1.一种cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底中形成浮置扩散区和位于浮置扩散区一侧的光电二极管区，所述光电二极管区的深度大于浮置扩散区的深度；
刻蚀部分所述光电二极管区，在所述光电二级管区中形成凹槽，所述凹槽深度小于光电二级管区的深度大于浮置扩散区的深度，所述凹槽的侧壁暴露出所述浮置扩散区；
在所述凹槽的侧壁和底部表面形成栅介质层；
在所述栅介质层表面上形成透明的栅电极，所述透明的栅电极填充满凹槽。
2.如权利要求1所述cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，所述光电二极管与所述浮置扩散区接触。
3.如权利要求1所述cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，所述光电二极管与所述浮置扩散区不接触。
4.如权利要求3所述cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除部分所述光电二级管区以及光电二级管区与浮置扩散区之间的部分半导体衬底，在所述光电二级管区中以及半导体衬底中形成凹槽。
5.如权利要求1所述cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅。
6.如权利要求1或5所述cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，所述透明的栅电极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌或氧化铟锡锌。
7.如权利要求6所述cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，所述透明电极层的表面等于或高于半导体衬底的表面。
8.如权利要求1或7所述cmos图像传感器的像素结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层具有暴露出半导体衬底表面的开口；沿开口刻蚀所述半导体衬底，在所述光电二级管区中形成凹槽；在所述开口和凹槽的侧壁以及凹槽的底部表面形成栅介质层；在所述栅介质层表面上形成透明的栅电极，所述透明的栅电极填充满凹槽和开口。
9.一种cmos图像传感器的像素结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底中的浮置扩散区和位于浮置扩散区一侧的光电二极管区，所述光电二极管区的深度大于浮置扩散区的深度；
位于所述光电二级管区中的凹槽，所述凹槽深度小于光电二级管区的深度大于浮置扩散区的深度，所述凹槽的侧壁暴露出所述浮置扩散区；
位于所述凹槽的侧壁和底部表面的栅介质层；
位于所述栅介质层表面上的透明栅电极，所述透明栅电极填充满凹槽。
10.如权利要求9所述cmos图像传感器的像素结构，其特征在于，所述凹槽的底部暴露出部分光电二级管区，所述凹槽的一侧侧壁暴露出浮置扩散区和浮置扩散区底部的部分半导体衬底。
11.如权利要求9所述cmos图像传感器的像素结构，其特征在于，所述凹槽的底部暴露出部分光电二级管区和光电二级管区一侧的半导体衬底，所述凹槽的一侧侧壁暴露出浮置扩散区和浮置扩散区底部的部分半导体衬底。
12.如权利要求9所述cmos图像传感器的像素结构，其特征在于，所述栅介质层的材料为氧化硅。
13.如权利要求9或12所述cmos图像传感器的像素结构，其特征在于，所述透明的栅电极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌或氧化铟锡锌。
14.如权利要求9所述cmos图像传感器的像素结构，其特征在于，所述透明电极层的表面等于或高于半导体衬底的表面。
15.如权利要求9或14所述cmos图像传感器的像素结构，其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底上的介质层，所述介质层具有暴露出半导体衬底表面的开口；位于所述开口和凹槽的侧壁以及凹槽的底部表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面上的透明栅电极，所述透明栅电极填充满凹槽和开口。