分的电气构成的框图。

图4是用以说明所述基板处理装置的基板处理的一例的流程图。

图5a是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s3)中的基板的周边的示意图。

图5b是diw(deionizedwater；去离子水)冲洗处理(图4的步骤s4)中的基板的周边的示意图。

图5c是sc2(盐酸过氧化氢混合液)处理(图4的步骤s5)中的基板的周边的示意图。

图5d是diw冲洗处理(图4的步骤s6)中的基板的周边的示意图。

图5e是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s7)中的基板的周边的示意图。

图6a是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s3)中的混合阀(mixingvalve)单元的周边的示意图。

图6b是diw冲洗处理(图4的步骤s4)中的混合阀单元的周边的示意图。

图6c是sc2处理(图4的步骤s5)中的混合阀单元的周边的示意图。

图6d是diw冲洗处理(图4的步骤s6)中的混合阀单元的周边的示意图。

图6e是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s7)中的混合阀单元的周边的示意图。

图7是用以说明所述基板处理装置的基板处理的其他例子的流程图。

图8是用以说明所述基板处理装置的基板处理的另一个其他例子的流程图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

图1是用以说明本发明第一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的俯视图。基板处理装置1是用以逐张处理硅晶圆等基板w的单张式的装置。在本实施方式中，基板w为圆形状的基板。

基板处理装置1包含有：多个处理单元2，用以处理基板w；多个装载埠(loadport)lp，分别保持承载器(carrier)c，该承载器c用以收容在处理单元2进行处理的多张基板w；搬运机械手ir及搬运机械手cr，用以在装载埠lp与处理单元2之间搬运基板w；以及控制器3，用以控制基板处理装置1。搬运机械手ir在承载器c与搬运机械手cr之间搬运基板w。搬运机械手cr在搬运机械手ir与处理单元2之间搬运基板w。

多个处理单元2例如具有同样的构成。处理单元2包含：腔室(chamber)14，收容基板w，以利用处理液处理基板w；以及流体箱部15，收容配管类，该配管类用以供给在腔室14内使用的处理液或气体等流体处理基板w。

处理液例如为药液或冲洗液等。药液例如为用以从基板w的表面去除形成于基板w的表面的薄膜或者从基板w的表面去除附着于基板w的表面的颗粒或金属污染等的液体。冲洗液是用以从基板w的表面等冲洗掉药液的去离子水(diw)等。

虽然省略图示，但在腔室14形成有用以将基板w搬入至腔室14内以及从腔室14内搬出基板w的出入口。并且，在腔室14具备有用以将该出入口予以开闭的挡门(shutter)单元。

图2是用以说明处理单元2的一个构成例的示意性的纵剖视图。

处理单元2包含有旋转卡盘(spinchuck)5、筒状的杯部(cup)8、第一喷嘴11以及第二喷嘴12。

旋转卡盘5一边以水平的姿势保持一张基板w一边使基板w绕着通过基板w的中央部的铅垂的旋转轴线a1旋转。杯部8包围旋转卡盘5。第一喷嘴11及第二喷嘴12分别将流体供给至基板w的上表面(表面)。

旋转卡盘5为基板保持旋转单元的一例。旋转卡盘5包含有多个卡盘销(chuckpin)20、旋转基座(spinbase)21、旋转轴22以及电动马达23。

旋转轴22沿着旋转轴线a1在铅垂方向延伸。旋转轴22的上端结合至旋转基座21的下表面中央。旋转基座21具有沿着水平方向的圆盘形状。多个卡盘销20在周向隔着间隔配置于旋转基座21的上表面的周缘部。电动马达23将旋转力施予至旋转轴22。通过电动马达23使旋转轴22旋转，由此基板w绕着旋转轴线a1旋转。

第一喷嘴11具有与基板w的上表面对向的喷出口11a。第一喷嘴11通过第一喷嘴移动机构24在水平方向及铅垂方向移动。第一喷嘴11能在中心位置与起始位置(homeposition)(退避位置)之间在水平方向移动。第一喷嘴11在位于中心位置时会与基板w的上表面的旋转中心对向。第一喷嘴11在位于起始位置时不会与基板w的上表面对向。

俯视下，起始位置为旋转基座21的外侧的位置。更具体而言，起始位置亦可为杯部8的外侧的位置。第一喷嘴11无须为通过第一喷嘴移动机构24而移动的移动喷嘴，亦可为位置被固定的固定喷嘴。

第二喷嘴12具有与基板w的上表面对向的喷出口12a。第二喷嘴12通过第二喷嘴移动机构25在水平方向及铅垂方向移动。第二喷嘴12能在中心位置与起始位置(退避位置)之间在水平方向移动。第二喷嘴12在位于中心位置时会与基板w的上表面的旋转中心对向。第二喷嘴12在位于起始位置时不会与基板w的上表面对向。

俯视下，起始位置为旋转基座21的外侧的位置。更具体而言，起始位置亦可为杯部8的外侧的位置。第二喷嘴12无须为通过第二喷嘴移动机构25而移动的移动喷嘴，亦可为位置被固定的固定喷嘴。

在第一喷嘴11结合有第一处理液供给路径p61。在第二喷嘴12结合有第二处理液供给路径p62。第一处理液供给路径p61及第二处理液供给路径p62例如皆为配管。第一处理液供给路径p61及第二处理液供给路径p62连接至混合阀单元6。第一处理液供给路径p61及第二处理液供给路径p62从混合阀单元6接受处理液的供给。

混合阀单元6包含有用以送液至喷嘴11、12的共通流路60、流出侧的多个阀v61、v62、流入侧的多个阀v63～v67、以及排液阀v68。多个阀v61～v68皆为开闭阀。第一处理液供给路径p61结合至共通流路60。在第一处理液供给路径p61安装有流出侧的多个阀v61、v62中的第一处理液阀v61。在第二处理液供给路径p62安装有流出侧的多个阀v61、v62中的第二处理液阀v62。在第二处理液供给路径p62中，亦可在第二处理液阀v62与共通流路60之间安装有过滤器45。

在共通流路60结合有用以将流体供给至共通流路60的多个流体供给路径p63～p67。多个流体供给路径p63～p67例如皆为配管。在多个流体供给路径p63～p67分别安装有流入侧的多个阀v63～v67。通过将阀v63～v67开闭，切换是否对共通流路60供给处理液。

多个流体供给路径p63～p67包含有第一流体供给路径p63、第二流体供给路径p64、第三流体供给路径p65、第四流体供给路径p66以及第五流体供给路径p67。多个阀v63～v67包含有第一流体阀v63、第二流体阀v64、第三流体阀v65、第四流体阀v66以及第五流体阀v67。

在本实施方式中，第一流体供给路径p63连接至碳酸水供给源70。第二流体供给路径p64连接至diw供给源71。第三流体供给路径p65连接至氨水供给源(nh4oh供给源)72。第四流体供给路径p66连接至过酸化氢水供给源(h2o2供给源)73。第五流体供给路径p67连接至盐酸供给源(hci供给源)74。碳酸水供给源70的碳酸水亦可为通过使二氧化碳气体溶解于从diw供给源71所供给的diw而准备好的碳酸水。

在共通流路60结合有排液路径p68。排液路径p68例如为配管。在排液路径p68安装有排液阀v68。排液路径p68连接至吸引机构80。吸引机构80例如为真空泵等。

在第一喷嘴11除了结合有第一处理液供给路径p61之外，还结合有气体供给路径30。在气体供给路径30安装有气体阀40。在气体供给路径30连接有气体供给源75。从气体供给源75经由气体供给路径30将氮(n2)气等气体供给至第一喷嘴11。在本实施方式中，第一喷嘴11为能将已混合了处理液与气体的流体供给至基板w的上表面的双流体喷嘴。

作为从气体供给源75供给至第一喷嘴11的气体，较佳为使用氮气那样的非活性气体。非活性气体为相对于基板w的上表面为非活性的气体。非活性气体除了包含有氮气以外，亦可包含有例如氩的稀有气体类。气体阀40与混合阀单元6一起收容于流体箱部15。气体供给源75与流体供给源70～74、吸引机构80一起配置于流体箱部15的外部。

能将流入至共通流路60中的某一种处理液供给至第一喷嘴11及第二喷嘴12，且能将已混合了流入至共通流路60中的任意两种的处理液的混合处理液供给至第一喷嘴11及第二喷嘴12。

作为一种处理液，能例举碳酸水及diw等冲洗液。作为冲洗液，除了碳酸水及diw以外，亦能使用电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如1ppm～100ppm左右)的盐酸水、还原水(氢水)、氨水等。

在本实施方式中，能将diw及碳酸水作为冲洗液分别供给至第一喷嘴11及第二喷嘴12。作为冲洗液，亦可使用已使二氧化碳气体溶解于有机溶剂等的diw以外的液体与diw的混合液的液体以取代碳酸水。将此种含有二氧化碳气体的混合液以及碳酸水总称为碳酸含有液。

作为混合处理液，能使用sc1(氨水过氧化氢混和液)或sc2(盐酸过氧化氢混合液)等药液。所谓sc1指氨水、过氧化氢水以及diw的混合液，且为碱性的水溶液。所谓sc2指盐酸与过氧化氢水的混合液，且为酸性的水溶液。sc2为含有盐酸的盐酸含有液的一例。在本实施方式中，能将sc1及sc2作为药液分别供给至第一喷嘴11及第二喷嘴12。

有在冲洗液含有杂质的情形。例如有用以构成第一流体供给路径p63、共通流路60、第一处理液供给路径p61以及第二处理液供给路径p62的有机物溶入至碳酸水的情形。由此，在已供给至第一喷嘴11或第二喷嘴12的碳酸水含有作为杂质的有机物。作为该有机物，能例举例如蛋白质及比蛋白质还低分子的有机化合物等。

作为其他的例子，在通过使二氧化碳气体溶解于从diw供给源71所供给的diw而生成碳酸水的情形中，二氧化碳气体所含有的有机物等杂质与二氧化碳一起融入至diw。在此情形中，供给至第一喷嘴11或第二喷嘴12的碳酸水亦含有作为杂质的有机物。

如此，在本实施方式中，与diw相比，碳酸水含有多量的杂质。就冲洗液的纯度而言，含有杂质的量越少则越高，含有杂质的量越多则越低。因此，在本实施方式中，碳酸水为低纯度冲洗液。并且，diw为所含有的杂质的量比碳酸水少的高纯度冲洗液。就冲洗液中的杂质的含有量而言，存在于每单位体积的冲洗液中的杂质的摩尔数越大则越大，存在于每单位体积的冲洗液中的杂质的摩尔数越小则越小。

当混合含有杂质的冲洗液与含有预定的离子的药液时，会有起因于该离子与杂质之间的相互作用而产生析出物(沉淀物)的情形。成为该析出物的原因的杂质即使溶解于冲洗液或者未溶解于冲洗液，杂质的直径亦比颗粒计数器(未图示)的检测的界限(例如18nm)还小。因此，该杂质无法被颗粒计数器检测出。该杂质通过与离子之间的相互作用而成为能被颗粒计数器检测出的程度的大小的析出物。在杂质为有机物的情形中，认为该析出物起因于盐析。

盐析指利用盐的作用使已经分散于水等溶媒中的有机物凝集。详细而言，水分子被导引至药液中的预定的离子且水分子成为该预定的离子的水合水，从而去除水合于有机物的水分子。如此，由于有机物的水合所需的水分子不足，因此该有机物凝集。通过该凝集，产生析出物。

作为成为盐析的原因的预定的离子，能例举：柠檬酸离子、酒石酸离子、硫酸离子、氯化物离子、溴化物离子、碘化物离子、碳酸离子、乙酸离子、硝酸离子等阴离子；铵离子、钾离子、钠离子、钙离子、镁离子等阳离子。作为含有硫酸离子的酸性的水溶液(药液)，能例举spm(硫酸过氧化氢混合液)。溶媒中的这些离子的浓度越薄越难以造成盐析。换言之，溶媒的ph(powerofhydrogen；酸碱值)越接近7则越难以造成盐析。

图3是用以说明基板处理装置1的主要部分的电气构成的框图。控制器3具备有微型计算机(microcomputer)，并依照预定的控制程序控制基板处理装置1所具备的控制对象。更具体而言，控制器3包含有处理器(processor)cpu(centralprocessingunit；中央处理器))3a以及储存有控制程序的存储器3b，通过处理器3a执行控制程序而执行用以进行基板处理的各种控制。尤其是，控制器3控制搬运机械手ir、搬运机械手cr、电动马达23、喷嘴移动机构24、喷嘴移动机构25以及阀类40、v61～v68等的动作。

在以下的图4至图6中，说明能抑制或防止起因于碳酸水与sc2的混合而形成析出物的基板处理方法以及送液方法的一例。

图4是用以说明基板处理装置1的基板处理的一例的流程图。图4主要是显示通过控制器3执行动作程序所实现的处理。

如图4所示，在基板处理装置1的基板处理中，依序执行搬入基板(步骤1)、sc1处理(步骤s2)、碳酸水冲洗处理(步骤s3)、diw冲洗处理(步骤s4)、sc2处理(步骤s5)、diw冲洗处理(步骤s6)、碳酸水冲洗处理(步骤s7)、干燥(步骤s8)以及搬出基板w(步骤s9)。

在本实施方式的基板处理中，从第一喷嘴11供给sc1。并且，从第二喷嘴12供给作为酸性的水溶液的sc2、作为高纯度冲洗液的diw以及作为低纯度冲洗液的碳酸水。

亦即，在本实施方式中，第二喷嘴12、第二处理液供给路径p62、第二处理液阀v62、第二流体供给路径p64、第二流体阀v64以及共通流路60构成高纯度冲洗液供给单元。第二流体阀v64为用以切换朝共通流路60供给高纯度冲洗液的高纯度冲洗液阀的一例。

并且，第二喷嘴12、第二处理液供给路径p62、第二处理液阀v62、第一流体供给路径p63、第一流体阀v63以及共通流路60构成碳酸含有液供给单元(低纯度冲洗液供给单元)。第一流体阀v63用以切换朝共通流路60供给低纯度冲洗液的低纯度冲洗液阀的一例。

并且，第二喷嘴12、第二处理液供给路径p62、流体阀v66、流体阀v67、流体供给路径p66、流体供给路径p67以及共通流路60构成盐酸含有液供给单元(酸性水溶液供给单元、药液供给单元)。在本实施方式中，流体阀v66、v67用以切换朝共通流路60供给药液的药液阀的一例。

详细说明基板处理装置1的基板处理(步骤s1至步骤s9)。

首先，未处理的基板w通过搬运机械手ir、cr从承载器c搬入至处理单元2并交至旋转卡盘5(步骤s1)。之后，基板w在直至被搬运机械手cr搬出的期间，被卡盘销20隔着间隔地水平地保持于旋转基座21的上表面的上方(基板保持步骤)。

电动马达23使基板w与旋转基座21一起旋转(基板旋转步骤)。以旋转速度所进行的基板旋转步骤亦可持续至后述的干燥处理(步骤s8)开始为止。在基板处理中，供给至旋转状态的基板w上的液体通过离心力从基板w的周缘飞散至外侧，并被杯部8接住。

接着，执行sc1处理(步骤s2)，在该sc1处理中，以sc1处理被卡盘销20保持的基板w的上表面。

具体而言，第一喷嘴移动机构24将第一喷嘴11配置于基板w的上方的处理位置。处理位置亦可为从第一喷嘴11喷出的药液会被供给至基板w的上表面的旋转中心的位置。接着，从第一喷嘴11朝旋转状态的基板w的上表面供给sc1。被供给至旋转状态的基板w的上表面的sc1通过离心力沿着基板w的上表面流动至径向外侧。由此，清洗液遍及基板w的上表面整体。亦可与开始供给sc1的同时或者开始供给sc1之后开启气体阀40。由此，已混合了sc1与氮气的流体朝基板w的上表面喷出。

接着，在一定时间的sc1处理(步骤s2)之后，执行碳酸水冲洗处理(步骤s3)，在该碳酸水冲洗处理中，以碳酸水冲洗掉基板w的上表面的sc1。图5a是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s3)中的基板w的周边的示意图。

具体而言，第二喷嘴移动机构25将第二喷嘴12配置于基板w的上方的处理位置。处理位置亦可为从第二喷嘴12喷出的碳酸水会被供给至基板w的上表面的旋转中心的位置。接着，从第二喷嘴12朝旋转状态的基板w的上表面供给碳酸水(第二低纯度冲洗液供给步骤)。另一方面，停止从第一喷嘴11供给sc1。第一喷嘴移动机构24使第一喷嘴11退避至退避位置。离心力作用于已着落至旋转状态的基板w的上表面的碳酸水。由此，已着落至基板w的上表面的碳酸水在基板w的上表面朝基板w的外周流动。由此，基板w上的sc1被碳酸水置换。通过对第二喷嘴12以及基板w的上表面供给碳酸水，能去除第二喷嘴12以及基板w的上表面的静电。

接着，在一定时间的碳酸水冲洗处理(步骤s3)之后，执行diw冲洗处理(步骤s4)，在该diw冲洗处理中，以diw冲洗掉基板w的上表面的碳酸水。图5b是diw冲洗处理(图4的步骤s4)中的基板w的周边的示意图。

具体而言，第二喷嘴12维持配置于基板w的上方的处理位置的状态。接着，从第二喷嘴12朝旋转状态的基板w的上表面供给diw(第二高纯度冲洗液供给步骤)。离心力作用于已着落至旋转状态的基板w的上面的diw。由此，已着落至基板w的上表面的diw在基板w的上表面朝基板w的外周流动。由此，基板w上的碳酸水被diw置换。此时，基板w上的碳酸水不一定需要被diw完全地置换。供给diw的期间亦可为基板w上的碳酸水的一部分被diw置换的程度的期间。

接着，在一定时间的diw冲洗处理(步骤s4)之后，执行sc2处理(步骤s5)，在该sc2处理中，通过sc2处理基板w的上表面。图5c是sc2处理(图4的步骤s5)中的基板w的周边的示意图。

具体而言，第二喷嘴12维持配置于基板w的上方的处理位置的状态。接着，从第二喷嘴12朝旋转状态的基板w的上表面供给sc2(药液供给步骤、酸性水溶液供给步骤、盐酸含有液供给步骤)。离心力作用于已着落至旋转状态的基板w的上面的sc2。由此，已着落至基板w的上表面的sc2在基板w的上表面朝基板w的外周流动。由此，基板w上的diw被sc2置换。

在diw冲洗处理(步骤s4)刚结束后在基板w上残存有碳酸水的情形中，基板w上的diw以及碳酸水的混合液被sc2置换。基板w上的diw被sc2置换后，持续对基板w的上表面供给sc2，由此去除基板w的上表面的金属污染。

在该基板处理中，碳酸水冲洗处理(步骤s3)中的第二低纯度冲洗液供给步骤在sc2处理(步骤s5)中的药液供给步骤之前执行。在该基板处理中，diw冲洗处理(步骤s4)中的第二高纯度清洗供给步骤在碳酸水冲洗处理(步骤s3)中的第二低纯度冲洗液供给步骤与sc2处理(步骤s5)中的药液供给步骤之间执行。

接着，在一定时间的sc2处理(步骤s5)之后，执行diw冲洗处理(步骤s6)，该diw冲洗处理中，以diw冲洗掉基板w的上表面的sc2。图5d是diw冲洗处理(图4的步骤s6)中的基板w的周边的示意图。

具体而言，第二喷嘴12维持配置于基板w的上方的处理位置的状态。接着，从第二喷嘴12朝旋转状态的基板w的上表面供给diw(高纯度冲洗液供给步骤)。离心力作用于已着落至旋转状态的基板w的上面的diw。由此，已着落至基板w的上表面的diw在基板w的上表面朝基板w的外周流动。由此，基板w上的sc2被diw置换。此时，基板w上的sc2不一定需要被diw完全地置换。供给diw的期间亦可为基板w上的sc2的一部分被diw置换的程度的期间。

接着，在一定时间的diw冲洗处理(步骤s6)之后，执行碳酸水冲洗处理(步骤s7)，在该碳酸水冲洗处理中，以碳酸水冲洗掉基板w的上表面的diw。图5e是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s7)中的基板w的周边的示意图。

具体而言，第二喷嘴12维持配置于基板w的上方的处理位置的状态。接着，从第二喷嘴12朝旋转状态的基板w的上表面供给碳酸水(低纯度冲洗液供给步骤)。离心力作用于已着落至旋转状态的基板w的上面的碳酸水。由此，已着落至基板w的上表面的碳酸水在基板w的上表面朝基板w的外周流动。由此，基板w上的diw被碳酸水置换。在diw冲洗处理(步骤s6)刚结束后在基板w上残存有sc2的情形中，基板w上的diw以及sc2的混合液被碳酸水置换。

在该基板处理中，diw冲洗处理(步骤s6)中的高纯度冲洗液供给步骤在sc2处理(步骤s5)中的药液供给步骤与碳酸水冲洗处理(步骤s7)中的低纯度冲洗液供给步骤之间执行。

接着，进行用以使基板w干燥的干燥处理(步骤s8)。

具体而言，停止从第二喷嘴12供给碳酸水。第二喷嘴移动机构25使第二喷嘴12退避至退避位置。接着，电动马达23以比sc1处理(步骤s2)至碳酸水处理(步骤s7)的基板w的旋转速度还快速的高旋转速度(例如500rpm至3000rpm)使基板w旋转。由此，大的离心力作用于基板w上的碳酸水，基板w上的碳酸水被甩离至基板w的周围。如此，从基板w去除碳酸水而使基板w干燥。接着，当从开始基板w的高速旋转经过预定时间时，控制器3停止旋转基座21对基板w的旋转。

之后，搬运机械手cr进入至处理单元2，从旋转卡盘5拾取处理完毕的基板w并搬出至处理单元2的外部(步骤s9)。该基板w从搬运机械手cr传递至搬运机械手ir，并通过搬运机械手ir收容于承载器c。

接着，说明在上述基板处理中经由共通流路60送液至第二喷嘴12的送液方法。

图6a是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s3)中的混合阀单元6的周边的示意图。在图6a中，使用粗线显示供流体流动的供给路径p61～p67(后述的图6b至图6e亦同样)。在碳酸水冲洗处理(步骤s3)中，经由共通流路60对第二喷嘴12供给碳酸水。

在碳酸水冲洗处理(步骤s3)中，首先，如上所述停止朝基板w供给sc1。为了停止朝基板w供给sc1，在混合阀单元6中关闭第一处理液阀v61。并且，关闭第二流体阀v64、第三流体阀v65以及第四流体阀v66。由此，由于停止朝共通流路60供给diw、氨水以及过氧化氢水，因此亦停止朝第一喷嘴11及基板w供给sc1。

接着，如上所述，开始朝基板w供给碳酸水。为了开始朝基板w供给碳酸水，在混合阀单元6中开启第一流体阀v63。由此，开始经由第一流体供给路径p63朝共通流路60供给碳酸水(第二流路低纯度冲洗液供给步骤)。接着，开启第二处理液阀v62，由此从共通流路60经由第二处理液供给路径p62对第二喷嘴12供给碳酸水。结果，亦开始朝基板w供给碳酸水。

亦可在开始从共通流路60对第二喷嘴12供给碳酸水之前以碳酸水置换残留于共通流路60的sc1。

具体而言，在朝共通流路60供给的流体从sc1切换至碳酸水时，并非是开启第一流体阀v63及第二处理液阀v62，而是开启第一流体阀v63及排液阀v68。由此，以碳酸水冲洗掉残留于共通流路60的sc1。在共通流路60内的sc1被碳酸水置换后，关闭排液阀v68，如先前所说明那样开启第二处理液阀v62。由此，从共通流路60经由第二处理液供给路径p62对第二喷嘴12输送碳酸水。

图6b是diw冲洗处理(图4的步骤s4)中的混合阀单元6的周边的示意图。在diw冲洗处理(步骤s4)中，经由共通流路60对第二喷嘴12供给diw。

在diw冲洗处理(步骤s4)中，首先，如上所述停止朝基板w供给碳酸水。为了停止朝基板w供给碳酸水，在混合阀单元6中关闭第一流体阀v63。由此，由于停止朝共通流路60供给碳酸水，因此亦停止朝第二喷嘴12及基板w供给碳酸水。

接着，如上所述，开始朝基板w供给diw。为了开始朝基板w供给diw，在混合阀单元6中开启第二流体阀v64。由此，开始经由第二流体供给路径p64朝共通流路60供给diw(第二流路高纯度冲洗液供给步骤)。接着，维持开启第二处理液阀v62的状态，由此从共通流路60经由第二处理液供给路径p62对第二喷嘴12供给diw。结果，亦开始朝基板w供给diw。

亦可在开始从共通流路60对第二喷嘴12供给diw之前以diw置换残留于共通流路60的碳酸水。

具体而言，在朝共通流路60供给的流体从碳酸水切换至diw时，并非是维持开启第二流体阀v62的状态，而是暂时关闭第二处理液阀v62，取而代之的是开启第二流体阀v64及排液阀v68。由此，以diw冲洗掉残留于共通流路60的碳酸水。在共通流路60内的碳酸水被diw置换后，关闭排液阀v68，再次开启第二处理液阀v62。由此，从共通流路60经由第二处理液供给路径p62对第二喷嘴12供给diw。

此时，共通流路60内的碳酸水不一定需要被diw完全地置换。供给diw的期间亦可为共通流路60内的碳酸水的一部分被diw置换的程度的期间。反之，在对第二喷嘴12供给diw之前，残留于共通流路60的碳酸水亦可被diw完全地置换。

图6c是sc2处理(图4的步骤s5)中的混合阀单元6的周边的示意图。在sc2处理(步骤s5)中，经由共通流路60对第二喷嘴12供给sc2。

在sc2处理(步骤s5)中，首先，如上所述停止朝基板w供给diw。为了停止朝基板w供给diw，在混合阀单元6中关闭第二处理液阀v64。由此，由于停止朝共通流路60供给diw，因此亦停止朝第二喷嘴12及基板w供给diw。

接着，如上所述，开始朝基板w供给sc2。为了开始朝基板w供给sc2，在混合阀单元6中开启第四流体阀v66及第五流体阀v67。由此，经由第四流体供给路径p66朝共通流路60供给过氧化氢水，并经由第五处理液供给路径p67对共通流路60供给盐酸。在共通流路60混合过氧化氢水与盐酸。结果，朝共通流路60供给sc2(流路药液供给步骤、流路酸性水溶液供给步骤、流路盐酸含有液供给步骤)。接着，维持开启第二处理液阀v62的状态，由此从共通流路60经由第二处理液供给路径p62对第二喷嘴12供给sc2。结果，亦开始朝基板w供给sc2。

亦可在通过开启排液阀v68对第二喷嘴12供给sc2之前以sc2置换残留于共通流路60的diw。

图6d是diw冲洗处理(图4的步骤s6)中的混合阀单元6的周边的示意图。在diw冲洗处理(步骤s6)中，经由共通流路60对第二喷嘴12供给diw。

在diw冲洗处理(步骤s6)中，首先，如上所述停止朝基板w供给sc2。为了停止朝基板w供给sc2，在混合阀单元6中关闭第四流体阀v66及第五流体阀v67。由此，由于停止朝共通流路60供给过氧化氢水及盐酸，因此亦停止朝第二喷嘴12及基板w供给sc2。

接着，如上所述，开始朝基板w供给diw。为了开始朝基板w供给diw，在混合阀单元6中开启第二流体阀v64。由此，开始经由第二流体供给路径p64朝共通流路60供给diw(流路高纯度冲洗液供给步骤)。接着，维持开启第二处理液阀v62的状态，由此从共通流路60经由第二处理液供给路径p62对第二喷嘴12供给diw。结果，亦开始朝基板w供给diw。与diw冲洗处理(步骤s4)同样地，亦可通过开启排液阀v68而在对第二喷嘴12供给diw之前通过diw完全地置换残留于共通流路60的sc2。此时，共通流路60内的sc2不一定需要被diw完全地置换。供给diw的期间亦可为共通流路60内的sc2的一部分被diw置换的程度的期间。

图6e是碳酸水冲洗处理(图4的步骤s7)中的混合阀单元6的周边的示意图。在碳酸水冲洗处理(步骤s7)中，经由共通流路60对第二喷嘴12供给碳酸水。

在碳酸水冲洗处理(步骤s7)中，首先，如上所述停止朝基板w供给diw。为了停止朝基板w供给diw，在混合阀单元6中关闭第二处理液阀v64。由此，由于停止朝共通流路60供给diw，因此亦停止朝第二喷嘴12及基板w供给diw。

接着，如上所述，开始朝基板w供给碳酸水。此时，在混合阀单元6中开启第一流体阀v63。由此，开始经由第一流体供给路径p63朝共通流路60供给碳酸水(流路低纯度冲洗液供给步骤)。接着，开启第二处理液阀v62，由此从共通流路60经由第二处理液供给路径p62对第二喷嘴12供给碳酸水。结果，亦开始朝基板w供给碳酸水。

亦可通过开启排液阀v68而在对第二喷嘴12供给碳酸水之前以碳酸水置换残留于共通流路60的diw。

依据本实施方式，在药液供给步骤与低纯度冲洗液供给步骤之间执行高纯度冲洗步骤。因此，在药液供给步骤中供给至基板w上的药液(sc2)被杂质(有机物)的含有量比低纯度冲洗液(碳酸水)还少的高纯度冲洗液(diw)与在高纯度冲洗液之后供给至基板上的低纯度冲洗液(碳酸水)冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液冲洗药液的基板处理相比，降低基板处理所需的成本。

此外，在低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的高纯度冲洗液供给步骤中，基板w上的药液的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行低纯度冲洗液供给步骤之前，基板w上的药液(sc2)中的离子(成为盐析的原因的属于阴离子的氯化物离子)的浓度至少被高纯度冲洗液薄化。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在氯化物离子已经完全从基板w上排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

因此，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

此外，依据本实施方式，在药液供给步骤之前执行第二低纯度冲洗液供给步骤，并在药液供给步骤与第二低纯度冲洗液供给步骤之间执行第二高纯度冲洗液供给步骤。因此，在用以在药液供给步骤之前以冲洗液清洗基板w的上表面的基板处理中，基板w的上表面被杂质(有机物)的含有量比低纯度冲洗液(碳酸水)还少的高纯度冲洗液(diw)与在高纯度冲洗液之后供给至基板w上的低纯度冲洗液冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液清洗基板w的上表面的基板处理相比，降低基板处理所需的成本。

此外，在药液供给步骤之前所执行的第二高纯度冲洗液供给步骤中，基板w上的低纯度冲洗液(碳酸水)的一部分或全部被高纯度冲洗液置换。由此，在执行药液供给步骤之前，至少降低基板w上的冲洗液中的杂质(有机物)的量。因此，至少降低药液(sc2)所含有的离子(氯化物离子)与低纯度冲洗液(碳酸水)所含有的杂质之间的相互作用。此外，在杂质已经完全从基板w上排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止药液供给步骤中的析出物的形成。

因此，在用以在药液供给步骤之前以冲洗液清洗基板w的上表面的基板处理中，能抑制成本的增大且抑制或防止析出物的产生。

此外，依据本实施方式，在流路药液供给步骤与流路低纯度冲洗液供给步骤之间执行流路高纯度冲洗步骤。因此，在流路药液供给步骤中被供给至共通流路60的药液(sc2)被杂质(有机物)的含有量比低纯度冲洗液(碳酸水)还少的高纯度冲洗液(diw)与在高纯度冲洗液之后供给至共通流路60的低纯度冲洗液(碳酸水)冲洗。因此，与仅以高纯度冲洗液冲洗掉药液的送液方法相比，降低所需的成本。

此外，通过在流路低纯度冲洗液供给步骤之前所执行的流路高纯度冲洗液供给步骤，共通流路60内的药液(sc2)的一部分或全部被高纯度冲洗液(diw)置换。由此，在执行流路低纯度冲洗液供给步骤之前，基板w上的药液(sc2)中的离子(氯化物离子)的浓度至少被高纯度冲洗液(diw)薄化。因此，至少降低药液所含有的离子与低纯度冲洗液所含有的杂质(有机物)之间的相互作用。此外，在氯化物离子已经完全从共通流路60内排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止流路低纯度冲洗液供给步骤中的析出物的形成。

因此，能抑制成本的增大且抑制或防止药液与冲洗液的混合导致析出物的产生。

此外，依据本实施方式，在流路药液供给步骤之前执行第二流路低纯度冲洗液供给步骤，并在流路药液供给步骤与第二流路低纯度冲洗液供给步骤之间执行第二流路高纯度冲洗液供给步骤。因此，在用以在流路药液供给步骤之前以冲洗液清洗共通流路60的方法中，共通流路60被杂质(有机物)的含有量比低纯度冲洗液(碳酸水)还少的高纯度冲洗液(diw)与在高纯度冲洗液之后供给至基板w上的低纯度冲洗液清洗。因此，与仅以高纯度冲洗液清洗共通流路60的送液方法相比，降低所需的成本。

此外，在流路药液供给步骤之前所执行的第二流路高纯度冲洗液供给步骤中，共通流路60内的低纯度冲洗液(碳酸水)的一部分或全部被高纯度冲洗液(diw)置换。由此，在执行流路药液供给步骤之前，至少降低共通流路60的冲洗液中的杂质(有机物)的量。因此，至少降低药液(sc2)所含有的离子(氯化物离子)与低纯度冲洗液所含有的杂质之间的相互作用。此外，在杂质已经完全从共通流路60内排除的情形中，不会产生该相互作用。因此，抑制或防止流路药液供给步骤中的析出物的形成。

因此，在用以在流路药液供给步骤之前以冲洗液清洗共通流路60的方法中，能抑制成本的增大且抑制或防止药液与冲洗液混合导致析出物的产生。

本发明并未限定于以上所说明的实施方式，亦能进一步以其他的方式实施。

例如，在上述实施方式的基板处理中，虽然构成为从第一喷嘴11供给sc1且从第二喷嘴12供给sc2、diw以及碳酸水，但亦可构成为从任一个喷嘴11、12对基板w供给这些处理液。亦可构成为从与喷嘴11、12另外单独设置的喷嘴对基板w供给这些处理液。

在上述实施方式的基板处理中，碳酸水为低纯度冲洗液，diw为高纯度冲洗液。然而，亦可与上述实施方式的基板处理不同，将含有杂质的diw作为低纯度冲洗液来使用，将所含有的杂质的量比该diw还少的diw作为高纯度冲洗液来使用。

在此情形中，执行用以通过diw(低纯度冲洗液)置换基板w上的sc1的diw冲洗处理，以取代图4的碳酸水冲洗处理(步骤s3)。并且，执行用通过diw(低纯度冲洗液)置换基板w上的diw(高纯度冲洗液)的diw冲洗处理，以取代图4的碳酸水冲洗处理(步骤s7)。

此外，亦可与上述实施方式的基板处理不同，将含有杂质的碳酸水作为低纯度冲洗液来使用，将所含有的杂质的量比该碳酸水还少的碳酸水作为高纯度冲洗液来使用。

在此情形中，执行用以通过碳酸水(高纯度冲洗液)置换碳酸水(低纯度冲洗液)的碳酸水冲洗处理，以取代图4的diw冲洗处理(步骤s4)。并且，执行用以通过碳酸水(高纯度冲洗液)置换sc2(药液)的碳酸水冲洗处理，以取代图4的diw冲洗处理(步骤s6)。

此外，亦可与上述实施方式的基板处理不同，将含有杂质的diw作为低纯度冲洗液来使用，并将所含有的杂质的量比该diw还少的碳酸水作为高纯度冲洗液来使用。

在此情形中，执行用以通过diw(低纯度冲洗液)置换基板w上的sc1的diw冲洗处理以取代图4的碳酸水冲洗处理(步骤s3)。并且，执行用以通过碳酸水(高纯度冲洗液)置换diw(低纯度冲洗液)的碳酸水冲洗处理以取代图4的diw冲洗处理(步骤s4)。接着，执行用以通过碳酸水(高纯度冲洗液)置换sc2(药液)的碳酸水清洗理以取代图4的diw冲洗处理(步骤s6)。接着，执行用以通过diw(低纯度冲洗液)置换基板w上的碳酸水(高纯度冲洗液)的diw冲洗处理以取代图4的碳酸水冲洗处理(步骤s7)。

亦可与上述实施方式的基板处理不同，将与diw或碳酸水不同种类的冲洗液(上述实施方式所列举的冲洗液)作为低纯度冲洗液或高纯度冲洗液来使用。

在上述实施方式的基板处理(参照图4)中未执行sc1处理(步骤s2)的情形中，如图7所示，之后亦可不执行碳酸水冲洗处理(步骤s3)及diw冲洗处理(步骤s4)。亦即，亦可在基板搬入(步骤s1)后执行sc2处理(步骤s5)。在此情形中，在sc2处理(步骤s5)开始时停止朝基板w供给diw或碳酸水，且亦停止朝共通流路60供给diw或碳酸水。

如上所述，盐析亦会在药液为含有预定的阳离子的碱性的水溶液的情形中产生。在如上述实施方式的基板处理那样使用含有氨离子的sc1(碱性的水溶液)的情形中，如图8所示亦可在sc1处理(步骤s2)与碳酸水冲洗处理(步骤s3)之间执行diw冲洗处理(步骤s10)。

在diw冲洗处理(步骤s10)中，对基板w的上表面供给diw，由此通过diw置换基板w的上表面的sc1(高纯度冲洗液供给步骤)。此时，对共通流路60供给diw，由此通过diw置换共通流路60内的sc1(流路高纯度冲洗液供给步骤)。接着，在接续diw冲洗处理(步骤s10)的碳酸水冲洗处理(步骤s3)中，对基板w的上表面供给碳酸水，并通过碳酸水置换基板w的上表面的diw或diw以及sc1的混合液(低纯度冲洗液供给步骤)。此时，对共通流路60供给碳酸水，由此通过diw置换共通流路60内的diw或diw以及sc1的混合液(流路低纯度冲洗液供给步骤)。

亦可与上述实施方式的基板处理不同，使用sc2或sc1以外的药液作为含有离子的药液，该离子通过与冲洗液所含有的杂质相互作用而形成析出物。例如，亦可将含有硫酸离子的spm作为酸性的水溶液(药液)来使用。在此情形中，例如执行下述spm处理(药液供给步骤、酸性水溶液供给步骤)以取代sc2处理(步骤s5)：在一定时间的diw冲洗处理(步骤s4)后，将spm供给至基板w的上表面，由此通过spm处理基板w的上表面。在此情形中，需要设置硫酸供给源以取代盐酸供给源74。

虽然已详细地说明本发明的实施方式，但这些实施方式仅为用以明了本发明的技术性内容的具体例，本发明应不被局限地界定在这些具体例，本发明的范围仅被随附的权利要求书所界定。

本申请与在2016年12月19日在日本特许厅所提出的日本特愿2016-2425785号对应，并将日本特愿2016-2425785号的全部内容援用在本说明书中。

【附图标记的说明】

1：基板处理装置

3：控制器

11：第一喷嘴(喷嘴、药液供给单元、低纯度冲洗液供给单元、高纯度冲洗液供给单元)

12：第二喷嘴(喷嘴、药液供给单元、低纯度冲洗液供给单元、高纯度冲洗液供给单元)

60：共通流路

p61：第一处理液供给路径(药液供给单元、酸性水溶液供给单元、低纯度冲洗液供给单元、碳酸含有液供给单元、高纯度冲洗液供给单元)

p62：第二处理液供给路径(药液供给单元、酸性水溶液供给单元、低纯度冲洗液供给单元、碳酸含有液供给单元、高纯度冲洗液供给单元)

p63：第一流体供给路径(低纯度冲洗液供给单元、碳酸含有液供给单元)

p64：第二流体供给路径(高纯度冲洗液供给单元)

p65：第三流体供给路径(药液供给单元)

p66：第四流体供给路径(药液供给单元、酸性水溶液供给单元)

p67：第五流体供给路径(药液供给单元、酸性水溶液供给单元)

v61：第一处理液阀(药液供给单元、酸性水溶液供给单元、低纯度冲洗液供给单元、碳酸含有液供给单元、高纯度冲洗液供给单元)

v62：第二处理液阀(药液供给单元、酸性水溶液供给单元、低纯度冲洗液供给单元、碳酸含有液供给单元、高纯度冲洗液供给单元)

v63：第一流体阀(低纯度冲洗液供给单元、碳酸含有液供给单元、低纯度冲洗液阀)

v64：第二流体阀(高纯度冲洗液供给单元、高纯度冲洗液阀)

v65：第三流体阀(药液供给单元、药液阀)

v66：第四流体阀(药液供给单元、酸性水溶液供给单元、药液阀)

v67：第五流体阀(药液供给单元、酸性水溶液供给单元、药液阀)

w：基板