一种阵列基板及其制作方法、显示装置与流程

技术特征：

技术总结
本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在一次沉积工艺中形成非晶硅层和覆盖非晶硅层的绝缘层；对非晶硅层进行处理，以使非晶硅层变成多晶硅层。通过上述方式，本申请能够解决多晶硅表面氧化而影响其中载流子浓度的问题，提高了阵列基板的工作性能。

技术研发人员：喻蕾;李松杉
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2018.01.12
技术公布日：2018.07.17