耗尽型MOSFET器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件及其制造方法，尤其是一种耗尽型MOSFET器件。

背景技术：

MOSFET按导电方式可分两大类：耗尽型与增强型，当栅压为零时，导电沟道为开通状态，有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，导电沟道关闭，漏极电流也为零，必须在一定的栅压之后沟道道通才有漏极电流的称为增强型。

平面型MOSFET由于结构原因，器件元胞密度低，无法像沟槽型MOSFET一样元胞高度集成，同比相同电流能力下芯片面积会较大；从工艺成本上看平面型MOSFET器件工艺步骤多，光刻次数多，晶圆生产成本相对高。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种耗尽型MOSFET器件，以及制造方法，使用沟槽栅的结构，通过带角度的离子注入工艺在有源区的栅极沟槽的两个侧壁形成耗尽层，工艺流程简化，使用光刻板层数减少，降低芯片生产成本。本实用新型采用的技术方案是：

一种耗尽型MOSFET器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤(a)，提供第一导电类型重掺杂衬底，并在第一导电类型重掺杂衬底上形成第一导电类型轻掺杂外延层；形成半导体基板；

步骤(b)，在半导体基板的第一导电类型轻掺杂外延层表面注入第二导电类型杂质离子，通过高温退火形成第二导电类型轻掺杂体区；第二导电类型轻掺杂体区位于所述外延层上部，第二导电类型轻掺杂体区横贯整个半导体基板；

步骤(c)，在第一导电类型轻掺杂外延层正面通过沟槽光刻、刻蚀形成多个阵列型的沟槽；所述沟槽包括位于半导体基板中央有源区内的栅极沟槽、有源区外侧的栅极引出区内的栅极引出沟槽、有源区和栅极引出区外圈的分压保护区内的分压保护沟槽、分压保护区外圈的截止保护区内的截止保护沟槽；其中，分压保护沟槽和截止保护沟槽为环形结构；有源区内的栅极沟槽和栅极引出区内的栅极引出沟槽通过半导体基板端头的横向沟槽相互连通；

沟槽深度超过第二导电类型轻掺杂体区的深度；

步骤(d)，在上述沟槽结构内壁以及半导体基板表面生长绝缘氧化层；

步骤(e)，在有源区内注入第一导电类型杂质离子，离子注入工艺为带角度注入，通过高温退火激活形成第一导电类型耗尽层，第一导电类型耗尽层位于半导体基板中央有源区内的栅极沟槽侧壁；

或先进行步骤(e)再进行步骤(d)；

步骤(f)，在半导体基板正面淀积多晶硅；多晶硅填充外延层内的沟槽，及覆盖外延层表面；

刻蚀半导体基板正面的多晶硅，仅保留在沟槽内的多晶硅，同时保留半导体基板正面的绝缘氧化层；

在栅极沟槽内形成栅电极，在栅极引出沟槽内形成栅引出结构，在分压保护沟槽内形成分压保护环，在截止保护沟槽304内形成截止保护环；

步骤(g)，注入第一导电类型杂质，并退火激活；在有源区内第二导电类型轻掺杂体区上部形成第一导电类型源极；在截止保护区内截止保护环外侧的第二导电类型轻掺杂体区上部形成第一导电类型子区；

步骤(h)，在外延层及沟槽多晶硅表面淀积绝缘介质层，并回流；

步骤(i)，通过接触孔版光刻、选择性的掩蔽和刻蚀绝缘介质层，随后刻蚀外延层表面，形成引线孔；

各引线孔分别位于有源区内第二导电类型体区上方、栅极引出区内栅引出结构上方、截止保护区内截止保护环外侧的第二导电类型轻掺杂体区上方；

引线孔深度大于第一导电类型源极深度且小于的第二导电类型轻掺杂体区的结深；

步骤(j)，通过引线孔注入第二导电类型杂质，并退火激活；

步骤(k)，在上述绝缘介质层和引线孔内均匀淀积金属，选择性的掩蔽和刻蚀金属层，得到连接栅引出结构的栅极金属和连接第一导电类型源极的源极金属，以及连接第一导电类型子区的截止保护区金属；

步骤(l)，进行器件背面工艺：背面减薄，减薄后背面蒸镀金属，形成器件漏极。

进一步地，步骤(e)中，注入角度≥7度。

进一步地，步骤(e)中，第一导电类型耗尽层5的纵向深度大于第二导电类型轻掺杂体区3的结深并且小于有源区A沟槽深度。

上述工艺所形成的一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底，以及在第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型轻掺杂外延层，衬底和外延层构成形成半导体基板；半导体基板上包括有源区、栅极引出区和终端保护区；

有源区位于半导体基板中央区域，栅极引出区位于有源区外侧，终端保护区位于有源区和栅极引出区外圈；

在有源区内，第一导电类型轻掺杂外延层上部有第二导电类型轻掺杂体区和沟槽状的栅电极，栅电极两侧有第一导电类型耗尽层，栅电极顶部侧面设有第一导电类型源极；栅电极与第一导电类型源极、第一导电类型耗尽层、第二导电类型轻掺杂体)、外延层通过栅氧层电绝缘；

在有源区内，外延层表面覆盖绝缘介质层，第二导电类型轻掺杂体区上方的绝缘介质层中设有引线孔，源极金属淀积在绝缘介质层表面和有源区内引线孔中，与第二导电类型轻掺杂体区和第一导电类型源极连接；栅电极通过其顶部的绝缘介质层与源极金属隔离；

在栅极引出区内，第一导电类型轻掺杂外延层上部有第二导电类型轻掺杂体区和沟槽状的栅引出结构，栅引出结构与第二导电类型轻掺杂体区、外延层通过绝缘氧化层电绝缘；外延层表面覆盖绝缘介质层，栅引出结构上方的绝缘介质层中设有引线孔，栅极金属淀积在在绝缘介质层表面和栅极引出区内引线孔中，与栅引出结构连接；

栅电极与栅引出结构通过半导体基板端头的横向沟槽连接。

进一步地，源极金属在引线孔中的深度大于第一导电类型源极深度且小于第二导电类型轻掺杂体区的结深。

进一步地，第一导电类型耗尽层的纵向深度大于第二导电类型轻掺杂体区的结深并且小于有源区沟槽深度。

进一步地，终端保护区包括位于有源区和栅极引出区外圈的分压保护区，以及位于分压保护区外圈的截止保护区；

分压保护区内设有沟槽状的分压保护环；

截止保护区内设有沟槽状的截止保护环。

本实用新型的优点：本实用新型能够保证MOSFET器件性能的同时，大幅度降低了芯片制造成本；本实用新型还提出了上述制造方法所得到的耗尽型MOSFET器件的结构，采用沟槽栅结构，通过带角度的离子注入工艺在有源区的栅沟槽的两个侧壁形成耗尽层，减少工艺制造光刻层数，简化工艺流程。

附图说明

图1为本实用新型的衬底上形成外延层示意图。

图2为本实用新型的在外延层上部形成体区示意图。

图3为本实用新型的外延层正面形成沟槽示意图。

图4为本实用新型的栅极沟槽侧壁形成耗尽层示意图。

图5为本实用新型的沟槽内填充多晶硅示意图。

图6为本实用新型的形成第一导电类型源极和第一导电类型子区示意图。

图7为本实用新型的淀积绝缘介质层并刻蚀形成引线孔示意图。

图8为本实用新型的制作栅极金属10、源极金属11以及截止保护区金属12示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例一；

本实施例中，N型作为第一导电类型，P型作为第二导电类型；

耗尽型MOSFET器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤(a)，如图1所示，提供第一导电类型重掺杂衬底1，并在第一导电类型重掺杂衬底1上形成第一导电类型轻掺杂外延层2；形成半导体基板；

步骤(b)，如图2所示，在半导体基板的第一导电类型轻掺杂外延层2表面注入第二导电类型杂质离子，通过高温退火形成第二导电类型轻掺杂体区3；第二导电类型轻掺杂体区3位于所述外延层2上部，第二导电类型轻掺杂体区3横贯整个半导体基板；

此步骤中，注入的杂质通常是硼（Born），注入能量在50-300Kev级别，退火温度范围在950℃-1200℃之间，具体需要根据退火温度和注入能量的选择来匹配得到希望的体区深度；

步骤(c)，如图3所示，在第一导电类型轻掺杂外延层2正面通过沟槽光刻、刻蚀形成多个阵列型的沟槽；所述沟槽包括位于半导体基板中央有源区A内的栅极沟槽301、有源区A外侧的栅极引出区B内的栅极引出沟槽302、有源区A和栅极引出区B外圈的分压保护区C内的分压保护沟槽303、分压保护区C外圈的截止保护区D内的截止保护沟槽304；其中，分压保护沟槽303和截止保护沟槽304为环形结构；有源区A内的栅极沟槽301和栅极引出区B内的栅极引出沟槽302通过半导体基板端头的横向沟槽相互连通；

沟槽深度超过第二导电类型轻掺杂体区3的深度；

步骤(d)，如图3所示，在上述沟槽结构内壁以及半导体基板表面生长绝缘氧化层4；绝缘氧化层4可作为栅氧层；

绝缘氧化层4厚度控制在15～150nm；需要说明的是，图3以及后续的图中，外延层2表面的绝缘氧化层4未画出；

步骤(e)，如图4所示，在有源区A内注入第一导电类型杂质离子，离子注入工艺为带角度注入，注入角度≥7度，通过高温退火激活形成第一导电类型耗尽层5，第一导电类型耗尽层5位于半导体基板中央有源区A内的栅极沟槽301侧壁；

第一导电类型耗尽层5的纵向深度大于第二导电类型轻掺杂体区3的结深并且小于有源区A沟槽深度；注入离子一般是砷或磷或者锑；

也可以先进行步骤(e)再进行步骤(d)；

步骤(f)，如图5所示，在半导体基板正面淀积多晶硅6；多晶硅6填充外延层2内的沟槽，及覆盖外延层2表面；

刻蚀半导体基板正面的多晶硅，仅保留在沟槽内的多晶硅，同时保留半导体基板正面的绝缘氧化层4；

在栅极沟槽301内形成栅电极301′，在栅极引出沟槽302内形成栅引出结构302′，在分压保护沟槽303内形成分压保护环303′，在截止保护沟槽304内形成截止保护环304′；

步骤(g)，如图6所示，注入第一导电类型杂质，并退火激活；在有源区A内第二导电类型轻掺杂体区3上部形成第一导电类型源极7；在截止保护区D内截止保护环304′外侧的第二导电类型轻掺杂体区3上部形成第一导电类型子区7′；

本步骤中，由光刻板定义离子注入位置，注入的杂质通常是磷（Phosphorus），注入能量在20-50Kevz之间；

步骤(h)，如图7所示，在外延层2及沟槽多晶硅表面淀积绝缘介质层8，并回流；绝缘介质层8厚度在0.5-0.9um之间；

步骤(i)，通过接触孔版光刻、选择性的掩蔽和刻蚀绝缘介质层8，随后刻蚀外延层2表面，形成引线孔9；

各引线孔9分别位于有源区A内第二导电类型体区3上方、栅极引出区B内栅引出结构302′上方、截止保护区D内截止保护环304′外侧的第二导电类型轻掺杂体区3上方；

引线孔深度大于第一导电类型源极7深度且小于的第二导电类型轻掺杂体区3的结深；

步骤(j)，通过引线孔9注入第二导电类型杂质，并退火激活；

步骤(k)，如图8所示，在上述绝缘介质层8和引线孔9内均匀淀积金属10，选择性的掩蔽和刻蚀金属层10，得到连接栅引出结构302′的栅极金属10和连接第一导电类型源极7的源极金属11，以及连接第一导电类型子区7′的截止保护区金属12；

此步骤中，淀积金属通常是先淀积一层薄的钛（Ti）,然后再选择淀积钨（W）或铝硅铜(AlSiCu)或铝铜（AlCu）；

步骤(l)，进行器件背面工艺，如进行背面减薄和背面金属化工艺；减薄厚度在100-300um之间 ，减薄后背面蒸镀金属，形成器件漏极。

上述工艺所形成的耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底1，以及在第一导电类型重掺杂衬底1上形成的第一导电类型轻掺杂外延层2，衬底1和外延层2构成形成半导体基板；其特征在于，半导体基板上包括有源区A、栅极引出区B和终端保护区；

有源区A位于半导体基板中央区域，栅极引出区B位于有源区A外侧，终端保护区位于有源区A和栅极引出区B外圈；

在有源区A内，第一导电类型轻掺杂外延层2上部有第二导电类型轻掺杂体区3和沟槽状的栅电极301′，栅电极301′两侧有第一导电类型耗尽层5，栅电极301′顶部侧面设有第一导电类型源极7；栅电极301′与第一导电类型源极7、第一导电类型耗尽层5、第二导电类型轻掺杂体区3、外延层2通过栅氧层电绝缘；

在有源区A内，外延层2表面覆盖绝缘介质层8，第二导电类型轻掺杂体区3上方的绝缘介质层8中设有引线孔9，源极金属11淀积在绝缘介质层8表面和有源区A内引线孔中，与第二导电类型轻掺杂体区3和第一导电类型源极7连接；栅电极301′通过其顶部的绝缘介质层8与源极金属11隔离；

在栅极引出区B内，第一导电类型轻掺杂外延层2上部有第二导电类型轻掺杂体区3和沟槽状的栅引出结构302′，栅引出结构302′与第二导电类型轻掺杂体区3、外延层2通过绝缘氧化层4电绝缘；外延层2表面覆盖绝缘介质层8，栅引出结构302′上方的绝缘介质层8中设有引线孔9，栅极金属10淀积在在绝缘介质层8表面和栅极引出区B内引线孔中，与栅引出结构302′连接；

栅电极301′与栅引出结构302′通过半导体基板端头的横向沟槽连接。

源极金属11在引线孔9中的深度大于第一导电类型源极7深度且小于第二导电类型轻掺杂体区3的结深。

所述“第一导电类型”和“第二导电类型”两者中对于N型MOS场效应管，第一导电类型指N型，第二导电类型为P型；对于P型MOS场效应管，第一导电类型与第二导电类型所指的类型与N型MOS场效应管正好相反。

在上述实施例中，以所述第一导电类型为 N 型，所述第二导电类型为 P 型为例进行介绍，在其他改变的实施例中，也可以使得第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型，此时半导体衬底1为P型。

最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。