1.一种多次图形化的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01：在衬底上沉积STI薄膜层堆垛，其中STI薄膜层堆垛的最上方为无定型硅层，图形化无定型硅层形成硅中心线图形；
S02：在硅中心线图形以及上述衬底表面沉积氧化物层，并刻蚀氧化物层，形成位于硅中心线图形两侧的氧化物侧墙；
S03：在硅中心线图形、氧化物侧墙以及上述衬底表面沉积第一图形层，并刻蚀第一图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第一图形；
S04：在上述衬底表面沉积平坦化材料层，并刻蚀露出硅中心线图形；
S05：去除硅中心线图形，在氧化物侧墙、第一图形、平坦化材料层以及上述衬底表面沉积第二图形层，并刻蚀第二图形层，形成位于氧化物侧墙两侧的第二图形；
S06：依次去除平坦化材料层和氧化物侧墙，形成第一图形和第二图形交替的多次图形化图形。
2.根据权利要求1所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述步骤S01中STI薄膜层堆垛从下往上依次为垫氧化层、氮化硅层、无定型硅层、氮氧化硅层和无定形硅层。
3.根据权利要求2所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述步骤S03中刻蚀去除位于氮氧化硅表面、氧化物侧墙上表面和硅中心线图形上表面的第一图形层。
4.根据权利要求2所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述步骤S05中刻蚀去除位于氮氧化硅表面、氧化物侧墙上表面、第一图形上表面和平坦化材料层上表面的第二图形层。
5.根据权利要求1所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述氧化物层、第一图形层和第二图像层采用原子沉积法沉积氧化物层。
6.根据权利要求1所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述第一图形层和第二图形层材质相同。
7.根据权利要求6所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述第一图形层和第二图形层均为氮化硅。
8.根据权利要求1所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述步骤S06中通过抛光工艺或者回刻工艺去除平坦化材料层。
9.根据权利要求1所述的一种多次图形化的方法，其特征在于，所述步骤S06之后，通过刻蚀STI薄膜层堆垛，形成位于衬底上的硅鳍结构。