技术总结
本发明公开了一种多次图形化的方法，包括如下步骤：S01：在衬底上形成硅中心线图形；S02：在上述衬底表面沉积氧化物层，并刻蚀氧化物层，形成位于硅中心线图形两侧的氧化物侧墙；S03：在上述衬底表面沉积第一图形层，并刻蚀第一图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第一图形；S04：在上述衬底表面沉积平坦化材料层，并刻蚀露出硅中心线图形；S05：去除硅中心线图形，在上述衬底表面沉积第二图形层，并刻蚀第二图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第二图形；S06：依次去除平坦化材料层和氧化物侧墙，形成第一图形和第二图形交替的多次图形化图形。本发明提供的一种多次图形化的方法，以一次光刻与多次侧墙工艺的组合，结合平坦化技术制作出超小节距图形。
技术研发人员：王全;范春晖;奚鹏程
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2018.09.18