具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层的制作方法

本公开涉及一种半导体构件，尤其涉及一种具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层。

背景技术：

因为GaN材料具有比基于硅的半导体更宽的带隙值，其是用于制造绿色波长或蓝色波长发光器件和用于制造高功率或高电压晶体管的理想材料。本发明人已经认识到和意识到，III族氮化物材料的一些晶体取向可提供超过其他晶体取向的提高的器件性能。另外，由于其宽的带隙，所以当III-V族氮化物材料用于制造集成晶体管时可表现出更高的击穿电压。因此，III-V族氮化物材料对于光电子和高功率电子应用可能是理想的。

从2009年首次展示绿色LD起，半极性(20-21)取向最近已经为高效和长波长LED和激光二极管(LD)的首要候选者。相比较于极性或非极性取向，半极性氮化镓材料可以对高效发光二极管是有利的，并且可以为效率下降提供解决方案且在发光二极管中实现高效、长波发射。但是到目前为止，用于蓝光的大面积GaN的特殊晶面(20-2-1)很难获得。

技术实现要素：

本公开旨在解决上述和/或其他技术问题并提供了一种具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层，包括：第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层，其中第一半极性氮化镓外延层生长于图案化蓝宝石衬底上，而第二半极性氮化镓外延层采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长在第一半极性氮化镓外延层的背向图案化蓝宝石衬底的表面上，第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层背向图案化蓝宝石衬底的一面都具有(20-21) 取向；以及第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的通过化学-机械抛光法(CMP)进行平坦化处理的表面具有(20-2-1)取向。

根据本公开的具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层，其中第二半极性氮化镓外延层不小于0.5mm。

根据本公开的另一个方面，提供一种用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，所述方法包括：邻靠图案化蓝宝石衬底的晶体生长表面生长具有(20-2-1)取向的第一半极性氮化镓外延层，所述第一半极性氮化镓外延层平行于所述衬底的加工表面；在第一半极性氮化镓外延层的表面采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长具有(20-2-1)取向的第二半极性氮化镓外延层，所述第二半极性氮化镓外延层厚度不小于0.5mm；从图案化蓝宝石衬底上整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层；以及通过化学-机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理，从而获得具有(20-2-1)取向表面的半极性氮化镓外延层。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其还包括：在生长所述第二半极性氮化镓外延层之前，通过化学-机械抛光法(CMP对第一半极性氮化镓外延层的表面进行平坦化处理。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其中第一半极性氮化镓外延层通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法生长而成。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其中第一半极性氮化镓外延层使用氮载气进行生长。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其中通过化学-机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理将去掉第一半极性氮化镓外延层的一半以上的厚度。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其中通过化学-机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理将去掉整个第一半极性氮化镓外延层。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其还包括：在生长第一半极性氮化镓外延层之前，形成掩模层以覆盖所述图案化蓝宝石衬底的表面。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其中形成所述掩模层包括通过气相沉积法共形地沉积材料。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其还包括从所述晶体生长表面移除所述共形地沉积的材料。

根据本公开的用于在衬底上形成具有(20-2-1)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，其中从图案化蓝宝石衬底上整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层的方法包括下述方式之一：通过激光照射第一半极性氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的以熔化两者的连接界面、借助空腔物理剥离以及通过热应力剥离方式。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1所示的是根据本公开实施方案的在图案化蓝宝石衬底上生长(20-2-1) 半极性GaN的截面示意图；

图2所示的是根据本公开的实施方案的在PSS衬底上形成的包含有第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层的半镓极性GaN正视图的扫描电子显微照片；

图3是示出根据本公开的第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层整体分离示意图。

图4是示出根据本公开的分离后的外延片的CMP加工方位示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本开。除非另有定义，本文使用的所有其他科学和技术术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。在本公开和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本公开采用了“平行”或“垂直”等术语，但是并不表示两者完全理论平行或垂直，而是在合理范围内的平行关系(例如两者之间的夹角在10毫度以内)或垂直关系(例如两者之间的夹角与90度在10毫度误差范围内)。当参照以下具体实施方案中的附图时，可使用空间标记“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“垂直”、“水平”等。例如，当参照所述附图时，“垂直”可用于指垂直于衬底表面的方向，并且“水平”可用于指平行于衬底表面的方向。“上部”、“顶部”或“上方”可用于指远离衬底的垂直方向，而“下部”、“底部”或“下方”可用于指朝向衬底的垂直方向。这样的指代用于教导的目的，并不旨在作为具体化器件的绝对参考。可以以任何合适方式对具体化器件进行空间取向，所述方式可不同于附图中所示的取向。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在…时”或“当…时”或“响应于确定”。

为了使本领域技术人员更好地理解本公开，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细说明。

如图1所示，外延层200生长在图案化蓝宝石衬底110，其具有跨越蓝宝石衬底110表面图案化的沟槽和条纹阵列。梯形条纹阵列包括多个大致平坦的表面，其中至少一些被阻止晶体从蓝宝石生长的掩模材料覆盖(未示出)。沟槽和条纹阵列的表面可以在不同方向取向，其中包括晶体生长表面115。晶体生长表面可大致平行于根据一些实施方案的蓝宝石的c-面小面，所述c- 面小面的方向由箭头所示。氮化镓半导体可在不同位置从晶体生长表面115 不断生长直到彼此分离的氮化镓块在蓝宝石衬底上的图案化特征上合并以形成连续的第一半极性氮化镓外延层120，如图1所示。氮化镓半导体可部分地或全部地跨越蓝宝石衬底延伸并在衬底110上形成“平坦”的“待加工表面”125，也就是第一半极性氮化镓外延层120和第二半极性氮化镓外延层130 之间的界面。在该“待加工表面”125，可以继续外延生长获得集成器件。

图案化蓝宝石衬底110的梯形条纹通过常规方式在刻蚀形成。例如，在图案化蓝宝石衬底110顶部对准蓝宝石衬底的晶向形成图案化抗蚀剂(例如软抗蚀剂，聚合物抗蚀剂，或者例如硬抗蚀剂，图案化无机材料)。用于本公开的PSS衬底110可以如中国专利公开号CN106233429A所披露的那样的图案化蓝宝石衬底110，其被刻蚀处图案后，移除抗蚀剂。为了晶体生长良好，可以利用由二氧化硅或氮化硅通关过CVD或PECVD沉积形成的高温共形涂层(未示出)来掩模蓝宝石衬底的选择表面。通常约10nm至约50nm的高温共形涂层可形成在图案化蓝宝石衬底110的选择表面上。随后采用遮蔽如图 1中所示的表面115的方式在高温共形涂层上采用光刻或遮蔽蒸镀的方式形成抗蚀剂层(未示出)，从而在高温共形涂层上除c-面表面115之外的位置形成抗蚀剂层。随后，通过选择性各向异性干法蚀刻法，刻蚀掉未被抗蚀剂所遮蔽的表面115处的高温共形涂层，露出表面115处的蓝宝石衬底的晶体生长表面115。随后清除其他位置的蚀刻剂。从而仅有晶体生长表面115露出，而其他部位被高温共形涂层覆盖的PSS衬底。用于本公开的PSS衬底制作是一种现有技术，因此不在此进行赘述。

在准备好如上所述的PSS衬底之后，可以采用MOCVD进行第一半极性氮化镓外延层120。在开始生长第一半极性氮化镓外延层120之前，可将反应室中的温度倾斜升温至更高的温度以使缓冲层退火一段时间。在一些实施方案中，可将温度升高到约1000℃至约1100℃之间的值。退火时间可为约 1分钟至约10分钟。在一些情况下，可将温度升高到1000℃至1100℃之间的值，并且退火时间可为约1分钟至约10分钟。

随后，采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)进行第一半极性氮化镓外延层120的外延生长。在一些实施方案中，可使用分子束外延(MBE)法、气相外延(VPE)法或原子层沉积。第一半极性氮化镓外延层120的生长可在约 1000℃至约1100℃的温度下进行，例如，可在约1030℃的温度下进行。在第一半极性氮化镓外延层120生长期间，可将室压力保持为约100毫巴至约 250毫巴。母材NH3的流量可为约1slm至约4slm，并且母材三甲基镓(TMGa) 的流量可为约30sccm至约50sccm。

如图1所示，当第一半极性氮化镓外延层120的半极性GaN材料的生长从晶体生长表面115进行时，首先多个块状III族氮化物晶体126跨越图案化蓝宝石衬底110表面形成，如图1中虚线所显示的部位所示。尽管在图1中仅仅显示了一个块状126，但是实际上每个图案周期内同时都会出现。为了简便和示意性表示，仅仅在中部画出了一个。因为图案化蓝宝石衬底110上倾斜的晶体生长表面115，所以氮化镓晶体250可以以(20-21)晶面大致平行于蓝宝石衬底110的最初平坦表面生长，尽管图1中所示看起来夹角很大，但是仅仅是示意显示。通过持续进行外延生长，使得块状III族氮化物晶体 126持续生长而合并以形成跨越衬底110的第一半极性氮化镓外延层120，如

图1所示。根据一些实施方案，第一半极性氮化镓外延层120的厚度可为约 1微米至约10微米。如果PSS的图案具有较小的周期性(例如，小于1微米)，则第一半极性氮化镓外延层120的厚度可小于1微米。

为了降低第一半极性氮化镓外延层120的表面的缺陷数量。人们通常会在PSS衬底110上生长第一半极性氮化镓外延层120之前，在露出晶体表面上制备缓冲层以形成集成电路等级的半极性GaN。根据一些实施方案，PSS 衬底110可在清洁后低温生长GaN或AlN缓冲层，例如低于约600℃。清洁过程采用常规方式进行。具体的缓冲层的过程不再赘述，可以参考现有技术进行。需要指出的是，缓冲层并不是本公开的必不可少的构成要素。

随后，在第一半极性氮化镓外延层120的平坦的表面继续进行半极性III 族氮化物材料的生长以便外延生长出第二半极性氮化镓外延层130。为了方便后续工艺的进行，第二半极性氮化镓外延层130采用了氢化物气相外延 (HVPE)方法进行生长，这样能够较好地生长出较快地生长出较厚的第二半极性氮化镓外延层130。HVPE设备具有设备简单、生长速度快(速率高达 700～800μm/h)的优点，可生长均匀、大尺寸的GaN厚膜(位错密度仅为10⁴/cm²)。本公开采用常规的氢化物气相外延(HVPE)方法进行生长。由于第二半极性氮化镓外延层130是在第一半极性氮化镓外延层120上进行继续生长，因此，很少出现常规氢化物气相外延(HVPE)方法厚度增加过程中裂片的情况。通过氢化物气相外延(HVPE)方法生长的第二半极性氮化镓外延层 130的厚度不小于100微米。但是为了方便后续步骤的加工，第二半极性氮化镓外延层130的厚度不小于200微米。或者，第二半极性氮化镓外延层130 的厚度不小于500微米。或者，第二半极性氮化镓外延层130的厚度可以达到1毫米，甚至更厚。

可选择地，为了改善第二半极性氮化镓外延层130的生长环境，可以在第二半极性氮化镓外延层130生长之前，对第一半极性氮化镓外延层120的表面进行平坦化处理，从而获得利于第二半极性氮化镓外延层130生长表面。例如，可使用化学-机械抛光(CMP)以使外延第一半极性氮化镓外延层120层的表面平坦化。平坦化可移除第一半极性氮化镓外延层120的约10％至20 ％。例如，第一半极性氮化镓外延层120可生长成30微米的厚度，并且使用化学-机械抛光(CMP)移除约3微米至约6微米。从某种意义而言，第一半极性氮化镓外延层120可以是本公开的构件的牺牲层。因此，第一半极性氮化镓外延层120的厚度可以小于10微米。为了减少大量的移除导致表面误差生成，因此，不需要在此处进行大量的抛光去除以避免抛光过程引起的潜在亚表面损伤。实验证据表明，对于典型CMP过程来说，GaN中抛光损伤的深度在低于约1.5μm至约2.6μm的范围内。因此，根据一些实施方案，约30 微米的最初外延层厚度和约3微米至约6微米的CMP移除可在GaN的加工表面上提供合适的材料质量。

图2所示的是根据本公开的实施方案的在PSS衬底上形成的包含有第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层的半镓极性GaN正视图的扫描电子显微照片。如图2所示，其清楚显示PSS衬底110上生长的第一半极性氮化镓外延层120和第二半极性氮化镓外延层130的一部分。其结构对应于图1中的示意图。如上参考图1所描述的，材料表现出平行于PSS衬底的 (22-43)小面的(20-21)GaN取向。

随后，在采用上述方式形成的包含第一半极性氮化镓外延层120和第二半极性氮化镓外延层130的半极性(20-21)GaN外延层的基础上获得半极性 (20-2-1)GaN外延层。

首先，将包含第一半极性氮化镓外延层120和第二半极性氮化镓外延层 130的半极性(20-21)GaN外延层从PSS衬底110上剥离下来。该剥离过程可采用激光照射方式、空腔辅助物理剥离以及通过热应力剥离方式。具体而言，采用激光从PSS的下部照射第一半极性氮化镓外延层120与PSS衬底110之间以高温熔化两者的连接界面，从而使得第一半极性氮化镓外延层120与PSS 衬底110分离。可选择地，如图1或2所示，在第一半极性氮化镓外延层120 生长过程中，会在第一半极性氮化镓外延层120与PSS衬底110之间形成空腔，因此，第一半极性氮化镓外延层120与PSS衬底110之间的连接由于这些空腔而显得脆弱，只需要沿着第一半极性氮化镓外延层120与PSS衬底110 的交界处施加一定的物理力，即可以将第一半极性氮化镓外延层120从PSS 衬底110上玻璃下来。可选择地，可以对第一半极性氮化镓外延层120与PSS 衬底110之间施加一定的热应力，使得两者分离开。图3所示的是第一半极性氮化镓外延层120和第二半极性氮化镓外延层130整体与PSS衬底110分离后的示意图。

尽管上述结构和方法主要涉及形成半极性(20-21)GaN外延层，但是所述方法可用于形成另一些半极性小面取向。例如，可使用以不同晶向选择性切割的图案化蓝宝石衬底生长非极性(1120)和(1010)，以及半极性(1011)、(1122)。事实上，可通过使用正确切片的蓝宝石衬底并蚀刻蓝宝石以露出c-面晶体生长表面，使外延层中任何GaN取向成为可能。

遵循上述方法，在图案化蓝宝石衬底上进行半极性(20-21)GaN的外延生长、平坦化和再生长。在这些实施例过程中，蓝宝石衬底的直径为2英寸，但是遵循相同的过程也可使用其他直径。

具体而言，使具有平行于其表面的(2243)小面的蓝宝石衬底图案化，并且包括间距约6μm分开的晶体生长表面115，并且蓝宝石衬底中沟槽的蚀刻深度D为约0.5μm。晶体生长表面与衬底的加工表面的取向为约75°。PSS衬底上的其他表面用PECVD氧化物掩模。在清洁之后，将PSS装载到用于III族氮化物生长的MOCVD反应器中。在H2环境下于1100℃下进行热清洁和去吸附步骤。随后，低温AIN缓冲层(约20nm厚)在约500℃、200毫巴压力、约1slm的NH3流量和约40sccm的三甲基铝(TMA)流量下形成。缓冲层的沉积速率为约0.15nm/秒。在生长之后，在NH3和H2的混合物中在约1030℃下使缓冲层退火约4分钟。NH3流量为约0.5slm至约4slm，并且H2流量为约4slm至约8slm。

随后，半极性(20-21)GaN从晶体生长表面的缓冲层生长。GaN生长条件为约1030℃、约200毫巴、约1slm的NH3流量和约40sccm的三甲基镓(TMGa) 流量。生长在约3.6μm/小时的生长速率和约500的V/III比下进行。半极性 GaN外延层120的首次生长厚度为约10.5微米。

使用购自法国Saint-Baldoph的Novasic的商业化学-机械抛光方法使波纹状外延层的表面平坦化。对蓝宝石衬底上的2”(20-21)GaN进行抛光以得到跨越GaN外延层的镜面反射表面。使用反射率测量剩余的GaN材料厚度，表明跨越衬底从最初的10.5μm GaN外延层中移除3μm至5μm范围的GaN材料。移除的材料的量的差相当于剩余平坦化GaN层的约20％厚度变化。尽管厚度变化可潜在地导致来自(20-21)表面的切余，但是在本情况下其相当于小于5×10^-3度。因此，剩余的(2021)小面大致平行于衬底的加工表面。CMP过程之后的平坦化GaN衬底的表面通过原子力显微镜(AFM)测量表征。测量 15μm×15μm尺寸面积的小于约0.5nm的均方根(RMS)粗糙度，并且其在衬底中心与边缘之间的RMS粗糙度和形态学二者中是不可区别的。AFM图像还示出了直表面变化，其具有6μm的周期性和小于1nm的高度，这对应于图案化蓝宝石衬底的下面图案。

然后进行外延层的再生长。第一组再生长条件包括使用氢载气的HVPE。其他的再生长参数如下变化：约1μm/小时至约2μm/小时的生长速率、约980℃至约1070℃的温度、约100毫巴至约300毫巴的压力、约0.5slm至约4slm 的NH3流量。TMGa的流量为约40sccm，由此获得在再生长之后的(20-21) 取向的半极性GaN层。这样再生长GaN的(20-21)表面上有微小面。尽管可以使用氮(N2)载气代替氢载气，但是采用氮(N2)载气不能获得采用氢载气的 HVPE所获得的生长速度快以及生长均匀、大尺寸的GaN厚膜的优点。

随后，如上参考图3所述，将第一半极性氮化镓外延层120和第二半极性氮化镓外延层130整体与PSS衬底110分离，获得如图4所示的分离体外延片。将第一半极性氮化镓外延层120的分离界面作为上表面120-1，进行化学-机械抛光(CMP)。该上表面120-1的取向为(20-2-1)。同样，使用购自法国 Saint-Baldoph的Novasic的商业化学-机械抛光方法使波纹状外延层的表面平坦化。对所分离的外延片的衬底上的表面120-1(20-21)GaN进行抛光以得到跨越GaN外延层的镜面反射表面。使用反射率测量剩余的GaN材料厚度，表明跨越衬底从最初的10.5μm GaN外延层中移除3μm至5μm范围的GaN 材料。移除的材料的量的差相当于剩余平坦化GaN层的约20％厚度变化。尽管厚度变化可潜在地导致来自(20-21)表面的切余，但是在本情况下其相当于小于5×10^-3度。因此，剩余的(20-2-1)小面大致平行于衬底的加工表面。CMP 过程之后的平坦化GaN衬底的表面通过原子力显微镜(AFM)测量表征。测量 15μm×15μm尺寸面积的小于约0.5nm的均方根(RMS)粗糙度，并且其在衬底中心与边缘之间的RMS粗糙度和形态学二者中是不可区别的。AFM图像还示出了直表面变化，其具有6μm的周期性和小于1nm的高度，这对应于图案化蓝宝石衬底的下面图案。

随后，可以选择进行第二再生长过程，其中使用氮(N2)载气代替氢载气。其他再生长参数按照使用H2作为载气时的情况变化。在N2载气下的再生长示出了再生长层完全不同的表面形态学。对于这些再生长条件而言， GaN(20-2-1)取向的加工表面是平坦的，并且未示出有小面。在CMP之后在 GaN上再生长出约500nm的GaN。

再生长参数的变化表明通过外延再生长形成无小面的(20-2-1)GaN的数个趋势。温度的下降和生长速率的提高导致更平滑且更平坦的(20-2-1)GaN。压力的下降和V/III比的增大导致更平滑且更平坦的(20-2-1)GaN。AFM测量示出了在N2载气条件下再生长的(20-2-1)GaN的表面平滑度小于3nm RMS。这些结果证明，微加工等级、平坦的(20-2-1)GaN层可在低成本图案化蓝宝石衬底上生长。

这些结果还克服了与使用氢化物气相外延(HVPE)生长在衬底上形成毫米厚的GaN层的常规方法相关的困难和复杂性。这样的技术可在GaN层中导致高内应力、破裂和夹杂物。此外，由于高纯度前体材料的成本和长的生长时间，这些工艺可能较昂贵。

随后，可以在半极性(20-2-1)GaN中制造多量子阱

已经完成了半极性GaN上的再生长过程以维持平坦的(20-2-1)表面，进行InGaN活性层的生长。例如，在N2载气下，在标准c-面多量子阱(MQW) 生长条件下生长出InGaN/GaN MQW结构。选择阱/屏障宽度为约3nm/8nm，其中QW生长温度为740℃至770℃，并且生长速率为约0.1μm/小时。屏障生长温度为70℃更高。在GaN层的再生长期间形成MQW结构。在此不进行详细描述，可参见现有技术进行。

以上通过具体实施方式描述了半极性(20-2-1)GaN外延片的结构和制造工艺。其中术语“约”和“大约”可用于意指在一些实施方案中目标尺寸的±20％以内、在一些实施方案中目标尺寸的±10％以内、在一些实施方案中目标尺寸的±5％以内，以及还有在一些实施方案中目标尺寸的±2％以内。术语“约”和“大约”可包括目标尺寸。

如本文所使用的选择性蚀刻包括使衬底经历优先地以比第二材料更快的速率蚀刻至少一种材料的蚀刻剂。在一些情况下，第二材料可形成为硬掩模 (例如，无机材料如氧化物、氮化物、金属等)或软掩模(例如，光致抗蚀剂或聚合物)。在一些实施方案中，第二材料可为器件结构的一部分，其具有与第一材料不同的材料特性(例如，掺杂密度、材料组成或晶体结构)。选择性蚀刻可以是干法蚀刻或湿法蚀刻。

本文所述的技术方案可实现为方法，其中已经提供了至少一个实施例。作为所述方法的一部分所执行的动作可以以任意合适的方式排序。因此，可以构建实施方案，其中各动作以与所示的次序所不同的次序执行，其可包括同时执行一些动作，即使这些动作在说明性实施方案中被示为顺序动作。此外，方法在一些实施方案中可包括比示出的那些更多的动作，在其他实施方案中包括比示出的那些更少的动作。

尽管附图一般地示出了外延生长的GaN层的小部分，但是应理解的是，大面积或整个衬底可用这样外延地生长的层覆盖。此外，集成电路器件(例如，晶体管、二极管、晶闸管、发光二极管、激光二极管、光电二极管等)可使用外延生长的材料制造。在一些实施方案中，集成电路器件可用于消费电子器件，如智能手机、平板电脑、PDA、电脑、电视、传感器、照明设备、显示器，以及专用集成电路。

虽然在此描述了本发明的至少一个说明性的实施方案，但是对于本领域的技术人员而言，可容易地进行多种改变、修改和改进。这样的改变、修改和改进旨在在本发明的精神和范围以内。因此，前述说明仅通过举例方式并不旨在作为限制。本发明仅由下列权利要求及其等同物所限定。