技术特征：
技术总结
本发明提供一种功率器件及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；形成从所述第一外延层上表面延伸至所述第一外延层中的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；在所述第一沟槽底部形成第二介质层，在所述第二介质层上表面形成第三介质层；在所述第三介质层上表面中部形成外延本征层；在所述外延本征层两侧分别形成贯穿所述第三介质层并延伸至所述第二介质层的第二沟槽；在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内填充多晶硅层；在所述第一外延层和所述多晶硅层上表面形成源极结构；在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的漏极，从而提高了器件性能和可靠性。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：福州麦辽自动化设备有限公司
技术研发日：2019.03.22
技术公布日：2019.08.09