技术特征：
技术总结
半导体装置中的肖特基位障的控制方法包括：形成合金层于半导体基板的第一表面上，且合金层至少包括第一元素与第二元素。半导体基板为第一元素为主的半导体基板，且第一元素与第二元素为IV族元素。对合金层与第一元素为主的半导体基板进行第一热退火。第一热退火使合金层中的第二元素朝合金层的表面迁移。在第一热退火之后，形成肖特基接点层于合金层上。
技术研发人员：郑鸿祥;潘正圣
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司;郑鸿祥
技术研发日：2018.06.29
技术公布日：2019.01.15