1.一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供含有钐离子、铟离子的盐溶液；
采用旋涂方式将所述盐溶液涂覆在在洁净的二氧化硅表面，并进行退火处理，在二氧化硅表面得到钐掺杂的金属氧化物薄膜，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜的均方根粗糙度为(0.200～0.215)nm。
2.如权利要求1所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜为钐掺杂的氧化铟薄膜；
和/或，所述钐掺杂的氧化铟薄膜的厚度为(4～10)nm。
3.如权利要求1所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜中钐的摩尔含量为2％～10％。
4.如权利要求1所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜中钐的摩尔含量为5％，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜厚度为(4～5)nm。
5.如权利要求1所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火温度为(300～350)℃，退火时间为(0.5～1.5)h。
6.如权利要求1所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括在所述金属氧化物薄膜形成金属电极的步骤。
7.如权利要求1所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述盐溶液为硝酸钐和硝酸铟的混合溶液。
8.一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括钐掺杂的金属氧化物薄膜，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜中钐的摩尔含量为2％～10％、厚度(4～10)nm、均方根粗糙度为(0.200～0.215)nm。
9.如权利要求8所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管的载流子迁移率在(3.67～21.7)cm2v-1s-1区间；开关比在4.2×104～1.5×108之间；亚阈值摆幅为(0.4～2.77)v/dec；正偏压的阈值电压偏移不大于10v，正偏压的阈值电压偏移不大于10v；所述钐掺杂的金属氧化物薄膜为钐掺杂的氧化铟薄膜。
10.一种平板显示设备，包括晶体管，其特征在于，所述晶体管为权利要求8～9任一项所述的钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管。