技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。包括衬底、缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层、高温P型层和P型接触层，电子阻挡层为包括N个周期的AlxGa1‑xN/AlN/GaN/InyGa1‑yN超晶格结构，N为大于等于2的正整数，电子阻挡层的厚度为10～25nm。与现有的厚度大于50nm的电子阻挡层相比，本发明提供的电子阻挡层的厚度大大减小，进而减少了材料间的极化和应力作用，降低了电子阻挡层在价带异质结界面产生的价带带阶，使得空穴能够更好的注入有源层，则空穴的浓度增加，更多的空穴可以在有源层中与电子复合发光，提高了LED的发光效率。
技术研发人员：魏晓骏;郭炳磊;李鹏;胡加辉
受保护的技术使用者：华灿光电（苏州）有限公司
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2018.11.16