1.一种高频低阻抗电解电容器，包括外壳体（1），其特征在于：所述外壳体（1）采用中空圆柱体结构，所述外壳体（1）内腔安装有芯包（2），所述外壳体（1）为开口状，所述外壳体（1）上端开口处安装有绝缘盖板（3），所述绝缘盖板（3）内侧覆盖一层保护膜（4），所述绝缘盖板（3）上开有两个通孔，两个通孔内分别插入正极引脚（5）和负极引脚（6），且所述正极引脚（5）、负极引脚（6）分别与芯包（2）的正极端、负极端电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种高频低阻抗电解电容器，其特征在于：所述芯包（2）包括正极箔（7）、负极箔（8）和电解纸（9），所述正极箔（7）、负极箔（8）和电解纸（9）卷绕形成芯包，所述正极箔（7）、负极箔（8）均通过激光焊或超声焊与正极引脚（5）、负极引脚（6）熔接为一体，所述电解纸（9）由三层w165-40电解纸叠加而成，所述电解纸（9）表面浸有电解液。
3.根据权利要求2所述的一种高频低阻抗电解电容器，其特征在于：所述电解液组份按重量份数包括γ-丁内酯4-10份，羧酸的季铵盐3-8份，磷酸二氢铵2-6份，防水合剂4-10份，对硝基苯甲酸2-6份，络合剂1-3份，缓蚀剂2-5份。
4.根据权利要求1所述的一种高频低阻抗电解电容器，其特征在于：所述保护膜（4）包括第一石墨烯层（10）、第二石墨烯层（11）、铜箔层（12）、氟硅橡胶层（13），所述第一石墨烯层（10）、第二石墨烯层（11）之间分别粘接铜箔层（12）和氟硅橡胶层（13）。
5.根据权利要求2所述的一种高频低阻抗电解电容器，其特征在于：所述正极箔（7）为0.4～0.5uf/cm2的低比容化成正极箔，所述负极箔（8）为2.5v的化成加压负极箔。