技术特征：
技术总结
本发明涉及一种掩埋DFB激光器，其包括：依次层叠的第一导电层、有源层和第二导电层，部分第一导电层与所述有源层、所述第二导电层形成一凸台结构，所述第二导电层远离所述有源层的表面为所述凸台结构的顶面；一阻挡层，所述阻挡层,设置于所述凸台结构的顶面，所述阻挡层的中心部分经刻蚀形成一凹槽，且所述凹槽通至所述凸台结构的顶面；一第一掩埋层，所述第一掩埋层形成于所述凸台结构的侧面，并覆盖所述凸台结构的侧面和所述第一导电层；一第二掩埋层，所述第二掩埋层形成于所述第一掩埋层的表面；一第三导电层，所述第三导电层通过所述凹槽形成于所述凸台结构的顶面，且形成于所述第二掩埋层的表面。本发明还涉及所述掩埋激光器的制备方法。
技术研发人员：单智发;张永
受保护的技术使用者：全磊光电股份有限公司
技术研发日：2018.12.28
技术公布日：2019.03.22