本实用新型涉及电路板
技术领域：
，特别涉及一种电路板组件和应用该电路板组件的烹饪装置。
背景技术：
：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”。现有的IGBT模块与主控板电性连接安装时，为了加工和安装的标准化，一般从该IGBT模块的同一侧引出门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，三个引脚引出的长度相等。然而，如此会存在以下问题：因为集电极引脚的端子电压会达到1000V左右，三个引脚引出的长度相等，会使集电极引脚与门极引脚、发射极引脚之间的电气间隙和爬电距离变小，在潮湿或其他极端情况下，集电极引脚与门极引脚、发射极引脚之间会产生打火现象，导致电路板组件的可靠性降低。技术实现要素：本实用新型的主要目的是提供一种电路板组件，旨在提高电路板组件的应用可靠性。为实现上述目的，本实用新型提出的电路板组件，包括主板和设于该主板一表面的IGBT模块，所述IGBT模块包括主体部和引脚部，所述引脚部电性连接所述主体部和所述主板，所述引脚部包括均与所述主板电性连接的门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚自所述主体部的一侧向远离所述主体部的方向延伸，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚间隔排布，且所述集电极引脚的延伸长度大于所述门极引脚和发射极引脚的延伸长度。可选地，定义所述门极引脚的延伸长度值为L1，所述集电极引脚的延伸长度值为L3，6mm≤L3-L1≤10mm。可选地，定义所述发射极引脚的延伸长度值为L2，6mm≤L3-L2≤10mm。可选地，所述门极引脚的延伸长度值为L1与所述发射极引脚的延伸长度值为L2相等。可选地，所述集电极引脚位于所述门极引脚和发射极引脚之间，定义所述门极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值为W1，3.2mm≤W1≤3.5mm。可选地，定义所述发射极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值为W2，3.2mm≤W2≤3.5mm。可选地，所述门极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值W1和所述发射极引脚与所述集电极引脚之间的宽度值W2相等。可选地，所述引脚部贴合于所述主板的一表面。本实用新型还提出一种烹饪装置，包括电路板组件，该电路板组件包括主板和设于该主板一表面的IGBT模块，所述IGBT模块包括主体部和引脚部，所述引脚部电性连接所述主体部和所述主板，所述引脚部包括均与所述主板电性连接的门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚自所述主体部的一侧向远离所述主体部的方向延伸，所述门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚间隔排布，且所述集电极引脚的延伸长度大于所述门极引脚和发射极引脚的延伸长度。可选地，所述烹饪装置包括电饭煲、料理机以及电磁炉。本实用新型技术方案在设置IGBT模块时，将门极引脚、发射极引脚以及集电极引脚设置在主体部的一侧，可以方便该IGBT模块的标准化加工，同时方便与主板电性连接。将集电极引脚的延伸长度设置为大于门极引脚和发射极引脚的延伸长度，可使得集电极引脚的高压放电端子远离门极引脚和发射极引脚，进而提升电气间隙和爬电距离，避免产生打火现象，提升电路板组件的使用可靠性。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本实用新型电路板组件一实施例的结构示意图；图2为本实用新型电路板组件的IGBT模块一实施例的结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称100电路板组件131门极引脚10IGBT模块133发射极引脚11主体部135集电极引脚13引脚部30主板本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。本实用新型提出一种电路板组件100。参照图1和图2，在本实用新型实施例中，该电路板组件100包括主板30和设于该主板30一表面的IGBT模块10，IGBT模块10包括主体部11和引脚部13，引脚部13电性连接主体部11和主板30，引脚部13包括均与所述主板30电性连接的门极引脚131(代表符号为G，Gate)、发射极引脚133(代表符号为E，Emitter)以及集电极引脚135(代表符号为C，Collector)，门极引脚131、发射极引脚133以及集电极引脚135自主体部11的一侧向远离主体部11的方向延伸，门极引脚131、发射极引脚133以及集电极引脚135间隔排布，且集电极引脚135的延伸长度大于所述门极引脚131和发射极引脚133的延伸长度。本实用新型技术方案在设置IGBT模块10时，将门极引脚131、发射极引脚133以及集电极引脚135设置在主体部11的一侧，可以方便该IGBT模块10的标准化加工，同时方便与主板30电性连接。同时，将集电极引脚135的延伸长度大于门极引脚131和发射极引脚133的延伸长度，可使得集电极引脚135的高压放电端子远离门极引脚131和发射极引脚133，进而提升电气间隙和爬电距离，避免产生打火现象，提升电路板组件100的使用可靠性。可以理解的是，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块10是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，本申请的主体部11即包括IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)；封装后的IGBT模块10直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块10具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。在本实用新型的一实施例中，定义所述门极引脚131的延伸长度值为L1，所述集电极引脚135的延伸长度值为L3，6mm≤L3-L1≤10mm。也即，集电极引脚135的延伸长度比门极引脚131的延伸长度要多出6mm至10mm，如此，既能满足提升电气间隙和爬电距离，避免产生打火现象，又可以防止发射极引脚133的长度过长而影响装配。进一步地，定义所述发射极引脚133的延伸长度值为L2，6mm≤L3-L2≤10mm。也即，集电极引脚135的延伸长度比发射极引脚133的延伸长度要多出6mm至10mm，同样的，也是为了满足提升电气间隙和爬电距离，避免产生打火现象，又可以防止发射极引脚133的长度过长而影响装配。为了标准化的加工和装配，还可以进一步将所述门极引脚131的延伸长度值为L1与所述发射极引脚133的延伸长度值为L2相等。在本实用新型的一实施例中，集电极引脚135位于门极引脚131和发射极引脚133之间，定义门极引脚131与集电极引脚135之间的宽度值为W1，3.2mm≤W1≤3.5mm。也即，将集电极引脚135位于门极引脚131和发射极引脚133之间，方便IGBT模块10的标准化的加工，同时也是的引脚部13与主板30的连接也较为方便。将门极引脚131与集电极引脚135之间的宽度值设置为3.2mm至3.5mm之间，可以防止二者之间的距离过大而影响加工装配的空间，也可防止二者之间距离过近而产生干涉。进一步地，定义所述发射极引脚133与所述集电极引脚135之间的宽度值为W2，3.2mm≤W2≤3.5mm。同样的，将门极引脚131与集电极引脚135之间的宽度值设置为3.2mm至3.5mm之间，可以防止二者之间的距离过大而影响加工装配的空间，也可防止二者之间距离过近而产生干涉。更进一步地，门极引脚131与集电极引脚135之间的宽度值W1和发射极引脚133与集电极引脚135之间的宽度值W2相等。如此，将门极引脚131、集电极引脚135以及发射极引脚133之间的宽度值设置为等距离，使得门极引脚131、集电极引脚135以及发射极引脚133的加工和装配都更加标准化。在本实用新型的一实施例中，引脚部13贴合于主板30的一表面。在电性连接IGBT模块10和主板30时，可采用贴片安装的方式将引脚部13与主板30进行电性连接。在主板30对应引脚部13的门极引脚131、集电极引脚135以及发射极引脚133设置有电接触点，通过将门极引脚131、集电极引脚135以及发射极引脚133贴合于该电接触点，使得引脚部13电性连通IGBT模块10和主板30。可采用SMT(SurfaceMountedTechnology的缩写)贴装技术。SMT贴片加工的优点：组装密度高、电子产品体积小、重量轻，贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右，一般采用SMT之后，电子产品体积缩小40％～60％，重量减轻60％～80％。可靠性高、抗振能力强。焊点缺陷率低。高频特性好。减少了电磁和射频干扰。易于实现自动化，提高生产效率。降低成本达30％～50％。节省材料、能源、设备、人力、时间等。本实用新型还提出一种烹饪装置，该烹饪装置包括电路板组件100，该电路板组件100的具体结构参照上述实施例，由于本烹饪装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。该烹饪装置包括电饭煲、料理机以及电磁炉，当然还可以为其他家电。该烹饪装置具有IGBT模块10，通过该IGBT模块10可以控制电磁加热线圈盘，以实现电磁加热。因电磁加热线圈盘寿命长，维护更换成本低。同时，利用高频电磁作用发热，热量利用充分，基本无散失，使得热量聚集。被加热部位的内部分子直接感应磁能而生热，热启动非常快，平均预热时间比电阻圈加热方式缩短60％以上，同时热效率高达90％以上，在同等条件下，比电阻圈加热节电30～70％，大大提高了使用效率。以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
技术领域：
均包括在本实用新型的专利保护范围内。当前第1页1 2 3