本发明主要涉及芯片测试领域，尤其涉及一种测试不良芯片晶元坐标分布的方法。
背景技术：
目前绝大的多少情况下，都需要测试不良芯片的芯片id以便确认具体信息:晶元坐标分布，基板分布，基板id等，但是目前仅仅leak不良样品才能进行芯片id读取，idd失效和os失效均无法进行芯片id的读取，因此也就无法更深入的分析。
已公开中国发明专利，申请号cn201310382429.7，专利名称：一种不良芯片筛选方法，申请日：20130828，本发明涉及一种不良芯片筛选方法，包括如下步骤：将共晶之前的芯片放置于载玻片上，再将放置有芯片的载玻片放置于加热台上进行加热处理，待加热完毕将带有芯片的载玻片置于显微镜下进行不良检测，根据检测结果，不合格芯片被筛选剔除，合格芯片进行后续工艺生产。通过本发明的芯片筛选方法，可以将污染或清洁工作处理不当引起的不良芯片筛选剔除，有利于减少芯片在后续工艺中的材料浪费，提高芯片良品率和生产效率。
技术实现要素：
本发明提供一种测试不良芯片晶元坐标分布的方法，针对现有技术的上述缺陷，提供一种测试不良芯片晶元坐标分布的方法，包括以下步骤：
s1：根据作业历史获得所有良品单元的芯片id；
s2：将所有芯片id按照晶元id进行筛选；
s3：导入单张晶元的所有芯片id根据excel公式＝counta_a自动绘制坐标图；
s4：将绘制的坐标图与系统实际的坐标图进行比对；
s5：两者相差的坐标，获得需要的不良芯片的坐标。
优选的，良品单元的芯片id包括x方向和y方向的坐标。
优选的，晶元id包括x方向和y方向的坐标。
优选的，经过s5步骤显示的不良芯片的坐标呈线状分布。
优选的，经过s5步骤显示的不良芯片的坐标呈散点状分布。
优选的，经过s3步骤的不良芯片在坐标图中颜色与良品单元在坐标图中颜色不同。
优选的，晶元id来自于hibim系统。
本发明的有益效果：方法简单，操作便利，可以通过推导出来的芯片id进行失效原因分析。
具体实施方式
本发明包括有以下步骤：
s1：根据作业历史获得所有良品单元的芯片id；
s2：将所有芯片id按照晶元id进行筛选；
s3：导入单张晶元的所有芯片id根据excel公式＝counta_a自动绘制坐标图；
s4：将绘制的坐标图与系统实际的坐标图进行比对；
s5：两者相差的坐标，获得需要的不良芯片的坐标。
在使用中，在测试工程，将需要分析的晶片整个相关的子晶片的芯片id全部读取导出，然后绘制晶元坐标分布，再跟hibim系统初始的晶元坐标分布进行比对。逆向推导不良芯片的芯片id及不良品情况。
在本实施中优选的，良品单元的芯片id包括x方向和y方向的坐标。
在本实施中优选的，晶元id包括x方向和y方向的坐标。
设置上述结构，通过x方向和y方向的对应，起到对应的处理，保证效果。
在本实施中优选的，经过s5步骤显示的不良芯片的坐标呈线状分布。
上述情况，反向推导出的不良芯片晶元坐标分布，通过该分部可以推断该失效为背面研磨工程导致。
在本实施中优选的，经过s5步骤显示的不良芯片的坐标呈散点状分布。
上述情况，反推出的不良芯片晶元集中于多张晶元相同位置，推导为晶元或背面研磨或晶元切割工程导致。
在本实施中优选的，经过s3步骤的不良芯片在坐标图中颜色与良品单元在坐标图中颜色不同。
设置上述方式，提高良品和不良品之间的差异性，突出显示。
在本实施中优选的，晶元id来自于hibim系统。
利用hibim系统，保证良品单元的芯片id和晶元id保持一致，提高检测效率，保证精度。
上述实施例仅例示性说明本专利申请的原理及其功效，而非用于限制本专利申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本专利申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利请的权利要求所涵盖。
1.一种测试不良芯片晶元坐标分布的方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1：根据作业历史获得所有良品单元的芯片id；
s2：将所有芯片id按照晶元id进行筛选；
s3：导入单张晶元的所有芯片id根据excel公式＝counta_a自动绘制坐标图；
s4：将绘制的坐标图与系统实际的坐标图进行比对；
s5：两者相差的坐标，获得需要的不良芯片的坐标。
2.根据权利要求1所述的测试不良芯片晶元坐标分布的方法，其特征在于：所述良品单元的芯片id包括x方向和y方向的坐标。
3.根据权利要求2所述的测试不良芯片晶元坐标分布的方法，其特征在于：所述晶元id包括x方向和y方向的坐标。
4.根据权利要求3所述的测试不良芯片晶元坐标分布的方法，其特征在于：经过所述s5步骤显示的不良芯片的坐标呈线状分布。
5.根据权利要求4所述的测试不良芯片晶元坐标分布的方法，其特征在于：经过所述s5步骤显示的不良芯片的坐标呈散点状分布。
6.根据权利要求5所述的测试不良芯片晶元坐标分布的方法，其特征在于：经过所述s3步骤的不良芯片在坐标图中颜色与良品单元在坐标图中颜色不同。
7.根据权利要求6所述的测试不良芯片晶元坐标分布的方法，其特征在于：所述晶元id来自于hibim系统。