技术特征：
技术总结
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底并将衬底放置在反应腔中；在衬底上依次生长N型半导体层和有源层；在有源层上间断性生长电子阻挡层；其中，间断性生长包括依次出现的多个生长周期，每个生长周期包括生长阶段和在生长阶段之后出现的处理阶段；生长阶段时持续向反应腔内通入生长电子阻挡层的全部反应物，生长电子阻挡层；处理阶段时停止向反应腔内通入生长电子阻挡层的部分或者全部反应物，并持续向反应腔内通入氢气，去除电子阻挡层的表面残留的反应物；在电子阻挡层上生长P型半导体层。本发明使电子阻挡层和P型半导体层的交界面清晰，提升外延片整体的晶体质量。
技术研发人员：葛永晖;郭炳磊;王群;吕蒙普;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2018.08.22
技术公布日：2019.01.25