一种阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术：

有机电致发光显示装置(organiclight-emittingdiode,oled)以其主动发光、高亮度、高对比度的特性，得到广泛的应用。然而，oled的显示器件，尤其是显示器件中的电极和有机材料容易受氧气和水蒸气等腐蚀，因此，在实际使用中，需要对显示器件加以封装，使显示器件与水蒸气和氧气隔绝，以延长oled的使用寿命。

目前，oled显示器件有多种封装方式，其中，熔结玻璃封装(frit)的密封性好，制作工艺简单。oled显示器件包括彼此相对的上盖板和下盖板，frit胶涂覆在下盖板的边缘区域，利用激光束照射frit胶，使frit胶熔融，待frit胶冷却后，完成上盖板和下盖板的封装。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：熔化的frit胶具有一定的流动性，在上盖板和下盖板进行封装时，显示器件中的信号线与frit胶同层设置，由于熔化的frit胶具有流动性，因此可能流向显示器件中的信号线并将其熔化，从而造成信号线损坏，进而使显示面板出现异常显示。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板，其能够在封装时避免封装胶流向信号线使信号线受损。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其与盖板进行封装，形成显示面板，该阵列基板包括：基底、第一绝缘层、信号线和封装胶；

所述第一绝缘层设置在所述基底之上；

所述基底包括多个像素区域，每个像素区域内设置有信号线，且所述信号线设置在所述第一绝缘层背离所述基底一侧；

每个像素区域的边缘设置有封装胶，且所述封装胶设置在所述第一绝缘层背离所述基底一侧；其中，

所述第一绝缘层对应所述封装胶的位置的厚度，小于所述第一绝缘层对应所述信号线的位置的厚度。

本发明提供的阵列基板，由于使封装胶之下的第一绝缘层的厚度，小于信号线之下的第一绝缘层的厚度，因此能够使封装胶的水平位置低于信号线的水平位置，从而在进行封装时，可以避免封装胶流向信号线使信号线损坏。

优选的是，在本发明提供的上述阵列基板中，所述第一绝缘层对应所述封装胶的位置为一平面，所述第一绝缘层对应所述信号线的位置包括一凸起结构。

优选的是，在本发明提供的上述阵列基板中，所述第一绝缘层对应所述信号线的位置为一平面，所述第一绝缘层对应所述封装胶的位置设置有一凹槽。

优选的是，在本发明提供的上述阵列基板中，所述第一绝缘层对应所述信号线的位置包括一凸起结构，所述第一绝缘层对应所述封装胶的位置设置有一凹槽。

优选的是，在本发明提供的上述阵列基板中，所述第一绝缘层背离所述基底的上表面相对所述基底倾斜设置。

优选的是，在本发明提供的上述阵列基板中，所述封装胶包括frit胶。

优选的是，在本发明提供的上述阵列基板中，所述基底包括玻璃基底。

优选的是，在本发明提供的上述阵列基板中，所述第一绝缘层包括层间绝缘层。

相应地，本发明还提供一种显示面板，包括上述任一所述的阵列基板。

相应地，本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。

附图说明

图1为本实施例提供的阵列基板的一种实施例的结构示意图(实施例三)；

图2为本实施例提供的阵列基板的俯视图；

图3为本实施例提供的阵列基板的另一种实施例的结构示意图；

图4为本实施例提供的阵列基板的另一种实施例的结构示意图(实施例一)；

图5为本实施例提供的阵列基板的另一种实施例的结构示意图(实施例二)；

图6为本实施例提供的阵列基板的另一种实施例的结构示意图(实施例四)；

图7为本实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是为了便于对本发明实施例的内容的理解。

如图1、图2所示，图1为图2中的阵列基板沿a-b方向剖切的剖视图的一种实施例，本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板与盖板进行封装，形成显示面板。该阵列基板包括：基底1、第一绝缘层2、信号线3和封装胶4。

具体地，第一绝缘层2设置在基底1之上。信号线3和封装胶4设置在第一绝缘层2背离基底1一侧。参见图2，基底1包括多个像素区域01，每个像素区域01内设置有信号线3，每个像素区域01的边缘设置有封装胶4。其中，参见图1，第一绝缘层2对应封装胶4的位置的厚度h1，小于第一绝缘层2对应信号线3的位置的厚度h2。

本实施例提供的阵列基板，通过使封装胶4之下的第一绝缘层2的厚度h1，小于信号线3之下的第一绝缘层2的厚度h2，从而能够使封装胶4的水平位置低于信号线3的水平位置，由于封装胶4在熔化状态下具有流动性，而流体在重力的作用下，只会从高处往低处流，不会从低处往高处流，因此在进行封装时，可以避免封装胶4流向信号线3使信号线3损坏。

可选地，若本实施例提供的阵列基板应用到显示面板中，封装胶4的类型可以根据显示面板所采用的封装工艺来选择，例如若显示面板采用熔结玻璃(frit)封装工艺，则封装胶4为frit胶。具体的可以根据实际需要设计，在此不做限定。以下皆以封装胶4为frit胶举例说明。

需要说明的是，本实施例提供的阵列基板还包括驱动器件(图1、图2中未示出)，驱动器件设置在像素区域01内，若阵列基板应用到显示面板中，在基底1之上像素区域01内还设置有发光器件(图1、图2中未示出)，驱动器件通过信号线3与发光器件相连，以驱动发光器件。盖板通过frit胶4与阵列基板进行对位封装，以使像素区域01内的发光器件不被水蒸气与氧气腐蚀，从而可以延长发光器件的使用寿命。

可选地，在本发明提供的上述阵列基板中，基底1的类型可以为多种，例如基底1可以是玻璃基底(bpglass)，具体的可以根据实际需要设计，在此不做限定。

可选地，本实施例提供的阵列基板中，在基底1和第一绝缘层2之间，还设置有多层层结构，例如，如图1所示，在基底1之上依次设置有缓冲层(buffer)5、第一栅极绝缘层(gi)6、第一栅极层(gate)7、第二栅极绝缘层(gi)8、第二栅极层(gate)9。其中，第一绝缘层2例如可以是层间绝缘层(ild)，也可以是平坦层(pln)，在此不做限定。以下皆以第一绝缘层2为ild为例进行说明。

需要说明的，如图3所示，图3为图2中的阵列基板沿a-b方向剖切的剖视图的一种实施例，本实施例提供的阵列基板中，frit胶4位于每个像素区域01的边缘，像素区域01内的走线，例如第一栅极层7、第二栅极层9或信号线3会由像素区域01内延伸至像素区域01的边缘，以使相邻的像素区域01内的驱动器件相连，而信号线3位于像素区域01的边缘，且位于第一绝缘层2之上，因此frit胶4之下可能会有自像素区域01延伸而出的信号线3。通常frit胶4之下的信号线3的面积较大，从而可以吸收的热量较多，因此在进行封装时，frit胶4之下的信号线3可以吸收frit胶4的热量，从而不会被frit胶4损坏。而位于像素区域02内的信号线3的面积较小，可以吸收的热量较少，若frit胶4流向位于像素区域01内的信号线3，可能会将位于像素区域01内的信号线3损坏。

实施例一、

如图4所示，图4为图2中的阵列基板沿a-b方向剖切的剖视图的一种实施例，本实施例提供的阵列基板包括基底1、和设置在基底1之上的第一绝缘层2，以及设置在第一绝缘层2之上的frit胶4及信号线3。其中，第一绝缘层2对应frit胶4的位置为一平面，第一绝缘层2对应信号线3的位置包括一凸起结构。由于在第一绝缘层2对应信号线3的位置设置了凸起结构，且frit胶4设置在第一绝缘层2为平面的位置之上，信号线3设置在第一绝缘层2为凸起结构的位置之上，因此能够使frit胶4的水平位置低于信号线3的水平位置，也就是说，frit胶4之下的第一绝缘层2的厚度h1，小于信号线3之下的第一绝缘层2的厚度h2，由于frit胶4在熔化状态下具有流动性，而流体在重力的作用下，只会从高处往低处流，不会从低处往高处流，因此在进行封装时，可以避免frit胶4流向信号线3使信号线3损坏。

实施例二、

如图5所示，图5为图2中的阵列基板沿a-b方向剖切的剖视图的一种实施例，本实施例提供的阵列基板包括基底1、和设置在基底1之上的第一绝缘层2，以及设置在第一绝缘层2之上的frit胶4及信号线3。其中，第一绝缘层2对应信号线3的位置为一平面，第一绝缘层2对应frit胶4的位置设置有一凹槽。由于在第一绝缘层2对应frit胶4的位置设置了凹槽，且frit胶4设置在第一绝缘层2上的凹槽内，信号线3设置在第一绝缘层2为平面的位置之上，因此能够使frit胶4的水平位置低于信号线3的水平位置，也就是说，frit胶4之下的第一绝缘层2的厚度h1，小于信号线3之下的第一绝缘层2的厚度h2，由于frit胶4在熔化状态下具有流动性，而流体在重力的作用下，只会从高处往低处流，不会从低处往高处流，因此在进行封装时，可以避免frit胶4流向信号线3使信号线3损坏。

实施例三、

如图1、图3所示，本实施例提供的阵列基板包括基底1、和设置在基底1之上的第一绝缘层2，以及设置在第一绝缘层2之上的frit胶4及信号线3。其中，第一绝缘层2对应信号线3的位置包括一凸起结构，第一绝缘层2对应frit胶4的位置设置有一凹槽。由于在第一绝缘层2对应frit胶4的位置设置了凹槽，在第一绝缘层2对应信号线3的位置设置了凸起结构，且frit胶4设置在第一绝缘层2上的凹槽内，信号线3设置在第一绝缘层2为凸起结构的位置之上，因此能够使frit胶4的水平位置进一步低于信号线3的水平位置，也就是说，frit胶4之下的第一绝缘层2的厚度h1，进一步小于信号线3之下的第一绝缘层2的厚度h2，由于frit胶4在熔化状态下具有流动性，而流体在重力的作用下，只会从高处往低处流，不会从低处往高处流，因此在进行封装时，可以避免frit胶4流向信号线3使信号线3损坏。

实施例四、

如图6所示，图6为图2中的阵列基板沿a-b方向剖切的剖视图的一种实施例，本实施例提供的阵列基板包括基底1、和设置在基底1之上的第一绝缘层2，以及设置在第一绝缘层2之上的frit胶4及信号线3。其中，第一绝缘层2背离基底1的上表面相对基底1倾斜设置，即第一绝缘层2的上表面为一斜面，其向靠近基底1的方向倾斜，第一绝缘层2对应frit胶4的位置为斜面的低处，第一绝缘层2对应信号线3的位置为斜面的高处。由于将第一绝缘层2的上表面设置为一斜面，且frit胶4设置在斜面的低处，信号线3设置在斜面的高处，因此能够使frit胶4的水平位置低于信号线3的水平位置，也就是说，frit胶4之下的第一绝缘层2的厚度，小于信号线3之下的第一绝缘层2的厚度，由于frit胶4在熔化状态下具有流动性，而流体在重力的作用下，只会从高处往低处流，不会从低处往高处流，因此在进行封装时，可以避免frit胶4流向信号线3使信号线3损坏。

可选地，在本实施例提供的阵列基板中，第一绝缘层2的上表面的倾斜程度可以根据需要设计，在此不做限定。

需要说明的是，本发明提供的阵列基板中，第一绝缘层2的结构还有更多的实施方式，实施例一～实施例四仅为几种实施方式的示例，不对本发明提供的阵列基板的结构进行限制。

相应地，如图7所示，本实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

s01、制作基底1。

具体地，基底1可以为各种类型的基底1，例如可以为玻璃基底。

s02、在基底1之上依次制作buffer、gi1、gate1、gi2、gate2、第一绝缘层2、信号线3等层结构。

具体地，在基底1之上，依次涂覆各层层结构的材料，再利用每层层结构对应的掩膜版(mask)，通过刻蚀等工艺形成各层层结构所需的图案(pattern)。

具体地，在s02中，在制作第一绝缘层2时，以实施例三为例，具体包括以下步骤：

s021、制作第一绝缘层2，利用第一掩膜版在第一绝缘层2对应信号线3的位置制作凸起结构。

具体地，在第一绝缘层2上涂覆光刻胶，将第一掩膜版对应第一绝缘层2上信号线3位置的透光率设置为0％，并将第一掩膜版其他部分的透光率设置为100％，利用第一掩膜版，通过曝光工艺对第一绝缘层2进行第一次曝光，之后通过干刻(dryetch)工艺，剥脱(strip)工艺在第一绝缘层2对应信号线3的位置形成凸起结构。

s022、利用第二掩膜版制作第一绝缘层2对应frit胶4位置的凹槽。

具体地，在第一绝缘层2上涂覆光刻胶，将第二掩膜版对应第一绝缘层2上frit胶4位置的透光率设置为100％，并将第二掩膜版其他部分的透光率设置为0％，利用第二掩膜版，通过曝光工艺对第一绝缘层2进行第二次曝光，之后通过干刻(dryetch)工艺，剥脱(strip)工艺在第一绝缘层2对应frit胶4的位置形成凹槽。

需要说明的是，对于实施例一，制作第一绝缘层2仅需要进行s021，对于实施例二，制作第一绝缘层2仅需要进行s022。

对于实施例四，可以利用灰色掩膜版(halftonemask)制作第一绝缘层2。

具体地，在第一绝缘层2之上涂覆光刻胶，沿frit胶4指向信号线3的方向，将灰色掩膜版的透光率逐渐减小，例如将灰色掩膜版的透光率设置为70％-20％，利用设置好透光率的灰色掩膜版，通过曝光工艺对第一绝缘层2进行曝光，之后通过干刻(dryetch)工艺，剥脱(strip)工艺使第一绝缘层2的上表面形成一斜面。需要说明的是，控制灰色掩膜版的透光率减小的程度，可以控制第一绝缘层2的上表面的倾斜程度，具体的根据需要设计，在此不做限定。

需要说明的是，在第一绝缘层2上涂覆的光刻胶可以是正性光刻胶，也可以是负性光刻胶，以上以使用正性光刻胶为例说明。

s03、在第一绝缘层2之上，且在第一绝缘层2对应像素区域的边缘的位置涂覆frit胶4。

具体地，在在第一绝缘层2之上，且在第一绝缘层2对应多个像素区域的边缘涂布frit胶4，利用激光器(laser)烧结frit胶4以进行封装。

相应地，本实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。显示面板可以包括多种类型的显示面板，在此不做限定。

相应地，本实施例还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

综上所述，本发明提供的阵列基板，通过使封装胶4之下的第一绝缘层2的厚度，小于信号线3之下的第一绝缘层2的厚度，从而能够使封装胶4的水平位置低于信号线3的水平位置，由于封装胶4在熔化状态下具有流动性，而流体在重力的作用下，只会从高处往低处流，不会从低处往高处流，因此在进行封装时，可以避免封装胶4流向信号线3使信号线3损坏。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。