1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有源区及漏区；
栅极结构，形成于所述源区和所述漏区之间的衬底中以构成晶体管；以及，
调整区，位于所述栅极结构下方的衬底中，以增加所述晶体管的沟道的掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述漏区和所述源区从所述衬底的表面延伸至所述衬底内的第一深度位置，所述栅极结构从所述衬底的表面延伸至所述衬底内的第二深度位置，所述第二深度位置更下沉于所述第一深度位置，以使沿着所述栅极结构的侧壁和底壁从所述源区至所述漏区之间的区域构成所述晶体管的沟道，所述调整区位于所述衬底的第二深度位置与第三深度位置之间，所述第三深度位置更下沉于所述第二深度位置。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底中还形成有阱区，所述调整区位于所述阱区中。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述调整区的横向宽度尺寸小于所述栅极结构的横向宽度尺寸。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述调整区的横向宽度尺寸介于3nm～5nm。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管时，所述调整区为P型掺杂以使所述晶体管的沟道的掺杂浓度增加。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述调整区掺杂的导电离子包括硼离子。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述调整区掺杂的导电离子的浓度介于1E12atoms/cm2～1E13atoms/cm2。