一种碳化硅沟槽MOS器件的制作方法

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅沟槽mos器件。

背景技术：

碳化硅作为第三代半导体材料，具有宽禁带、高饱和漂移速度以及高热导率的特性，适合制造高压大功率半导体器件。碳化硅沟槽mos器件相比于传统平面型mos器件，具有更大的沟道密度从而具有更低的导通电阻。然而，碳化硅沟槽mos器件存在栅氧化层电场过高以及饱和电流过大的问题。有研究者分别针对这两个问题进行研究：通过p埋层来屏蔽栅氧化层降低其电场，这样做会引入jfet区电阻；通过进一步增大该jfet区电阻，来加速jfet区的夹断，实现饱和电流的降低。

技术实现要素：

本发明的目的，就是针对上述问题，提出一种兼具高击穿电压、低导通电阻和低饱和电流的碳化硅沟槽mos器件。

本发明技术方案如下：

一种碳化硅沟槽mos器件，包括n+衬底层1以及位于n+衬底层1上表面的n型外延层2；所述n+衬底层1的底部引出漏极电极；在n型外延层2上层嵌入设置有槽栅结构；

在n型外延层2上层与槽栅结构并列的区域，沿器件垂直方向自下而上依次具有p型埋层3、jfet区4、p型阱区5以及n+源区6；

将器件横向剖面图定义为直角坐标平面，即器件横向方向为x轴，器件垂直方向为y轴，定义器件纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向，即z轴，x轴、y轴和z轴构成三维坐标系；

沿z轴方向的中部，具有p+体接触区7，且p+体接触区7沿y轴方向依次贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，p+体接触区7的底部与p型埋层3相接；所述n+源区6和p+体接触区7的上表面引出源极电极；

沿z轴方向，所述p型埋层3具有凸起结构，即沿z轴方向，p型埋层3的中部区域沿x轴方向延伸，且该凸起结构与p+体接触区7接触；

所述槽栅结构呈“t”字形，即由栅极导电材料8和栅介质层9组成浅且宽的导电槽、位于导电槽下方深且窄的介质槽10；所述导电槽的底部与p型埋层3的顶部相接触；所述介质槽10垂直贯穿p型埋层3且延伸入n型外延层2；所述栅极导电材料8引出栅极电极。

进一步的，所述介质槽10中填充的介质为低k介质，所述低k介质是指k值小于等于二氧化硅k值的介质。

进一步的，所述介质槽10中填充的介质为高k介质，所述高k介质是指k值大于二氧化硅k值的介质。

进一步的，所述介质槽10的侧面和底面具有p型条11，所述n型漂移区2与所述p型条11形成超结。

本发明的有益效果为，相对于传统碳化硅沟槽mos器件，本发明不仅具有更高的击穿电压、更低的导通电阻，而且具有更好的短路能力。

附图说明

图1为主结构示意图；

图2位实施例1的结构示意图；

图3位实施例2的结构示意图；

图4位实施例3、4的结构示意图；

上述附图中依次给出的是主视图、沿主视图中aa’线的截面图和沿bb’线的截面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例进一步对本发明进行描述。

实施例1

如图2所示，本实例为具有低k介质槽的碳化硅沟槽mos器件，包括n+衬底层1以及n型外延层2；槽栅结构嵌于n型外延层2中；所述n+衬底层1的底部引出漏极电极；

所述器件横向方向与器件垂直方向相互垂直，纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向；

所述n型外延层2的上部沿器件垂直方向自下而上依次形成p型埋层3、jfet区4、p型阱区5、以及n+源区6；纵向方向上的p+体接触区7垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，其底部与p型埋层3相接；所述p型埋层3在器件横向方向以及纵向方向均留有空隙；所述n+源区6和p+体接触区7的上表面引出源极电极；

所述槽栅结构呈现t字形，包括由栅极导电材料8和栅介质层9组成的浅且宽的槽和其下方深且窄的介质槽10；所述浅槽垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，且其底部与p型埋层3的顶部相接触；所述介质槽10垂直贯穿p型埋层3且深入n型外延层2；所述栅极导电材料8引出栅极电极；所述介质槽10中填入低k介质，包括二氧化硅以及k值比二氧化硅低的介质。

本例的工作原理是：

介质槽辅助耗尽n型漂移区，提高了n型漂移区的优化掺杂浓度，降低了比导通电阻。同时，介质槽可以有效降低栅漏电容，改善了开关特性。

实施例2

如图3所示，本实例为具有高k介质槽的碳化硅沟槽mos器件，包括n+衬底层1以及n型外延层2；槽栅结构嵌于n型外延层2中；所述n+衬底层1的底部引出漏极电极；

所述器件横向方向与器件垂直方向相互垂直，纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向；

所述n型外延层2的上部沿器件垂直方向自下而上依次形成p型埋层3、jfet区4、p型阱区5、以及n+源区6；纵向方向上的p+体接触区7垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，其底部与p型埋层3相接；所述p型埋层3在器件横向方向以及纵向方向均留有空隙；所述n+源区6和p+体接触区7的上表面引出源极电极；

所述槽栅结构呈现t字形，包括由栅极导电材料8和栅介质层9组成的浅且宽的槽和其下方深且窄的介质槽10；所述浅槽垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，且其底部与p型埋层3的顶部相接触；所述介质槽10垂直贯穿p型埋层3且深入n型外延层2；所述栅极导电材料8引出栅极电极；所述介质槽10中填入高k介质，具体指代k值比二氧化硅高的介质。

与实施例1相比，高k介质能增强辅助耗尽n型漂移区，使得n型漂移区优化掺杂浓度进一步提高，比导通电阻进一步降低。

实施例3

如图4所示，本实例为具有低k介质槽的碳化硅超结沟槽mos器件，包括n+衬底层1以及n型外延层2；槽栅结构嵌于n型外延层2中；所述n+衬底层1的底部引出漏极电极；

所述器件横向方向与器件垂直方向相互垂直，纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向；

所述n型外延层2的上部沿器件垂直方向自下而上依次形成p型埋层3、jfet区4、p型阱区5、以及n+源区6；纵向方向上的p+体接触区7垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，其底部与p型埋层3相接；所述p型埋层3在器件横向方向以及纵向方向均留有空隙；所述n+源区6和p+体接触区7的上表面引出源极电极；

所述槽栅结构呈现t字形，包括由栅极导电材料8和栅介质层9组成的浅且宽的槽和其下方深且窄的介质槽10；所述浅槽垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，且其底部与p型埋层3的顶部相接触；所述介质槽10垂直贯穿p型埋层3且深入n型外延层2；所述栅极导电材料8引出栅极电极；所述介质槽10中填入低k介质，包括二氧化硅以及k值比二氧化硅低的介质；所述介质槽10的侧面和底面存在p型条11，所述n型漂移区2与所述p型条11形成超结；

与实施例1相比，由于p型条11对n型漂移区的辅助耗尽作用，n型漂移区优化掺杂浓度进一步提高，比导通电阻进一步降低；与实施例2相比，由于器件的栅漏电容降低，降低了器件开关损耗。

实施例4

如图4所示，本实例为具有高k介质槽的碳化硅超结沟槽mos器件，包括n+衬底层1以及n型外延层2；槽栅结构嵌于n型外延层2中；所述n+衬底层1的底部引出漏极电极；

所述器件横向方向与器件垂直方向相互垂直，纵向方向为同时与器件横向方向和器件垂直方向均垂直的第三维度方向；

所述n型外延层2的上部沿器件垂直方向自下而上依次形成p型埋层3、jfet区4、p型阱区5、以及n+源区6；纵向方向上的p+体接触区7垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，其底部与p型埋层3相接；所述p型埋层3在器件横向方向以及纵向方向均留有空隙；所述n+源区6和p+体接触区7的上表面引出源极电极；

所述槽栅结构呈现t字形，包括由栅极导电材料8和栅介质层9组成的浅且宽的槽和其下方深且窄的介质槽10；所述浅槽垂直贯穿n+源区6、p型阱区5和jfet区4，且其底部与p型埋层3的顶部相接触；所述介质槽10垂直贯穿p型埋层3且深入n型外延层2；所述栅极导电材料8引出栅极电极；所述介质槽10中填入高k介质，具体指代k值比二氧化硅高的介质；所述介质槽10的侧面和底面存在p型条11，所述n型漂移区2与所述p型条11形成超结；

与实施例3相比，由于高k介质槽与超结共同对n型漂移区辅助耗尽作用，n型漂移区优化掺杂浓度进一步提高，进一步降低比导通电阻。