技术总结
本发明涉及薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种钐掺杂的金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：提供含有钐离子、铟离子的盐溶液；采用旋涂方式将所述盐溶液涂覆在在洁净的二氧化硅表面，并进行退火处理，在二氧化硅表面得到钐掺杂的金属氧化物薄膜，所述钐掺杂的金属氧化物薄膜的均方根粗糙度为(0.200～0.215)nm。本发明提供的制备方法具有工艺简单、可操作性强、产品表观均一性好、生产效率高，并且能够降低生产成本以及提高金属氧化物薄膜和二氧化硅界面间的载流子密度和钝化陷阱密度等特点，获得的金属氧化物薄膜的平整度高，并且有优异的电性能和稳定性。
技术研发人员：许望颖;李彦苇;洪利萍;朱德亮;吕有明;柳文军;方明;韩舜;曹培江;曾玉祥
受保护的技术使用者：深圳大学
技术研发日：2019.09.26
技术公布日：2020.01.21