1.一种石墨烯亚波长集成光栅的太赫兹辐射源，包括：
外壳，用于保护所述太赫兹辐射源；
电子枪阴极，其设置在外壳开口的一侧，用于发射多电子注；
光栅结构，其设置在外壳内部且表面设有石墨烯层，石墨烯层表面等离子体激元与多电子注进行互作用产生太赫兹辐射；
隔板，其设置在相邻的两个电子注之间，用于隔离电子注；以及
输出端口，其设置在外壳上，用于输出太赫兹辐射。
2.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述电子枪阴极的形状包括带状、矩形、椭圆、圆形中的任一种。
3.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述多电子注的电压为10-30kv。
4.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述多电子注的形状包括带状。
5.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述光栅结构的截面形状包括矩形、三角形、正弦型中的任一种或多种组合。
6.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述光栅结构采用的材料为金属；
所述的隔板采用的材料包括金属。
7.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述的太赫兹辐射源还包括用于收集电子注能量的收集极，所述收集极设置在外壳远离电子枪阴极的开口一侧。
8.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述的光栅结构的延伸方向与所述多电子注延伸方向垂直。
9.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，
所述外壳为两端开口的盒装结构；
所述输出端口设在外壳设有光栅结构的一面上。
10.如权利要求1-9任一项所述的太赫兹辐射源在太赫兹技术领域的应用。