技术特征：
技术总结
一种用于形成电阻的半导体结构和电阻的形成方法。所述用于形成电阻的半导体结构包括位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。所述用于形成电阻的半导体结构能够提高所形成的电阻的尺寸精度。
技术研发人员：郑玉宁;方绍明
受保护的技术使用者：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
技术研发日：2018.08.01
技术公布日：2018.12.11