技术特征：
技术总结
提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
技术研发人员：山崎舜平;三宅博之;宍户英明;小山润;松林大介;村山佳右
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2013.07.24
技术公布日：2018.05.18