1.一种太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，包括：
提供基材层，所述基材层具有相对设置的第一表面和第二表面；
将第一涂层涂覆于所述第一表面上，其中，所述第一涂层为粘结涂层；
将第三涂层涂覆于所述第二表面上，所述第三涂层为涂胶涂层；
在所述第一涂层的远离所述第一表面上形成阻隔层；
将所述封装层涂覆于所述阻隔层远离所述第一涂层的一层上；
将第二涂层涂覆于所述封装层的远离所述阻隔层的一层上，其中所述第二涂层为耐磨涂层；所述第三涂层和所述封装层均为硅胶层，所述硅胶层的厚度为50-100μm。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，所述将第一涂层涂覆于所述第一表面上，包括：
提供第一涂层混合溶液，所述第一涂层为粘结涂层；
以涂布的方式将所述第一涂层混合溶液涂覆于所述第一表面上，形成第一涂层湿膜；
在第一指定温度下干燥形成第一涂层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，在第一指定温度下干燥形成第一涂层，包括：
在50℃-100℃下干燥形成第一涂层。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，所述将第三涂层涂覆于所述第二表面上，包括：
提供第三涂层混合溶液，所述第三涂层为涂胶涂层；
以涂布的方式将所述第三涂层混合溶液涂覆于所述第二表面上，形成第三涂层湿膜；
在第二指定温度下干燥形成第三涂层。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，在第二指定温度下干燥形成第三涂层，包括：
在50℃-120℃下干燥形成第二涂层。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，将所述封装层涂覆于所述阻隔层远离所述第一涂层的一层上，包括：
提供硅胶混合溶液，其中，所述硅胶混合溶液包括液态硅胶、抗老化剂和固化剂；
以涂布的方式将所述硅胶混合溶液涂覆于所述阻隔层远离所述第一涂层的一层上，形成封装层湿膜；
在第三指定温度下干燥形成封装层。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，在第三指定温度下干燥形成封装层，包括：
在50℃-120℃下干燥形成封装层。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，所述将第二涂层涂覆于所述封装层的远离所述阻隔层的一层上，包括：
提供第二涂层混合溶液，所述第二涂层为耐磨涂层；
以涂布的方式将所述第二涂层混合溶液涂覆于所述封装层的远离所述阻隔层的一层上，形成第二涂层湿膜；
在第四指定温度下干燥形成第二涂层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，在第四指定温度下干燥形成第二涂层，包括：
在50-100℃下干燥形成第二涂层。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，
所述将第一涂层涂覆于所述第一表面上，包括：
将第一涂层通过狭缝涂、辊涂、喷涂、刮涂或旋涂工艺涂覆于所述第一表面上；
所述将第三涂层涂覆于所述第二表面上，包括：
将第三涂层通过狭缝涂、辊涂、喷涂、刮涂或旋涂工艺涂覆于所述第二表面上；
所述封装层涂覆于所述阻隔层远离所述第一涂层的一层上，包括：
将封装层通过狭缝涂、辊涂、喷涂、刮涂或旋涂工艺涂覆于所述阻隔层远离所述第一涂层的一层上；
所述第二涂层涂覆于所述封装层的远离所述阻隔层的一层上，包括：
将所述第二涂层通过狭缝涂、辊涂、喷涂、刮涂或旋涂工艺涂覆于所述封装层的远离所述阻隔层的一层上。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池封装板的制备工艺，其特征在于，在所述第一涂层的远离所述第一表面上形成阻隔层，包括：
通过镀膜工艺在所述第一涂层的远离所述第一表面上形成阻隔层。
12.一种太阳能电池封装板，其特征在于，包括：
基材层，所述基材层具有相对设置的第一表面和第二表面；
第一涂层，所述第一涂层设置在所述第一表面上，所述第一涂层为粘结涂层；
阻隔层，所述阻隔层设置在第一涂层上且远离所述基材层上，所述阻隔层为水汽阻隔层；
封装层，所述封装层设置在所述阻隔层上且远离所述第一涂层设置；
第二涂层，所述第二涂层设置在所述封装层上且远离所述阻隔层设置，所述第二涂层为耐磨涂层；
第三涂层，所述第三涂层设置在所述第二表面上，所述第三涂层为涂胶涂层；所述第三涂层和所述封装层均为硅胶层，所述硅胶层的厚度为50-100μm。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述基材层为PET薄膜、PEN薄膜或PBT薄膜，所述基材层的厚度为100-200μm。
14.根据权利要求12所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述基材层的透光率大于或等于90％。
15.根据权利要求12所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述第一涂层包括聚酯、聚氨酯或丙烯酸中的一种或几种，所述第一涂层的厚度为1-15μm。
16.根据权利要求12所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述阻隔层的材料包括Ti、Ni、Cr、NiCr、TiN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4中的至少一种，所述阻隔层的厚度为1-30μm。
17.根据权利要求12所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述第二涂层为亚光薄膜，所述第二涂层的厚度为25-50μm，所述第二涂层的透光率大于或等于93％。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述第二涂层为PVF薄膜、PVDF薄膜、ETFE薄膜或ECTFE薄膜。
19.根据权利要求12所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述第一涂层通过涂布工艺形成在所述基材层上；
所述第三涂层通过涂布工艺形成在所述基材层上；
所述封装层通过涂布工艺形成在阻隔层上；
所述第二涂层通过涂布工艺形成在所述封装层上。
20.根据权利要求12所述的太阳能电池封装板，其特征在于，所述阻隔层通过镀膜工艺固定在所述第一涂层上。
21.一种太阳能电池，其特征在于，包括太阳能电池芯片和权利要求12至20任一项所述的太阳能电池封装板，所述太阳能电池封装板为可热压的复合膜材；
其中，所述太阳能电池封装板的第三涂层靠近所述太阳能电池芯片设置。
22.一种太阳能电池的封装工艺，用于权利要求21所述的太阳能电池的封装，其特征在于，包括：
将太阳能电池封装板具有第三涂层的一侧贴附在所述太阳能电池的太阳能电池芯片上；
在第一预设温度下层压第一预设时间，将所述太阳能电池封装板封装在所述太阳能电池芯片上。
23.根据权利要求22所述的太阳能电池的封装工艺，其特征在于，所述第一预设温度为50℃-120℃，所述第一预设时间为1min-5min。