一种阵列基板及微全分析装置的制作方法

本发明涉及检测技术领域，尤其涉及一种阵列基板及微全分析装置。

背景技术：

阵列基板上的晶体管的导通能力直接影响着数据传输的准确性。尤其是随着驱动电压的升高，晶体管的稳定性会受到很大的影响。即随着电压的升高，晶体管的阈值电压以及特性会变得很差，从而影响晶体管的导通特性。

在相关技术中，通过增加晶体管的有源层图形的长宽比，可以提高晶体管的稳定性，在驱动电压增大时也可保证晶体管的导通特性不受影响，但是增加晶体管的有源层图形的长宽比就会占用像素区域更大的面积，导致像素的个数减少，不利于高像素的设计。

因此，如何在不改变像素区域面积的同时增加晶体管的有源层图形的长宽比是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

本发明提供一种阵列基板及微全分析装置，用以解决相关技术中增加晶体管的沟道长宽比导致无法实现高像素设计的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：基板，位于所述基板上由数据线和栅线交叉限定的多个像素区域，以及位于所述像素区域内的驱动晶体管；

所述驱动晶体管包括有源层图形，所述有源层图形的延伸方向与所述栅线呈第一预设角度，且在所述第一预设角度方向上所述有源层图形斜跨所述像素区域；

所述驱动晶体管的源漏电极在所述第一预设角度方向上与所述有源层图形连接。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素区域为四边形，所述有源层图形的延伸方向与所述像素区域的对角线方向相同；

且所述有源层图形与所述对角线之间的距离满足预设阈值。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述有源层图形沿所述像素区域的对角线方向延伸。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素区域为矩形。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素区域为平行四边形，所述有源层图形沿所述平行四边形的长对角线方向延伸。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述像素区域还包括：感应晶体管；

所述感应晶体管的有源层图形的延伸方向与所述栅线呈第二预设角度，且在所述第二预设角度方向上所述感应晶体管的有源层图形斜跨所述像素区域；

所述感应晶体管的源漏电极在所述第二预设角度方向上与所述有源层图形连接。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述感应晶体管的有源层图形的延伸方向与所述驱动晶体管的有源层图形的延伸方向平行。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述感应晶体管的有源层图形的长度小于所述驱动晶体管的有源层的长度。

相应地，本发明实施例还提供了一种微全分析装置，包括上述任一实施例所述的阵列基板。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述微全分析装置中，还包括：与所述阵列基板相对设置的光波导，在所述阵列基板与所述光波导之间设置有容纳待分析物的空间。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供了一种阵列基板及微全分析装置，该阵列基板包括：基板，位于所述基板上由数据线和栅线交叉限定的多个像素区域，以及位于所述像素区域内的驱动晶体管；所述驱动晶体管包括有源层图形，所述有源层图形的延伸方向与所述栅线呈第一预设角度，且在所述第一预设角度方向上所述有源层图形斜跨所述像素区域；所述驱动晶体管的源漏电极在所述第一预设角度方向上与所述有源层图形连接。通过将有源层图形的延伸方向与栅线呈第一预设角度进行设置，相比于将有源层的延伸方向与栅线平行设置可以增加有源层图形在延伸方向的长度，即增加了有源层图形的长宽比，并且占用像素区域的面积并未增大，从而实现在增加驱动晶体管的导通特性的同时有利于实现高像素设计。

附图说明

图1相关技术中像素区域内驱动晶体管相对位置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的像素区域内驱动晶体管相对位置的结构示意图之一；

图3为本发明实施例提供的像素区域内驱动晶体管相对位置的结构示意图之二；

图4为本发明实施例提供的像素区域内驱动晶体管相对位置的结构示意图之三；

图5为本发明实施例提供的像素区域内驱动晶体管相对位置的结构示意图之四；

图6为本发明实施例提供的微全分析装置的结构示意图。

具体实施方式

相关技术中的阵列基板如图1所示，包括位于像素区域的晶体管，该晶体管的栅极与对应的栅线gate相连，第一电极与对应数据线source相连，第二电极与驱动电极01相连，有源层图形02的延伸方向与栅线gate平行设置，为了提高晶体管在高电压驱动下的稳定性，需要增加有源层图形02在延伸方向上的长度，若有源层图形02在延伸方向上的长度增加则会导致像素区域所占的面积也会增加，减少了阵列基板上设置像素的个数，不利于高像素设计。

针对相关技术中增加晶体管的沟道长宽比，会导致无法实现高像素设计的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及微全分析装置。为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

具体地，本发明提供一种阵列基板，如图2所示，包括：基板，位于基板上由数据线source和栅线gate交叉限定的多个像素区域，以及位于像素区域内的驱动晶体管；

驱动晶体管包括有源层图形2，有源层图形2的延伸方向与栅线gate呈第一预设角度，且在第一预设角度方向上有源层图形2斜跨像素区域；

驱动晶体管的源漏电极在第一预设角度方向上与有源层图形2连接。

其中，该驱动晶体管的栅极与对应栅线相连，该驱动晶体管的第一极与对应数据线相连，该晶体管的第二极与对应的驱动电极相连，该驱动电极位于驱动晶体管背离基板一侧，该驱动电极可以根据应用场景的不同选择是金属电极或透明电极，在此不作具体限定。

需要说明的是，在本发明实施例提供的阵列基板中，该第一预设角度是指在像素区域的面积固定的情况下，有源层的图形在该第一预设角度的延伸方向上的长度要大于该有源层图形的延伸方向与栅线平行时的长度，其中根据像素区域的形状的不同，该第一预设角度的范围会有所不同，在此不作具体限定。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：基板，位于基板上由数据线和栅线交叉限定的多个像素区域，以及位于像素区域内的驱动晶体管；驱动晶体管包括有源层图形，有源层图形的延伸方向与栅线呈第一预设角度，且在第一预设角度方向上有源层图形斜跨像素区域；驱动晶体管的源漏电极在第一预设角度方向上与有源层图形连接。通过将有源层图形的延伸方向与栅线呈第一预设角度进行设置，相比于将有源层的延伸方向与栅线平行设置可以增加有源层图形在延伸方向的长度，即增加了有源层图形的长宽比，并且占用像素区域的面积并未增大，从而实现在增加驱动晶体管的导通特性的同时有利于实现高像素设计。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，像素区域为四边形，有源层图形2的延伸方向与像素区域的对角线a方向相同；

且有源层的图形2与对角线a之间的距离满足预设阈值。

具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该有源层图形的延伸方向可以与像素区域的对角线的延伸方向平行，除此之外该有源层的图形与该像素区域的对角线平行之间的距离还需满足预设阈值，以保证有源层的图形在与对角线的延伸方向相同时的长度要大于该有源层图形的延伸方向与栅线平行时的长度，其中根据像素区域的形状的不同，该预设阈值会有所不同，在此不作具体限定。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图4所示，有源层图形2沿像素区域的对角线方向延伸。

具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，当有源层图形沿像素区域的对角线方向延伸，可是有源层图形的长度在该像素区域内达到最长，即使驱动晶体管的有源层的长宽比最大，在高电压的驱动下，可以更好的保证驱动晶体管的导通特性。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，像素区域可以为矩形，当然也可以为其他形状的图形，根据实际使用情况进行选择。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图5所示，像素区域为平行四边形，有源层图形2沿平行四边形的长对角线方向延伸。

具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，当像素区域的形状为平行四边形时，该有源层图形可以沿平行四边形的对角线方向延伸，以达到增大有源层图形在延伸方向上长度的目的，优选地，可以使该有源层图形沿平行四边形的长对角线的方向延伸，使得该有源层图形在长对角线的延伸方向上的长度可以达到最大，从而更好的改善驱动晶体管的在高电压驱动下的稳定性。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，像素区域还包括：感应晶体管；

感应晶体管的有源层图形的延伸方向与栅线呈第二预设角度，且在第二预设角度方向上感应晶体管的有源层图形斜跨像素区域；

感应晶体管的源漏电极在第二预设角度方向上与有源层图形连接。

具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，各像素区域还可包括感应晶体管，将位于像素区域内的感应电极或感应器件产生的信号提供给对应的数据线，以实现相应的目的，其中通过增加感应晶体管的有源层图形的长宽比可以防止漏电流的产生，使感应信号的传输更加的准确，该感应晶体管的有源层图形的设置方式与驱动晶体管在像素区域内的设置方式相似，可参考驱动晶体管在像素区域内的位置关系进行实施，在此不再赘述。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，感应晶体管的有源层图形的延伸方向与驱动晶体管的有源层图形的延伸方向平行。

具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，感应晶体管的有源层图形可以与驱动晶体管的有源层同层设置，也可以与驱动晶体管的有源层图形异层设置，当感应晶体管的有源层图形与驱动晶体管的有源层图形异层设置时，可以将感应晶体管的有源层图形与驱动晶体管的有源层图形均设置在像素区域的长对角线的位置处，当然也可以设置在像素区域的其他位置，在此不作具体限定。

为简化制备工艺，可以将感应晶体管的有源层图形可以与驱动晶体管的有源层同层设置，当感应晶体管的有源层图形可以与驱动晶体管的有源层同层设置时，感应晶体管的有源层图形的长度小于驱动晶体管的有源层的长度。即首先保证驱动晶体管的导通稳定性，以实现对驱动电极的驱动。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种微全分析装置，包括上述任一实施例提供的阵列基板。

具体地，在本发明实施例提供的微全分析装置中，如图6所示，还包括：与阵列基板3相对设置的光波导4，在阵列基板3与光波导4之间设置有容纳待分析物5的空间。

具体地，在本发明实施例提供的微全分析装置中，该微全分析装置可以实现控制微量的液滴的移动、分离、聚合、化学反应和生物侦测等，各驱动电极将液滴移动到指定位置，光源经过光波导分离出不同波长的垂直光，从指定位置射出，光敏感应器件(可以是与感应晶体管连接的光敏二极管)通过检测经过液滴之后的光来判断液滴的位置和成分等，其中该微全分析装置的具体工作原理与相关技术中的微全分析系统或装置是相同的，在此不再赘述。

本发明实施例提供了一种阵列基板及微全分析装置，该阵列基板包括：基板，位于所述基板上由数据线和栅线交叉限定的多个像素区域，以及位于所述像素区域内的驱动晶体管；所述驱动晶体管包括有源层图形，所述有源层图形的延伸方向与所述栅线呈第一预设角度，且在所述第一预设角度方向上所述有源层图形斜跨所述像素区域；所述驱动晶体管的源漏电极在所述第一预设角度方向上与所述有源层图形连接。通过将有源层图形的延伸方向与栅线呈第一预设角度进行设置，相比于将有源层的延伸方向与栅线平行设置可以增加有源层图形在延伸方向的长度，即增加了有源层图形的长宽比，并且占用像素区域的面积并未增大，从而实现在增加驱动晶体管的导通特性的同时有利于实现高像素设计。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。