技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有HKMG的PMOS，HKMG包括栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间具有第一功函数层和第二功函数层，第一功函数层为PMOS的功函数层；第二功函数层为NMOS的功函数层，在第一功函数层和第二功函数层之间具有第一阻障层，第一功函数层、第一阻障层和第二功函数层形成叠加的结构，第一阻障层用于防止第二功函数层和金属栅的材料对第一功函数层的影响，使PMOS的性能稳定。本发明能防止金属栅的金属材料穿透到底部的PMOS管的功函数层中，从而能提高PMOS的稳定性；不需要额外增加光罩，不会增加工艺的复杂性，工艺成本低；不会影响到NMOS的特性。
技术研发人员：王世铭;黄志森;许佑铨
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.04.13
技术公布日：2018.08.17