液晶显示器Demux结构、制作方法及液晶显示器与流程

本发明涉及液晶显示器领域，特别是涉及一种液晶显示器demux结构及制作方法。

背景技术：

igzo是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高tft对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率tft-lcd。同时，igzo在成本方面较低温多晶硅(ltps)更有竞争力。

demux，即多路复用器(demultiplexer)，用于把一个信号分解为多个信号通道，常用于驱动显示器。如图1所示，为现有技术中lcd显示技术中一分三式demux电路原理示意图。如图2所示，为现有的demux的结构示意示意图，从图1中可见现有的demux中沟道是沿水平方向设置的。随着对显示器画面品质的需求提升，高分辨率、窄边框成为未来显示器面板行业发展趋势。而现有的demux沟道是沿水平方向设置的，在提高显示器分辨率的情况下无法缩减下边框，难以实现窄边框显示器。

技术实现要素：

为此，需要提供一种新的液晶显示器demux结构，用于解决现有技术中demux无法兼顾显示器高分辨率与窄边框的技术问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种液晶显示器demux结构，包括两个以上场效应管，所述场效应管包括衬底以及于所述衬底由下至上依次层叠的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层，所述半导体层、第二绝缘层以及第三金属层沿衬底厚度方向延展。

进一步的，所述半导体层和第二绝缘层由上至下延展至所述衬底层。

进一步的，所述半导体层为igzo半导体层。

进一步的，所述第一金属层为漏极，第二金属层为源极，第三金属层为栅极。

进一步的，所述栅极通过过孔与漏极连接。

进一步的，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖于所述第三金属层的表面。

为解决上述技术问题，本发明还提供了另一技术方案：

一种液晶显示器，包括用于成像的显示区和demux区，所述demux区设置于所述显示区的周围，所述demux区包括以上任一技术方案中所述的demux结构。

进一步的，所述显示区与所述demux区位于同一衬底上，并且于所述衬底上由下至上依次层叠的第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层。

为解决上述技术问题，本发明还提供了另一技术方案：

一种液晶显示器demux结构制作方法，包括以下步骤：

在衬底上依次制作第一金属层和第一绝缘层；

剥离衬底上部分区域的第一金属层和第一绝缘层；

制作半导体层，所述半导体层由第一绝缘层的表面延展至所述衬底；

制作第二金属层，所述第二金属层与所述半导体层连接；

在所述半导体层上依次制作第二绝缘层和第三金属层，所述第二绝缘层以及第三金属层延展至所述衬底层。

区别于现有技术，上述技术方案中demux结构中的半导体层、第二绝缘层以及第三金属层以及其所形成的沟道是沿衬底厚度方向延展，当沟道宽度相同时，在器件size上可缩小75％，从而能够达到更高的集成度，满足高分辨率的同时又能达到窄边框。

附图说明

图1为背景技术中lcd显示技术中一分三式demux电路原理示意图；

图2为背景技术所述显示器demux结构的结构图；

图3为具体实施方式中所述显示器demux结构的结构图；

图4为具体实施方式中所述显示器demux结构各层分拆分图；

图5为具体实施方式中显示器的显示区与demux区的结构图；

图6为具体实施方式中显示器demux结构制作过程示意图；

附图标记说明：

1、衬底；

2、第一金属层；

3、第一绝缘层；

4、半导体层；

5、第二金属层；

6、第二绝缘层；

7、第三金属层；

8、第三绝缘层；

100、demux区；

200、显示区；

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

请参阅图3至图5，本实施例提供了一种液晶显示器demux结构。

所述显示器demux结构上集成有多个的场效应管，如图3和图4所示，所述场效应管包括衬底1以及于所述衬底由下至上依次层叠的第一金属层2、第一绝缘层3、半导体层4、第二金属层5、第二绝缘层6和第三金属层7。其中，所述第一金属层2、第二金属层5、第三金属层7分别为场效应管的三个电极，第二金属层5、第三金属层7与半导体层4形成沟道。由图3可知，所述半导体层4、第二绝缘层6以及第三金属层7沿衬底1厚度方向(即晶片的厚度方向)延展，从而使其所形成的沟道也是沿衬底1厚度方向延展，即沿衬底1厚度方向延伸。比较图3和图2可知，在现有的显示器demux结构尺寸受到沟道长度的制约，显示器demux结构的尺寸为3l+x，其中，x为沟道宽度，l为第一金属层2、第二金属层5或第三金属层7的长度；而本实施方式中，显示器demux结构可提供比显示器像素间距更长的沟道长度，显示器demux结构的尺寸为2l-cosθx，其中，x为沟道宽度，l为第一金属层2、第二金属层5或第三金属层7的长度，θ为沟道与水平方向的夹角。可见当沟道长度相同时，本实施方式在器件size上可缩小75％，从而能够达到更高的集成度，满足高分辨率的同时又能达到窄边框。

在上述实施方式中，只要使所述半导体层4、第二绝缘层6、第三金属层7以及其所形成的其所形成的沟道沿衬底1厚度方向延展，即可减小显示器demux结构尺寸提高其集成度。考虑到进一步提高显示器demux结构的集成度，如图3所示，所述半导体层4和第二绝缘层5由上至下延展至所述衬底层1。这样可以使显示器demux结构竖直方向上的空间被充分利用，达到更高的集成度。

优选的，所述半导体层为igzo半导体层。igzo载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高tft对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率tft-lcd。

如图5所示，为了保护所述显示区与demux区，在所述第三金属层7的表面还可设置有第三绝缘层。

如图5所示，提供了一种液晶显示器，包括用于成像的显示区200和demux区100，所述demux区100设置于所述显示区200的周围，所述demux区100包括以是实施方式所述的demux结构。所述demux区(即显示器demux结构)位于显示区的边缘，并且所述显示区与demux区的processflow上兼容，即demux结构与显示区可设置于同一衬底1上，并且具有相同的层状结构，从而使其加工过程更加便捷，在加工显示区的同时可同时加工demux区。

其中，所述第一金属层2可作为漏极，第二金属层5作为源极，第三金属层7作为栅极。第一金属层2同时作为demux结构的漏极与顶栅gate信号传输线，其中，顶栅gate可通过过孔与第一金属层2搭接，第二金属层5作为demux结构的源极，第三金属层7同时作为显示区触控层与demux区域垂直tft顶栅gate。虽然igzo垂直tft具有低迁移率，但是可以达到高且均匀的导通电流。此外，v-tft还可以提供比像素间距更长的沟道长度，对比现有平面tft结构，当沟道长度相同时，在器件size上可缩小75％，满足高分辨率的同时缩短下boeder。

如图6所示，提供了一种液晶显示器demux结构制作方法，其中，所述显示器demux结构为以上实施方式中所述的显示器demux结构。该显示器demux结构具有沿衬层方向延展的沟道，具有更高的集成度。

该液晶显示器demux结构制作方法包括以下步骤：

①ge-镀膜：通过镀膜工艺在衬层上制作第一金属层；

②gi-镀膜：通过镀膜工艺在所述第一金属膜上制作第一绝缘层；

③ge/gi-剥离：剥离第一金属层和第一绝缘层无用的部分，使第一金属层和第一绝缘层剖面外露出；

④se-剥离：在第一绝缘层剖面上制作半导体层，并将多余的半导体层剥离，使剩余的半导体层由第一绝缘层向第一金属层以及衬层方向延展；

⑤sd-剥离：在所述半导体层上制作第二金属层，并将多余的第二金属层剥离；

⑥pv-镀膜：在所述第二金属层上制作第二绝缘层，使第二绝缘层由第二金属层的表面延展至衬底层；

⑧cm-剥离：在所述第二绝缘层上制作第三金属层，并将多余的部分剥离，使剩余的第三金属层由第二绝缘层的上表面延展至衬底层。

由图6可知，通过步骤①至⑧所得到图3所示的液晶显示器demux结构。

需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。