1.一种低剖面双向双极化微带天线，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板的前表面设置有方形振子辐射单元，所述介质基板的前表面位于方形振子辐射单元的外侧设置有第一回字形辐射地基，所述方形振子辐射单元与所述第一回字形辐射地基之间设置有间隙，所述第一回字形辐射地基的上内侧边缘设置有上缺口，所述第一回字形辐射地基的下内侧边缘设置有下缺口，所述第一回字形辐射地基的左内侧边缘设置有左缺口，所述第一回字形辐射地基的右内侧边缘设置有右缺口，所述方形振子辐射单元的顶部连接有延伸至所述上缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的竖直λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的左侧连接有延伸至所述左缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的水平λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的底部连接有延伸至所述下缺口内腔中的下微带馈线，所述方形振子辐射单元的右侧连接有延伸至所述右缺口内腔中的右微带馈线，所述下微带馈线、右微带馈线与所述第一回字形辐射地基之间均设置有空隙，所述介质基板的背面设置有第二回字形辐射地基，所述介质基板上沿所述第一回字形辐射地基的内侧边缘设置有多个贯穿所述介质基板的金属化孔，所述金属化孔的两端分别与所述第一回字形辐射地基、第二回字形辐射地基连接。
2.根据权利要求1所述的低剖面双向双极化微带天线，其特征在于：所述介质基板为F4B高频板且介电常数为2.65。
3.根据权利要求1或2所述的低剖面双向双极化微带天线，其特征在于：所述介质基板的长度为100mm，宽度为100mm，厚度为1mm。
4.根据权利要求1或2所述的低剖面双向双极化微带天线，其特征在于：所述第二回字形辐射地基的上内侧边缘和左内侧边缘均设置有开槽。
5.根据权利要求1或2所述的低剖面双向双极化微带天线，其特征在于：所述竖直λ/4短路线与所述水平λ/4短路线垂直设置。
6.根据权利要求1或2所述的低剖面双向双极化微带天线，其特征在于：所述下微带馈线、右微带馈线垂直设置。