技术总结
本发明属于脉冲功率器件技术领域，公开了一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法，晶体管自下而上包括碳化硅N+型衬底(7)、碳化硅P基区(1)、碳化硅N‑漂移区(3)及阳极发射区；器件采用正斜角终端；器件能够通过阴极短路点即碳化硅阴极P+区(8)传导电流。本发明通过对SiC RSD的结构及制备方法进行改进，将N+型衬底进行减薄，之后周期性断开N+阴极区，并在断开处注入P+型高掺杂离子以形成阴极短路点，从而实现RSD的有效预充过程，克服现有技术中由于无法很好地控制碳化硅外延片的自身缺陷导致器件在利用雪崩来建立预充等离子层时被提前击穿、难以通过利用雪崩击穿来实现有效的预充等离子层建立的难题。
技术研发人员：梁琳;颜小雪
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2019.11.15
技术公布日：2020.03.20