一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种改善sadp中奇偶效应的工艺方法。

背景技术：

半导体制造技术进入24nm及以下技术节点之后，通过光刻难以定义图形尺寸而需要采用自对准双重图形工艺(self-aligneddoublepatterning,sadp工艺)。这种工艺，首先形成芯轴结构，然后形成侧墙结构，在将芯轴结构移除掉之后，以剩余的侧墙结构来定义后续图形的关键尺寸。可用于形成芯轴图形的材料较多，而氮化硅层(sin)以其可以较好地做到对下层膜层的选择比，而受到广泛应用。采用这种芯轴材料时，其sadp的各工艺流程如图2a至图2h所示：在以sin为core的sadp工艺中，sincore刻蚀工艺(如图2a到图2b)会将sin顶部的部分材质转换为氧化物ox，进而会影响到后续的芯轴去除(corerm)工艺。为解决这一问题，在corerm工艺中，需要引入dhf试剂。但这容易造成sin底部刻蚀停止层ox的损失。参阅图2e，这使得侧墙spacer之间的ox膜层(202区域)比core区域的ox膜层(201区域)更薄。这种差异重复出现，并在后续trench刻蚀中继续传递，造成沟槽trench深度的奇偶效应，进而影响产品性能，如电阻等。

解决以上奇偶效应对于sadp工艺来说，十分重要，因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善sadp中奇偶效应的工艺方法，用于解决现有技术中利用dhf试剂去除氮化硅顶部氧化物导致sin底部刻蚀停止层损失，从而造成沟槽深度的奇偶效应的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种奇偶效应的工艺方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、形成叠层结构，该叠层结构从上至下依次为：光刻胶、含硅抗反射层、有机介电质层，无定形硅层，第一氮化硅层、含碳氧化硅层、第二氮化硅层、第一氧化硅层；步骤二、将所述光刻胶形成光刻胶图形，按照所述光刻胶图形刻蚀第一氮化硅层至所述含碳氧化硅层为止，形成芯轴结构；所述芯轴结构的顶部在刻蚀后形成一层氧化硅；步骤三、在所述芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅，覆盖在所述芯轴结构侧壁的多晶硅形成多晶硅侧墙；步骤四、去除所述芯轴结构顶部以及侧墙之间的多晶硅至露出该芯轴结构顶部的所述氧化硅以及侧墙之间的含碳氧化硅为止；步骤五、去除所述芯轴结构顶部的所述氧化硅；步骤六、去除所述多晶硅侧墙内的所述芯轴结构，并以剩余的所述多晶硅侧墙为掩膜刻蚀所述含碳氧化硅层、第二氮化硅层以及第一氧化硅层形成沟槽。

优选地，步骤三中在所述芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅的同时，所述含碳氧化硅层上表面也覆盖了多晶硅。

优选地，步骤四中采用干法刻蚀的方法去除所述芯轴结构顶部以及侧墙结构之间的所述多晶硅。

优选地，步骤五中采用dhf试剂去除所述芯轴结构顶部的所述氧化硅。

优选地，步骤六中采用磷酸去除所述多晶硅侧墙内的所述芯轴结构。

如上所述，本发明的奇偶效应的工艺方法，具有以下有益效果：本发明从改变工艺膜层性质的角度出发，充分利用湿法刻蚀中dhf试剂对不同氧化层的刻蚀速率不同，而干法刻蚀中氮化硅层(sin)对氧化层的刻蚀选择比基本不随着氧化层材料的不同而发生显著变化的特性，因此用含碳氧化硅代替传统的氧化硅层作为sin刻蚀的刻蚀停止层，解决了sin芯轴结构下sadp工艺流程中的深度奇偶效应问题。

附图说明

图1显示为本发明的改善sadp中奇偶效应的工艺方法流程图；

图2a至图2h显示为现有技术中sadp的工艺流程示意图；

图3a至图3h显示为本发明中改善sadp中奇偶效应工艺方法的流程示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图3h。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本发明提供一种改善sadp中奇偶效应的工艺方法，如图1所示，图1显示本发明的改善sadp中奇偶效应的工艺方法流程图。该方法至少包括以下步骤：

步骤一、形成叠层结构，该叠层结构从上至下依次为：光刻胶、含硅抗反射层、有机介电质层，无定型硅层，第一氮化硅层、含碳氧化硅层、第二氮化硅层、第一氧化硅层。如图3a所示，图3a显示为本发明中的所述叠层结构，其中所述光刻胶位于最上层，在该光刻胶下为含碳氧化硅层(si-arc)05，本发明进一步地，所述含含硅抗反射层(si-arc)05下为有机介电质层(odl)04，所述有机介电质层(odl)04下为无定型硅层(a-si)03，在所述无定型硅层(a-si)03下为第一氮化硅层1，所述第一氮化硅层1下为含碳氧化硅层(cdope-ox)01，所述含碳氧化硅层(cdope-ox)01下为第二氮化硅层2，所述第二氮化硅层2下为第一氧化硅层02。

步骤二、将所述光刻胶形成光刻胶图形，按照所述光刻胶图形刻蚀第一氮化硅层至所述含碳氧化硅层为止，形成芯轴结构；所述芯轴结构的顶部形成一层氧化硅；如图3a和图3b所示，按照所述光刻胶图形06刻蚀所述叠层结构中的含碳氧化硅层(si-arc)05、有机介电质层(odl)04、无定型硅层(a-si)03以及所述第一氮化硅层1，形成如图3b所示的结构，所述第一氮化硅层1被刻蚀形成彼此相间的条形结构(所述芯轴结构)，由于在刻蚀所述第一氮化硅层的时，氮化硅顶部的材料会转换为氧化物(氧化硅)，即该步骤所述的芯轴结构顶部的氧化硅001。

步骤三、在所述芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅，覆盖在所述芯轴结构侧壁的多晶硅形成多晶硅侧墙；本发明进一步地，步骤三中在所述芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅的同时，所述含碳氧化硅层上表面也覆盖了多晶硅。如图3c所示，所述多晶硅3将所述第一氮化硅层形成的芯轴结构的侧壁和顶部的氧化物覆盖。

步骤四、去除所述芯轴结构顶部以及侧墙之间的多晶硅至露出该芯轴结构顶部的所述氧化硅以及侧墙之间的含碳氧化硅为止。如图3d所示，该步骤中采用干法刻蚀方法去除所述芯轴结构顶部的多晶硅，将所述第一氮化硅层1形成的芯轴结构顶部的所述氧化硅以及侧墙之间的含碳氧化硅暴露出来。

步骤五、去除所述芯轴结构顶部的所述氧化硅；步骤五中采用dhf试剂去除所述芯轴结构顶部的所述氧化硅。如图3e所示，本实施例中采用稀氢氟酸(dilutehydrofluoricacid，dhf)去除所述芯轴结构顶部的所述氧化硅001，暴露出所述第一氮化硅层形成的芯轴结构的顶部。该步骤中在dhf试剂的作用下，所述含碳氧化硅层(cdope-ox)01几乎无损耗。

步骤六、去除所述多晶硅侧墙内的所述芯轴结构，形成如图3f所示的结构，并以剩余的所述多晶硅侧墙为掩膜刻蚀所述含碳氧化硅层、第二氮化硅层以及第一氧化硅层形成沟槽，如图3g所示。步骤六中采用磷酸去除所述多晶硅侧墙内的所述芯轴结构。由于dhf处理中含碳氧化硅层无厚度损失，因此所述芯轴结构(sincore)阻挡区域和无sincore阻挡区域的所述含碳氧化硅层厚度上无显著差别。这种无差别的厚度向后传递使得以上两种区域在刻蚀后所形成的沟槽深度几乎相同。

进一步地，在采用本发明工艺所形成沟槽中填充金属4。如图3h所示。由于之前所形成沟槽的深度相同，此处所填充的铜的深度也相同，则金属的电阻也相同。

综上所述，本发明从改变工艺膜层性质的角度出发，充分利用湿法刻蚀中dhf试剂对不同氧化层的刻蚀速率不同，而干法刻蚀中sin对氧化层的刻蚀选择比基本不随着氧化层材料的不同而发生显著变化的特性，用含碳氧化硅代替传统的氧化硅层，解决了sin芯轴结构的sadp工艺流程中的深度奇偶效应问题。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。