技术特征：
技术总结
本发明公开一种改善分栅结构闪存多步多晶硅刻蚀损伤的工艺集成方法，包括：步骤S1：提供硅基衬，并在其上形成分栅闪存器件；步骤S2：在器件制备过程中，形成氮化硅层，并将后工序需形成局部硅氧化的有源区暴露；步骤S3：对氮化硅层进行干法刻蚀，以形成氮化硅侧墙结构，并对有源区设置刻蚀凹槽；步骤S4：对有源区之暴露区域进行硅氧化工艺，以形成二氧化硅阻挡层；步骤S5：将氮化硅侧墙结构去除，并进行后续多晶硅生长与刻蚀工艺。本发明可有效避免分栅结构闪存中多步多晶硅刻蚀产生的有源区刻蚀损伤，提高整体工艺的稳定性，且工艺过程简单，并方便的嵌入到现有工艺流程中，并大大降低有源区发生刻蚀损伤的风险，亦符合FAB的工艺技术要求，值得推广应用。
技术研发人员：胡涛;张磊;田志;王奇伟;陈昊瑜
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2018.10.18
技术公布日：2019.03.12