技术总结
本发明公开了一种测量半导体鳍部粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一表面形成有半导体鳍部的衬底；步骤S02：将一金属电极放置在半导体鳍部的一侧；步骤S03：将半导体鳍部接地，并对金属电极施加一定电压；步骤S04：记录金属电极处于半导体鳍部侧壁不同位置时产生的电场力，以根据电场力的大小来测量半导体鳍部侧壁不同位置的粗糙度。本发明方法简单，成本低，可解决其他测量仪器无法有效测量半导体鳍部侧壁粗糙度的问题。
技术研发人员：曾绍海;左青云;李铭;黄仁东
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2018.03.21
技术公布日：2018.09.18