1.一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于，它包括：
水槽（1），所述水槽（1）具有承托面（11）和开口（12）；
晶体硅花篮（2），所述晶体硅花篮（2）置放于所述水槽（1）中的所述承托面（11）上，所述晶体硅花篮（2）的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽（21），每个所述插置槽（21）中可同时插入两片相叠的晶体硅（5）；
高压喷水组件（3），所述高压喷水组件（3）安装在所述水槽（1）中，所述高压喷水组件（3）包括布置在所述晶体硅花篮（2）侧方的高压水管（31），所述高压水管（31）上开设有多个面向所述晶体硅花篮（2）的喷水开口（311）。
2.根据权利要求1所述的一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于：所述高压喷水组件（3）通过安装支架（32）安装在所述水槽（1）中，通过调整所述安装支架（32）在所述水槽（1）中的安装位置可以调节所述高压水管（31）的位置和方向从而调节喷水开口（311）的开口方向。
3.根据权利要求1或2所述的一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于：所述喷水开口（311）的开口方向与所述晶体硅花篮（2）中插置的单片晶体硅表面形成角度。
4.根据权利要求1所述的一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于：所述高压水管（31）同时布置在所述晶体硅花篮（2）的两侧。
5.根据权利要求1所述的一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于：它还包括超声波组件（4），所述超声波组件（4）包括超声波发生器（42）和与之连接的超声波换能器（41），所述超声波组件（4）用于加强趋动所述水槽（1）中的水朝向所述晶体硅花篮（2）流动进入双层晶体硅（5）之间以分离晶体硅（5）。
6.根据权利要求5所述的一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于：所述超声波发生器（42）为兆声波发生器。
7.根据权利要求5所述的一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于：所述超声波换能器（41）设置在所述水槽（1）下方。