1.一种多层结构，包括：
衬底；
沉积在所述衬底上的耦合层；和
沉积在所述耦合层上的介电层，
其中，与不具有所述耦合层的多层结构相比，在存在所述耦合层的情况下，所述介电层的剪切强度提高至少约2倍。
2.如权利要求1所述的多层结构，其中，所述耦合层使所述介电层的剪切强度提高至少约3倍。
3.如权利要求1所述的多层结构，其中，所述衬底包括环氧模塑化合物。
4.如权利要求3所述的多层结构，其中，所述衬底包括嵌入式半导体器件。
5.如权利要求3所述的多层结构，其中，所述多层结构还包括所述衬底的表面处的至少一种图案化的金属结构。
6.如权利要求1所述的多层结构，其中，所述耦合层由包含以下的组合物制成：
至少一种聚合物；
至少一种交联剂；和
至少一种能够引发交联反应的引发剂。
7.如权利要求6所述的多层结构，其中，所述聚合物是至少一种(甲基)丙烯酸酯聚合物。
8.如权利要求6所述的多层结构，其中，所述交联剂包含选自由乙烯基、烯丙基、乙烯基醚基、丙烯基醚基、(甲基)丙烯酰基、sih基和巯基组成的组中的至少一种官能团。
9.如权利要求1所述的多层结构，其中，所述介电层包含选自由聚酰亚胺、聚苯并恶唑、(甲基)丙烯酸酯聚合物、环氧聚合物、聚氨酯、聚酰胺、聚酯、聚醚、线型酚醛清漆树脂、苯并环丁烯树脂、聚苯乙烯及其混合物组成的组中的至少一种聚合物。
10.如权利要求9所述的多层结构，其中，所述介电层是光敏层。
11.如权利要求1所述的多层结构，其中，所述介电层包括：
至少一种完全亚酰胺化的聚酰亚胺聚合物；
至少一种交联剂；和
至少一种能够引发交联反应的引发剂。
12.一种用于制备权利要求1所述的多层结构的方法，包括：
(a)用形成所述耦合层的组合物涂覆衬底以形成第一涂覆衬底；以及
(b)用形成所述介电层的组合物涂覆所述第一涂覆衬底。
13.如权利要求12所述的方法，还包括通过使所述第一涂覆衬底经受烘烤或暴露于光源的步骤使所述耦合层交联。
14.如权利要求12所述的方法，还包括通过使所述介电层经受烘烤或暴露于光源的步骤使所述介电层交联。
15.如权利要求12所述的方法，还包括通过选自由光刻工艺、激光烧蚀工艺和等离子体蚀刻工艺组成的组的工艺使所述介电层图案化。
16.一种三维物体，包括通过权利要求12所述的方法形成的至少一个多层结构。
17.一种半导体器件，包括权利要求16所述的三维物体。