一种高强度镀银合金线的制作方法

本实用新型属于合金线技术领域，具体涉及一种高强度镀银合金线。

背景技术：

引线键合以其工艺简单、技术成熟、成本低廉、适合多种封装形式的特点，在电子封装中依然是主流技术。随着微电子产业的蓬勃发展，对封装技术的要求越来越高，芯片封装技术朝着高密度、小型化、适应高发热方向发展，对键合引线的要求也越来越高，高密度、高热导率、低弧度、超细直径的键合引线成为了研发重点。键合金线因其耐腐蚀性好、可靠性高，在集成电路(IC)封装行业的中高端产品中广泛使用，但是金线造价昂贵，为降低封装成本，市场上又相继推出了各种金线的替代品，其中键合铜线作为金线的可行性替代材料已经开始应用，但由于其硬度较大，键合时容易导致芯片损伤；且在非气密性封装中易发生腐蚀，直接影响键合后器件的可靠性，只能应用于一些中低端产品。键合银线由于其优秀的电热学性能(可降低器件高频噪声、降低大功率LED发热量等)、良好的稳定性及适当的成本因素，开始逐渐应用于微电子封装中，但纯银线具有强度低、易发生电子迁移、金属间化合物生长难以控制，以及较易被腐蚀硫化等弊端，导致纯银线键合可靠性低，使之高可靠性、低弧度等封装领域应用受到限制。

为此，我们提出一种高强度镀银合金线来解决上述问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种高强度镀银合金线，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高强度镀银合金线，包括合金导体，所述合金导体的外侧从内到外依次设有绕包内衬层、连锁铠装层以及外保护套层，所述合金导体的外表面包覆有绝缘层，所述绝缘层和绕包内衬层之间设有填充层，所述绕包内衬层的内侧且位于填充层的外侧设有铝塑复合防水带，所述连锁铠装层包括铝合金带铠装层和钢带铠装层，且铝合金带铠装层和钢带铠装层从内到外依次设置，所述绕包内衬层和连锁铠装层之间设有内保护套层。

优选的，所述绕包内衬层为蛇形状绕包的纸带。

优选的，所述绝缘层为交联聚乙烯绝缘层。

优选的，所述外保护套层包括聚氯乙烯内护套层和阻烯外护套层，所述聚氯乙烯内护套层和阻烯外护套层从内到外依次设置。

优选的，所述阻烯外护套层呈波纹状设置。

优选的，所述填充层为防水油膏和嵌缝油膏。

优选的，所述内保护套层为铅塑和铝塑复合纵包层。

优选的，所述合金导体为镍铈镧铜银键合金线。

本实用新型的技术效果和优点：该高强度镀银合金线，通过合金化获得高性能镍铈镧铜银键合金线，有效改善传统键合银线性能，可有效克服纯银线在电子封装中强度低、电子迁移率高、易腐蚀及集成微电子电路生长不易控制等问题，具有优良的机械性能、键合性能、抗腐蚀与抗氧化性能及较高的可靠性，镍铈镧铜银合金元素可有效抑制银线的电子迁移，减缓IMC的生长和扩散，提高器件的可靠性。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型填充层的结构示意图；

图3为本实用新型连锁铠装层的结构示意图；

图4为本实用新型外保护套层的结构示意图。

图中：1合金导体、2绕包内衬层、3连锁铠装层、4外保护套层、5绝缘层、6填充层、7聚氯乙烯内护套层、8阻烯外护套层、9铝塑复合防水带、10铝合金带铠装层、11钢带铠装层、12内保护套层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1-4所示的一种高强度镀银合金线，包括合金导体1，所述合金导体1的外侧从内到外依次设有绕包内衬层2、连锁铠装层3以及外保护套层4，所述合金导体1的外表面包覆有绝缘层5，所述绝缘层5和绕包内衬层2之间设有填充层6，所述绕包内衬层2的内侧且位于填充层6的外侧设有铝塑复合防水带9，所述连锁铠装层3包括铝合金带铠装层10和钢带铠装层11，且铝合金带铠装层10和钢带铠装层11从内到外依次设置，所述绕包内衬层2和连锁铠装层3之间设有内保护套层12。

具体的，所述绕包内衬层2为蛇形状绕包的纸带。

具体的，所述绝缘层5为交联聚乙烯绝缘层。

具体的，所述外保护套层4包括聚氯乙烯内护套层7和阻烯外护套层8，所述聚氯乙烯内护套层7和阻烯外护套层8从内到外依次设置。

具体的，所述阻烯外护套层8呈波纹状设置。

具体的，所述填充层6为防水油膏和嵌缝油膏。

具体的，所述内保护套层12为铅塑和铝塑复合纵包层。

具体的，所述合金导体1为镍铈镧铜银键合金线。

该高强度镀银合金线，通过合金化获得高性能镍铈镧铜银键合金线，有效改善传统键合银线性能，可有效克服纯银线在电子封装中强度低、电子迁移率高、易腐蚀及集成微电子电路生长不易控制等问题，具有优良的机械性能、键合性能、抗腐蚀与抗氧化性能及较高的可靠性，镍铈镧铜银合金元素可有效抑制银线的电子迁移，减缓IMC的生长和扩散，提高器件的可靠性。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。