1.一种阻挡层沉积方法，用于在底材上形成阻挡层组，其特征在于，所述阻挡层沉积方法包括在底材上形成阻挡层组的步骤，该步骤包括：
沿远离所述底材的方向依次沉积至少三层叠置的阻挡层来形成所述阻挡层组；其中，沉积最上层的所述阻挡层和沉积最下层的所述阻挡层时所采用的工艺气压低于沉积其余阻挡层时所采用的工艺气压，以提高最上层的所述阻挡层和最下层的所述阻挡层的致密性。
2.根据权利要求1所述的阻挡层沉积方法，其特征在于，通过调节沉积各个所述阻挡层时所采用的工艺气压，和/或通过调节各个所述阻挡层的沉积厚度，来调节所述阻挡层组的整体应力。
3.根据权利要求1所述的阻挡层沉积方法，其特征在于，沉积最上层的所述阻挡层和沉积最下层的所述阻挡层时所采用的工艺气压均小于3mtorr。
4.根据权利要求1所述的阻挡层沉积方法，其特征在于，沉积所述其余阻挡层时所采用的工艺气压均大于10mtorr。
5.根据权利要求1所述的阻挡层沉积方法，其特征在于，在底材上依次沉积第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；
通过降低沉积所述第一阻挡层和第三阻挡层时采用的工艺气压，而使所述阻挡层组的整体应力趋近于负值；或者，通过提高沉积所述第二阻挡层时采用的工艺气压，而使所述阻挡层组的整体应力趋近于正值。
6.根据权利要求1所述的阻挡层沉积方法，其特征在于，在底材上依次沉积第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层；
通过减小所述第二阻挡层的沉积厚度，同时增大所述第一阻挡层和所述第三阻挡层的沉积厚度，来使所述阻挡层组的整体应力趋近于负值；或者，通过增大所述第二阻挡层的沉积厚度，同时减小所述第一阻挡层和所述第三阻挡层的沉积厚度，来使所述阻挡层组的整体应力趋近于正值。
7.根据权利要求5或6所述的阻挡层沉积方法，其特征在于，在沉积所述第一阻挡层之后，且在沉积所述第二阻挡层之前进行以下步骤：
调节通入工艺腔室内的工艺气体，以使所述工艺腔室内的压力保持在沉积所述第二阻挡层时采用的工艺气压；
以及，在沉积所述第二阻挡层之后，且在沉积所述第三阻挡层之前进行以下步骤：
调节通入工艺腔室内的工艺气体，以使所述工艺腔室内的压力保持在沉积所述第三阻挡层时采用的工艺气压。
8.根据权利要求7所述的阻挡层沉积方法，其特征在于，所述工艺气体的流量为20～40sccm。
9.一种金凸块的底层金属薄膜的制备方法，其特征在于，包括采用权利要求1至8中任一项所述的阻挡层沉积方法在底材上沉积阻挡层组；所述阻挡层为tiw；
在最上层的所述阻挡层上沉积籽晶层；所述籽晶层为au。
10.一种金凸块的底层金属薄膜，其特征在于，采用权利要求9所述的制备方法制成。