技术特征：
技术总结
一种磁阻传感器结构及其制造方法，包括基底、缓冲层、相变结构、绝缘层和导电材料电极；缓冲层设置在基底的上表面，缓冲层上设置有相变结构和绝缘层，绝缘层设置在相变结构的两侧，且绝缘层高于相变结构；两个绝缘层顶部之间设置有导电材料电极；相变结构包括铁磁层、相变材料和非磁层。本发明将使用相变材料作为非磁性隔离层，由于室温下绝缘的相变材料在电流作用下可转变为导电材料，使磁阻传感器可在GMR与TMR两种效应间可控翻转，实现对磁阻传感器线性测量范围的动态调控。
技术研发人员：刘明;胡忠强;周子尧;王志广;王立乾;关蒙萌;段君宝
受保护的技术使用者：西安交通大学
技术研发日：2019.03.01
技术公布日：2019.06.14