技术特征：
技术总结
本发明公开一种运用硅通孔的低阻止区差分传输结构及其层间互连结构。本发明在兼顾屏蔽差分硅通孔优良电学传输性能的同时，显著改善了差分硅通孔传输结构的热力学特性。具体体现在利用硅通孔的差分传输结构制备过程中由于热应力不匹配造成的阻止布局区的减小，有利于在大规模阵列中晶体管集成度的提高。在三维集成电路的实际应用中，往往涉及多层结构间的差分信号传输。为提高传输效率，本发明公开一种层间结构的交叉互连方法。
技术研发人员：赵文生;傅楷;徐魁文;董林玺;王高峰
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2018.03.20
技术公布日：2018.09.14