技术特征：
技术总结
本发明公开一种改善SONOS存储器之多晶硅薄膜沉积特性的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并形成SONOS区、选择栅极区、外围逻辑电路区，且已形成高压栅氧化层、原位ONO层；步骤S2：刻蚀去除原位ONO层之阻挡氧化物层；步骤S3：采用ISSG法在原位ONO层的氮化硅层上沉积第一阻挡氧化物层；步骤S4：刻蚀去除位于选择栅极区和外围逻辑电路区处的第一阻挡氧化物层和氮化硅层；步骤S5：采用ISSG法在原位ONO层之第一阻挡氧化物层上沉积第二阻挡氧化物层；步骤S6：多晶硅薄膜沉积；步骤S7：多晶硅栅结构形成。本发明不仅可以保证SONOS存储器之可靠性的要求，而且减小晶圆翘曲，有利于后续多晶硅薄膜的沉积，进而改善多晶硅栅结构光刻工艺的对准精度问题，工艺窗口大大增加，且该工艺稳定可控，适合批量生产。
技术研发人员：刘政红;董立群;张强;黄冠群
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.10.18
技术公布日：2019.03.12