技术特征：
技术总结
一种氧化物绝缘体薄膜，成分为MxAlyZrzOδ，M为元素Sc或Y，0.01≤x≤0.5，0.3≤z＜0.99，x+y+z＝1，0<δ≤2，厚度为2～1000nm，采用真空法或溶液法制备，用作薄膜晶体管的绝缘层。一种薄膜晶体管设置有栅极、沟道层、位于栅极和沟道层之间的绝缘层、分别连接在沟道层两端的源极和漏极，绝缘层采用上述的氧化物绝缘体薄膜。该氧化物薄膜具有较大的禁带宽度、对空气中的水、氧气和二氧化碳气体不敏感，表面粗糙度小，且与氧化物半导体接触界面的界面载流子陷阱密度低，故绝缘层采用该氧化物绝缘体薄膜的薄膜晶体管载流子迁移率高、电学性能稳定。
技术研发人员：兰林锋;李育智;彭俊彪
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2018.04.20
技术公布日：2018.08.17