一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构的制作方法

本实用新型属于太阳电池领域和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。

背景技术：

对于双面晶体硅太阳电池，PERT结构因为其与现有扩散制结的晶体硅产线的兼容性好，效率比较高一直受到太阳电池行业内的重点关注。但该结构的太阳电池的发展目前遇到了瓶颈，其中关键之一在于硼扩散形成的发射极层的性能以及其制备技术。为了达到更高的开路电压硼掺杂浓度一定要高，但这又会带来载流子复合的增加。而且硼掺杂层中载流子的横向传输损耗所需要的低方阻与达到这一条件所需要的提高硼掺杂浓度（会造成复合损耗的增加）的技术改进方向是相互矛盾的。

如何解决这一矛盾对PERT技术的发展至关重要，我们认为从器件结构的设计上入手可能是一个有效的突破口。本实用新型即是在这个方向上的一个努力尝试。

技术实现要素：

本实用新型是通过以下技术方案实现的。

本实用新型所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层（2）和金属栅线I（1）构成，其中重掺杂p型晶体硅发射极层（2）开槽较小，而金属栅线I（1）开槽稍大，金属栅线I（1）与n型晶体硅片（5）之间没有重掺杂p型晶体硅发射极层（2）的区域由钝化减反射层I（3）填充；钝化-进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）和钝化减反射层I（3）构成。这两个区域交叉分布且不重叠。

本实用新型所述的钝化减反射层I（3）优选氮化硅层。

本实用新型所述的发射极与重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）之间优选设一绝缘层。

进一步地，为提高器件的性能，所述的重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）的厚度优选1-300nm。

本实用新型所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，为双面进光太阳电池，其正负电极分别位于n型晶体硅片（5）基底的两个表面，为双面进光太阳电池。太阳电池在发射极面之外的另外一面（背电场面）结构分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层（6）、钝化减反射层II（7）；背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层（8）、金属栅线II（9），其中重掺杂晶体硅层（8）开槽较小，而金属栅线II（9）开槽稍大，金属栅线II（9）与n型晶体硅片（5）之间没有重掺杂晶体硅层（8）的区域由钝化减反射层II（7）填充；这两个区域交叉分布且不重叠。

其中，所述的重掺杂晶体硅层（6）的厚度优选1-100nm，掺杂类型优选p型；所述的钝化减反射层II（7）优选氧化铝层+氮化硅复合薄膜层。

进一步地，为提高器件的性能，本实用新型所述的n型晶体硅片（5）可以双面制绒，以进一步提高太阳电池短路电流。

进一步地，n型晶体硅片（5）的双面的制绒情况可以不同，一面采用较小尺寸金字塔结构的绒面，另外一面采用较大尺寸的金字塔绒面或者无金字塔的抛光结构。

进一步地，有金属栅线（金属栅线I、金属栅线II）区域可以抛光或做更大尺寸金字塔的绒面，以减少复合损耗，提高太阳电池的开路电压。

进一步地，器件表面金属栅线（金属栅线I、金属栅线II）总覆盖面积比例优选为1~3%，以提高太阳电池的短路电流并保证足够好的导电性。

进一步的，重掺杂晶体硅层（8）优选n型掺杂。

实用新型的技术效果是：本实用新型适用于单晶硅片太阳电池、多晶硅片太阳电池和准单晶硅片太阳电池。在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。其机理是通过金属栅线覆盖面积下的p型重掺杂晶体硅发射极及配套结构获得高的开路电压，因为本结构可只考虑发射极的电学性能而不用如PERT结构中发射极层般还要平衡吸光损耗的程度；在没有金属栅线的地方采用重掺杂n型晶体硅场钝化层结合表面减反射钝化层的结构相比于PERT全表面重掺杂p型层结合钝化层的结构可减少载流子的复合损耗导致的短路电流和开路电压下降。在发射极面，产生的光生空穴在重掺杂n型层形成的内建电场的推动下进入体硅内部，然后集中流向发射极区域，形成了类似聚光太阳电池的大电流效应，可进一步提高太阳电池的内建电势，从而进一步提高太阳电池的电压；而产生的电子因为发射极面的重掺杂n型区域没有电极，只能流向硅片另外一面的金属电极被收集起来。

附图说明

附图1为本实用新型的示意图。其中：1为金属栅线I；2为重掺杂p型晶体硅层；3为钝化减反射层I；4为重掺杂n型晶体硅场钝化层I；5为n型晶体硅片；6为n型重掺杂晶体硅场钝化层；7为钝化减反射层II；8、金属栅线II。

具体实施方式

本实用新型将通过以下实施例作进一步说明。

实施例1。

如附图1所示的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构。n型晶体硅片5的表面在有钝化减反射层I 3和钝化减反射层II 7的区域均采用平均尺寸为3微米的金字塔绒面结构，在有重掺杂p型晶体硅发射极2和重掺杂n型晶体硅背场层6区域均采用化学抛光表面结构（无制绒）。重掺杂n型晶体硅场钝化层I 4厚度为300nm；重掺杂晶体硅层6采用n型掺杂，厚度为5nm；钝化减反射层II 7为氧化铝+氮化硅复合薄膜。金属栅线I 1和金属栅线II 9从硅片表面开始依此为镍/铜/银的复合金属电极，占据硅片表面积的2%。金属栅线I 1和金属栅线II 9的开槽宽度为30μm，重掺杂p型晶体硅发射极2和p型重掺杂晶体硅层层（8）的开槽宽度为20微米。

该太阳电池结构的两个表面的进光特性均十分优异，均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳电池的短路电流。

实施例2。

如附图1所示的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构。n型晶体硅片5的表面采用平均尺寸为2微米的金字塔绒面结构。重掺杂n型晶体硅场钝化层I 4厚度为300nm；重掺杂晶体硅层6采用n型掺杂，厚度为5nm；钝化减反射层II 7为氧化硅+氮化硅复合薄膜。金属栅线I 1和金属栅线II 9为纯银电极，占据硅片表面积的1.5%。金属栅线I 1和金属栅线II 9的开槽宽度为10μm，重掺杂p型晶体硅发射极2和n型重掺杂晶体硅层层（8）的开槽宽度为8微米。

该太阳电池结构的两个表面的进光特性均十分优异，均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳电池的短路电流。