技术总结
一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成；钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂晶体硅、金属栅线II构成。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
技术研发人员：袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩
受保护的技术使用者：南昌大学
技术研发日：2018.03.12
技术公布日：2019.01.01