一体化纳米碳管散热片及生产方法与流程

本发明涉及化纳米碳散热片技术领域，尤其涉及一体化纳米碳管散热片及生产方法。

背景技术

多个散热单元，须多个散热处理；芯片小型化，单个散热单元很难做到单个固定，特别是双频、三频、多频路由器，多个pa(2-12个,每个1-2w功率)，单个散热单元做单个固定基本不可能。一体化散热片能很好的解决散热问题及固定难的问题，可以为产品的小型化、节省有限能源有很好帮助，而且传统的散热片进行生产时，操作繁琐，也不是一体成型进行生产，生产效率低，为此，我们提出了一体化纳米碳管散热片。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一体化纳米碳管散热片及生产方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一体化纳米碳管散热片，包括散热片本体，所述散热片本体是由第一分布片、第二分布片和第三分布片组成，所述第一分布片、第二分布片和第三分布片之间平行设置，所述第一分布片、第二分布片和第三分布片之间一体成型，所述第一分布片的一侧侧壁设置有第一芯片槽，所述第一芯片槽的一侧设置有开设在第一分布片侧壁的圆形结构的第一通孔，所述第二分布片的一侧侧壁沿其长度方向开设有多个圆形结构的第二通孔，所述第二分布片的一侧侧壁开设有一个长条形结构的第三通孔，所述第三分布片的一侧侧壁开设有第二芯片槽、第三芯片槽、第四芯片槽以及第五芯片槽。

优选的，所述第一芯片槽、第二芯片槽、第三芯片槽、第三芯片槽和第五芯片槽均为矩形结构设置，且第一分布片和第三分布片的一侧侧壁均设置有多个螺栓。

优选的，所述第一芯片槽和第二芯片槽所对应的芯片功率为3-4w。

优选的，所述第三芯片槽对应的芯片功率为2-3w，芯片尺寸为7*7，所述第四芯片槽对应的芯片功率为2-3w，芯片尺寸为9*9。

优选的，所述第五芯片槽对应的芯片功率为1-2w，且芯片尺寸为4*4。

优选的，所述第一分布片、第二分布片和第三分布片的侧壁均连接有纳米碳管。

一体化纳米碳管散热片的生产方法，包括以下步骤：

s1：先根据主板表面的芯片数量及高度调节凸台的数量及高度，使凸台的数量及高度与主板表面的芯片数量及高度一致。

s2：然后将待冲压的板料放在多个凸台表面，利用气缸作为动力源推动冲压板进行冲压，冲压板对凸台表面的板料进行快速冲压成型，从而达到一次性冲压多个凸台表面。

s3：通过一次性冲压多个凸台表面，对板料进行一体成型，形成待细处理的板料。

s4：冲压完成后，对板料的边缘进行压平处理，最大程度上增大散热效果。

s5：通过在压平处理后的板料侧壁连接纳米碳管，提高散热效率，辐射率到0.92-0.95。

s6：通过对板料的边缘及侧壁进行凸起、杂质进行处理，最后形成散热片。

s1：先根据主板表面的芯片数量及高度调节凸台的数量及高度，使凸台的数量及高度与主板表面的芯片数量及高度一致。

s2：然后将待冲压的板料放在多个凸台表面，利用气缸作为动力源推动冲压板进行冲压，冲压板对凸台表面的板料进行快速冲压成型，从而达到一次性冲压多个凸台表面。

s3：通过一次性冲压多个凸台表面，对板料进行一体成型，形成待细处理的板料。

s4：冲压完成后，对板料的边缘进行压平处理，最大程度上增大散热效果。

s5：通过在压平处理后的板料侧壁连接纳米碳管，提高散热效率，辐射率到0.92-0.95。

s6：通过对板料的边缘及侧壁进行凸起、杂质进行处理，最后形成散热片。

本发明有益效果是：

通过第一分布片、第二分布片、第三分布片的设置，能够全面覆盖主板的芯片位置，进行全面散热，通过第一芯片槽、第二芯片槽、第三芯片槽、第四芯片槽、第五芯片槽的设置，能够对每个芯片进行单个固定散热，通过设置的第一通孔、第二通孔、第三通孔，能够与主板表面进行一一对应并散热，通过螺栓的设置，能够对散热片本体进行整体固定，通过散热片的生产方法，能够进行一体成型式生产，提高了生产效率，提高了散热片的散热效果。

附图说明

图1为本发明提出的一体化纳米碳管散热片的结构示意图。

图中：1散热片本体、101第一分布片、102第二分布片、103第三分布片、2第一芯片槽、3第一通孔、4第二通孔、5第三通孔、6第二芯片槽、7第三芯片槽、8第四芯片槽、9第五芯片槽、10螺栓。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例：

参照图1，一体化纳米碳管散热片及生产方法，包括散热片本体1，散热片本体1是由第一分布片101、第二分布片102和第三分布片103组成，第一分布片101、第二分布片102和第三分布片103之间平行设置，第一分布片101、第二分布片102和第三分布片103之间一体成型，第一分布片101的一侧侧壁设置有第一芯片槽2，第一芯片槽2的一侧设置有开设在第一分布片101侧壁的圆形结构的第一通孔3，第二分布片102的一侧侧壁沿其长度方向开设有多个圆形结构的第二通孔4，第二分布片102的一侧侧壁开设有一个长条形结构的第三通孔5，第三分布片103的一侧侧壁开设有第二芯片槽6、第三芯片槽7、第四芯片槽8以及第五芯片槽9。

第一芯片槽2、第二芯片槽6、第三芯片槽7、第三芯片槽8和第五芯片槽9均为矩形结构设置，且第一分布片101和第三分布片103的一侧侧壁均设置有多个螺栓10，第一芯片槽2和第二芯片槽6所对应的芯片功率为3-4w，第三芯片槽7对应的芯片功率为2-3w，芯片尺寸为7*7，第四芯片槽8对应的芯片功率为2-3w，芯片尺寸为9*9，第五芯片槽9对应的芯片功率为1-2w，且芯片尺寸为4*4，第一分布片101、第二分布片102和第三分布片103的侧壁均连接有纳米碳管。

一体化纳米碳管散热片的生产方法，包括以下步骤：

s1：先根据主板表面的芯片数量及高度调节凸台的数量及高度，使凸台的数量及高度与主板表面的芯片数量及高度一致。

s2：然后将待冲压的板料放在多个凸台表面，利用气缸作为动力源推动冲压板进行冲压，冲压板对凸台表面的板料进行快速冲压成型，从而达到一次性冲压多个凸台表面。

s3：通过一次性冲压多个凸台表面，对板料进行一体成型，形成待细处理的板料。

s4：冲压完成后，对板料的边缘进行压平处理，最大程度上增大散热效果。

s5：通过在压平处理后的板料侧壁连接纳米碳管，提高散热效率，辐射率到0.92-0.95。

s6：通过对板料的边缘及侧壁进行凸起、杂质进行处理，最后形成散热片。

芯片的尺寸单位均为厘米。

移动散热片本体1，散热片本体1带动第一芯片槽2、第二芯片槽6、第三芯片槽7、第四芯片槽8、第五芯片槽9进行移动，缓缓将散热片本体1靠近主板，使第一芯片槽2、第二芯片槽6、第三芯片槽7、第四芯片槽8、第五芯片槽9与主板表面的芯片进行一一对应，然后缓缓按下散热片本体1，使散热片本体1与主板贴合，最后拧紧散热片本体1表面设置的螺栓10，对其进行固定，通过每个单独的芯片槽对单个芯片进行固定散热，提高了散热效果。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。