本发明涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种多次图形化的方法。
背景技术：
随着半导体技术的发展，硅半导体器件经历了平面MOS器件向三维MOS器件(FinFET)的发展转变，硅鳍(Fin)的特征尺寸在不断减小。在14nm这一代技术，硅鳍层图形的节距只有48nm，而未来7nm工艺代，硅鳍层的节距还将进一步缩小，而最先进的193i光刻机，加工这么小的节距的图形都无能为力。
现有的FinFET工艺采用一种自对准二次图形化(self-align double patterning，SADP)的方法制作硅鳍层的图形，现有技术中的方法还不能有效地控制最终形成的侧墙之间的距离、而且最终形成的图形线宽一致，没有形成两种线宽图形的可能。所以急需一种不同于现有技术且能有效控制侧墙之间距离与形成两种不同线宽的更加灵活的图形化制作方法。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题为提供一种多次图形化的方法，以一次光刻与多次侧墙工艺的组合，结合平坦化技术制作出超小节距图形。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种多次图形化的方法，包括如下步骤：
S01：在衬底上沉积STI薄膜层堆垛，其中STI薄膜层堆垛的最上方为无定型硅层，图形化无定型硅层形成硅中心线图形；
S02：在硅中心线图形以及上述衬底表面沉积氧化物层，并刻蚀氧化物层，形成位于硅中心线图形两侧的氧化物侧墙；
S03：在硅中心线图形、氧化物侧墙以及上述衬底表面沉积第一图形层，并刻蚀第一图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第一图形；
S04：在上述衬底表面沉积平坦化材料层，并刻蚀露出硅中心线图形；
S05：去除硅中心线图形，在氧化物侧墙、第一图形、平坦化材料层以及上述衬底表面沉积第二图形层，并刻蚀第二图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第二图形；
S06：依次去除平坦化材料层和氧化物侧墙，形成第一图形和第二图形交替的多次图形化图形。
进一步地，所述步骤S01中STI薄膜层堆垛从下往上依次为垫氧化层、氮化硅层、无定型硅层、氮氧化硅层和无定形硅层。
进一步地，所述步骤S03中刻蚀去除位于氮氧化硅表面、氧化物侧墙上表面和硅中心线图形上表面的第一图形层。
进一步地，所述步骤S05中刻蚀去除位于氮氧化硅表面、氧化物侧墙上表面、第一图形上表面和平坦化材料层上表面的第二图形层。
进一步地，所述氧化物层、第一图形层和第二图像层可以采用原子沉积法沉积氧化物层。
进一步地，所述第一图形层和第二图形层材质相同。
进一步地，所述第一图形层和第二图形层均为氮化硅。
进一步地，所述步骤S06中通过抛光工艺或者回刻工艺去除平坦化材料层。
进一步地，所述步骤S06之后，通过刻蚀STI堆垛薄膜，可以形成位于衬底上的硅鳍结构。
本发明的有益效果为：本发明提出一种多次图形化的方法，在现有方法的基础上，通过以掩模侧墙做中心，可形成自对准四次图形化工艺。该方法形成的图形自身以及与周围图形的关系不仅受光刻工艺影响，还与历次侧墙工艺相关。本发明可以以一次光刻与多次侧墙工艺的组合，结合平坦化技术实现衬底中超小节距图形的制作，其工艺参数比现有的自对准双重图形化工艺更加灵活可变，可以通过控制硅中心线线宽、沉积氧化层、两次氮化硅层的厚度来决定第一图形之间的距离、第一图形和第二图形之间的距离以及第一图形线宽和第二图形线宽，制作出超小节距图形。
附图说明
图1为本发明一种多次图形化的方法的流程图。
图2-14为本发明一种多次图形化的方法的剖面示意图。
其中，101衬底，201垫氧化层，301氮化硅层，401无定型硅层，308氮氧化硅层，601无定形硅图形，602平坦化材料层，603经过平坦化之后的平坦化材料层，701氧化物层，702氧化物侧墙，801第一图形层，802第一图形，901第二图形层，902第二图形。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的详细说明。
如附图1所示，为本发明的流程图。本发明提供的一种多次图形化的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01：在衬底上沉积STI薄膜层堆垛，其中STI薄膜层堆垛的最上方为无定型硅层，图形化无定型硅层形成中心线图形。
其中，如图2所示，衬底可以为硅片，在形成硅中心先图形601之前，在衬底101表面上依次生长垫氧化层201、氮化硅层301、无定型硅层401、氮氧化硅层308和无定形硅层601，并且生长方法采用现有技术中的常规生长法。之后在通过图形化工艺形成无定形硅中心线图形。本步骤中硅中心线图形之间的距离决定了后续工艺中第二图形之间的距离，因此，该距离可以根据工艺需求进行调节。
S02：在硅中心线图形以及衬底表面沉积氧化物层，并刻蚀氧化物层，形成位于硅中心线图形两侧的氧化物侧墙。
如图3所示，在硅中心线图形601上采用原子沉积法沉积一层氧化物层701，该氧化物层可以为氧化硅等，同时，该氧化物层的厚度决定了后续第一图形和第二图形之间的距离。因为原子沉积法为全局均匀沉积，因此，位于硅中心线图形601上表面、侧面以及氮氧化硅层308上表面的氧化物层的厚度均相同。沉积之后刻蚀去除氮氧化硅308表面、硅中心线图形601上表面的氧化物层701，并且刻蚀位于硅中心线图形侧壁上的氧化物层，如图4所示，形成氧化物侧墙702。此时，氮氧化硅308上表面上为硅中心线图形601以及位于硅中心线图形601两侧的氧化物侧墙702。值得说明的是，附图3中形成的氧化物侧墙与硅中心线图形601等高，本发明中氧化物侧墙的高度可以根据工艺需求自由设定，可以比硅中心线图形高也可以比硅中心线图形低，在此不做详细说明；同样的道理，后文提到的第一图形和第二图形的高度也可以根据实际工艺进行调节。
S03：在硅中心线图形、氧化物侧墙以及衬底表面沉积第一图形层，并刻蚀第一图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第一图形。
如附图5所示，之前的硅中心线图形601两侧形成氧化物侧墙702，在硅中心线图形601以及氧化物侧墙702以及氮氧化硅层308上沉积第一图形层801，本步骤中可以采用原子沉积法进行沉积，确保氮氧化硅308表面上、氧化物侧墙702上表面和硅中心线图形601上表面以及位于氧化物侧墙702两侧的第一图形层801的厚度相同。沉积之后刻蚀去除氮氧化硅308表面、氧化物侧墙上表面和硅中心线图形601上表面的第一图形层，并且刻蚀位于氧化物侧墙侧壁上的第一图形层，如图6所示，形成第一图形802。此时，氮氧化硅308上为硅中心线图形601、位于硅中心线图形601两侧的氧化物侧墙702以及位于氧化物侧墙702两侧的第一图形802。
S04：在上述衬底表面沉积平坦化材料层，并刻蚀露出硅中心线图形。
如附图7和附图8所示，在上述硅中心线图形601、氧化物侧墙702和第一图形802以及氮氧化硅308上表面沉积或涂布一层平坦化材料层602，可以为SOC平坦化材料，并通过化学机械抛光工艺或者回刻蚀工艺去除上层平坦化材料层，露出硅中心线图形。
S05：去除硅中心线图形，在氧化物侧墙、第一图形、平坦化材料层以及衬底表面沉积第二图形层，并刻蚀第二图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第二图形。
如附图9所示，先去除硅中心线图形601，去除方法可以是硅刻蚀剂湿法去除。在氧化物侧墙702、第一图形802、平坦化材料层602以及氮氧化硅308表面沉积第二图形层901，如图10所示。本步骤中可以采用原子沉积法进行沉积。沉积之后刻蚀去除氮氧化硅308表面、氧化物侧墙702上表面、第一图形802上表面和平坦化材料层602上表面的第二图形层901，并且刻蚀位于第一图形802侧壁上的第二图形层901，如图11所示，形成第二图形902。
S06：依次去除平坦化材料层和氧化物侧墙，形成第一图形和第二图形交替的多次图形化图形。
如附图12、13所示，依次去除平坦化材料层602和氧化物侧墙702，形成第一图形802和第二图形902交替的多次图形化图形。本发明后期可以刻蚀硅片下层多层薄膜，如图14所示，并最终形成硅鳍结构。
值得说明的是，本发明中硅中心线图形用于隔开第一图像之间的距离，因此，在实际工艺中，可以通过调节步骤S01中硅中心线图形的位置以及彼此之间的距离，来控制最终形成的第一图形之间的间距。本发明中氧化物侧墙用来隔开第一图形与第二图形之间的距离，因此，在实际工艺中，可以通过调节步骤S02中氧化物层的厚度来控制氧化物侧墙在水平方向上的宽度，从而来控制第一图形和第二图形之间的距离。
同时，第一图形的宽度等尺寸决定于第一图形层的沉积厚度，因此，在实际工艺中，我们可以通过控制步骤S03中第一图形层的沉积工艺来控制第一图形的厚度、宽度以及高度等尺寸。同样地，第二图形的宽度等尺寸决定于第二图形层的沉积厚度，因此，在实际工艺中，我们可以通过控制步骤S05中第二图形层的沉积工艺来控制第二图形的厚度、宽度以及高度等尺寸。
本发明中第一图形和第二图形的材质可以根据最终工艺需求来确定，若需要在衬底上形成间距较小的相同的图形，则本发明中第一图形和第二图形采用相同的材质，比如氮化硅，可以在衬底上形成间距较小的氮化硅图形，若需要在衬底上形成间距较小的不同材质图形，可以使得第一图形和第二图形材质不同，选用相应的材料即可在沉积上形成间距较小的不同图形。
本发明提出一种多次图形化的方法，可以以一次光刻与多次侧墙工艺的组合，结合平坦化技术实现衬底中超小节距图形的制作，其工艺参数比现有的自对准双重图形化工艺更加灵活可变，可以通过沉积氧化层、平坦化材料层的厚度来决定第一图形和第二图形之间的距离，制作出超小节距图形。
以上所述仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用于限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明所附权利要求的保护范围内。