技术特征：
技术总结
本发明提供RAMO4基板及氮化物半导体装置，该RAMO4基板及氮化物半导体装置具有适当的偏离角及偏离方向，能够使III族氮化物半导体台阶流动生长。为了实现上述目的，设为由通式RAMO4所表示的单晶体构成的RAMO4基板，通式中，R表示从Sc、In、Y、及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga、及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、及Cd中选择的一个或多个二价元素。RAMO4基板的主表面具有从C面相对于M轴方向倾斜θa°的偏离角a，并满足0.05°≤|θa|≤0.8°。
技术研发人员：上田章雄
受保护的技术使用者：松下电器产业株式会社
技术研发日：2018.05.16
技术公布日：2018.12.07