一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法与流程

本发明属于脉冲功率器件技术领域，更具体地，涉及一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法，是一种宽禁带半导体器件的结构和工艺，得到的碳化硅反向开关晶体管尤其能够应用于脉冲功率技术领域。

背景技术：

脉冲功率技术在国防军事等领域发挥着十分重要的作用，脉冲功率开关是脉冲功率系统的核心器件。反向开关晶体管rsd(reverselyswitcheddynistor)是一种基于可控等离子体层触发原理的脉冲功率半导体开关器件，可以实现全面积均匀同步开通，相比igbt、scr等，具有更优的均压特性、更高的耐压以及耐受di/dt的能力。rsd起初只是在硅基材料上形成，但其电压阻断能力和耐dv/dt能力、耐di/dt能力已逐渐逼近硅材料本身能达到的物理极限，因此需要寻找新的半导体材料来研发功率半导体器件。

第三代宽禁带半导体材料碳化硅，具有约为硅的3倍的禁带宽度、硅10倍的击穿场强、硅2倍的载流子饱和速度、硅3倍的热导率等优势，因此采用碳化硅制备的功率器件比硅的同类器件具有更高的阻断电压、更小的导通电阻、更高的开关频率。

现有的sicrsd的结构(如图1所示)，是一种两端四层结构的器件，有3个pn结，只有阴极端和阳极端，没有类似于晶闸管或igbt的门极，从结构上看可以看成是由许多晶闸管单元和晶体管单元间隔排列组成的。sicrsd是利用反向预充电流在器件内形成等离子体来取代可控开关的门极效果从而实现器件开通的，具体过程为在反压下使j3结发生雪崩倍增效应产生足够大的反向预充电流促使晶体管单元导通，由于rsd结构内存在横向电流，则在j2结附近形成全面积均匀的等离子层p1，随着阳极n+区内的电子向低掺杂n-区漂移，形成等离子层p2，完成整个预充过程。预充过程中在器件内部形成的预充等离子体起类似晶闸管门极的作用，提供相应的多数载流子给基区。因预充产生的等离子体分布整个芯片面积，使器件开通过程也是均匀统一的，并具有更高的di/dt。由于4h-sic材料的特点使sicrsd器件在特性和尺寸方面相比sirsd会有明显的优势。

但是在实际制作工艺中，现有对sic材料的缺陷的控制水平限制了sicrsd器件的应用发展。在4h-sic晶体的外延生长过程中，生长条件、衬底损伤、衬底缺陷等都会在外延材料中引入各种缺陷；除了外延生长外，缺陷也在器件的加工工艺中产生，如高温退火、离子注入、杂质扩散等工艺都会引入缺陷。例如，杂质和掺杂原子在位错附近富集，改变杂质及掺杂的分布均匀性；晶界本身晶格结构变化使其对电子的束缚能力下降，或者由于杂质元素在晶界上的富集，在晶界附近引入自由电子，成为导电的通道，引起半导体漏电流的增大；tsd在影响pn结反向特性的同时会增加器件的反向漏电流；bpd会影响双极功率器件的特性。

就sicrsd而言，反向预充过程中的电流是由n⁺p结全面积雪崩击穿机理提供。sicrsd最大的难点在于如何解决器件在预充过程中利用雪崩击穿机制提供足够的预充电荷，建立有效的预充等离子层，并且同时又能够确保器件不被损坏。

技术实现要素：

针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明的目的在于提供一种基于碳化硅基的反向开关晶体管及其制备方法，其中通过对器件的细节结构设计及相应制备方法等进行改进，利用减薄后n⁺型衬底，并在阴极每隔一定距离注入p⁺型高掺杂离子以形成阴极短路点，即，通过对n⁺型衬底进行减薄处理，之后将n⁺阴极区域断开，并在断开处注入p⁺型高掺杂离子以形成阴极短路点，可实现rsd的有效预充过程，克服现有技术中由于无法很好地控制碳化硅外延片自身缺陷导致器件在利用雪崩来建立预充等离子层时被提前击穿、难以通过利用雪崩击穿来实现有效的预充等离子层建立的难题。并且，本发明中这种改进结构的sicrsd器件的完整的制备工艺，工艺简单易实现。

为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种基于碳化硅基的反向开关晶体管，其特征在于，该反向开关晶体管自下而上包括碳化硅n⁺型衬底、碳化硅p基区、碳化硅n^-漂移区以及阳极发射区，其中，所述阳极发射区由碳化硅阳极p⁺发射区和碳化硅阳极n⁺发射区交替组成；所述基于碳化硅的反向开关晶体管采用30°～60°正斜角的终端方式，形成的台面上覆盖有钝化层；

该基于碳化硅基的反向开关晶体管设置有阴极短路点，该阴极短路点是先将碳化硅n⁺型衬底断开，并在断开处选择性注入离子形成碳化硅阴极p⁺区，然后在n⁺型衬底和碳化硅阴极p⁺区表面沉积金属形成阴极电极；其中，碳化硅阴极p⁺区作为反向晶体管的阴极短路点，能够进行载流子的传导；

所述碳化硅阳极p⁺发射区的掺杂浓度为3*10¹⁸cm^-3～9*10¹⁹cm^-3，所述碳化硅阳极n⁺发射区的掺杂浓度为8*10¹⁸cm^-3～2*10¹⁹cm^-3，所述碳化硅n^-漂移区的掺杂浓度为9*10¹⁴cm^-3～8*10¹⁵cm^-3，所述碳化硅p基区的掺杂浓度为4*10¹⁷cm^-3～2.8*10¹⁸cm^-3，所述碳化硅n⁺型衬底的掺杂浓度为1*10¹⁹cm^-3～9*10¹⁹cm^-3；

所述碳化硅n⁺型衬底的厚度为1μm～3μm；

此外，在所述阳极发射区的上方还覆盖有阳极欧姆金属，所述碳化硅n⁺型衬底的下方还覆盖有阴极欧姆金属。

作为本发明的进一步优选，所述碳化硅阴极p⁺区分布在所述碳化硅n⁺型衬底与所述碳化硅p基区的接触面上。

作为本发明的进一步优选，所述碳化硅阴极p⁺区呈点状阵列按预先设定的间距均匀分布在所述碳化硅n⁺型衬底与所述碳化硅p基区的接触面上。

作为本发明的进一步优选，所述碳化硅阳极p⁺发射区的厚度为0.5μm，所述碳化硅阳极p⁺发射区的横向长度为10μm～30μm；所述碳化硅阳极n⁺发射区的横向长度为5μm。

作为本发明的进一步优选，所述碳化硅n^-漂移区的厚度为54μm；所述碳化硅p基区的厚度为0.5μm～2.5μm。

按照本发明的另一方面，本发明提供了一种制备上述基于碳化硅基的反向开关晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(s1)选取洁净的n⁺型碳化硅衬底作为碳化硅n⁺型衬底，依次在该n⁺型碳化硅衬底上外延生长碳化硅p基区、碳化硅n^-漂移区和碳化硅阳极p⁺发射区，形成p⁺n^-pn⁺四层结构；

(s2)针对所述步骤(s1)得到的所述p⁺n^-pn⁺四层结构，对其中的n⁺型碳化硅衬底进行减薄处理，使碳化硅n⁺型衬底的厚度满足预先设定的厚度要求；

(s3)针对经所述步骤(s2)处理后的p⁺n^-pn⁺四层结构，清洗后进行光刻、刻蚀，在碳化硅阳极p⁺发射区一侧形成阳极侧n⁺注入窗口，接着从最上层即碳化硅阳极p⁺发射区的上方进行n型离子注入使阳极侧n⁺注入窗口内形成碳化硅阳极n⁺发射区；

(s4)针对经所述步骤(s3)处理后所得的结构，清洗后进行光刻、刻蚀工艺在碳化硅n⁺型衬底一侧形成阴极侧p⁺注入窗口，接着从最底层即碳化硅n⁺型衬底的下方进行p型离子注入使阴极侧p⁺注入窗口内形成碳化硅阴极p⁺区；

(s5)针对所述步骤(s3)和所述步骤(s4)中注入的离子进行1200～1600℃的高温退火处理进行激活，同时该高温退火处理还能消除sic的晶格损伤；

(s6)针对经所述步骤(s5)处理后所得的结构，在所述碳化硅阳极p⁺发射区和所述碳化硅阳极n⁺发射区的上方沉积阳极欧姆金属，然后在碳化硅n⁺型衬底的下方沉积阴极欧姆金属；接着进行整体退火使所述阳极欧姆金属和所述阴极欧姆金属各自与碳化硅基材料之间形成欧姆接触；

(s7)针对经所述步骤(s6)处理后所得的结构，利用金刚石刀片进行机械切割，使该结构的侧面形成30°～60°正斜角的台面作为终端方式；最后在该台面上沉积钝化层作为钝化膜，即可得到基于碳化硅基的反向开关晶体管。

作为本发明的进一步优选，所述步骤(s3)具体是：

针对经所述步骤(s2)处理后的p⁺n^-pn⁺四层结构，先进行rca清洗以去除晶圆表面包括有机物、金属离子或金属氢化物在内的杂质，然后再进行反转光刻与目标待形成的阳极侧n⁺注入窗口的位置相对应；接着进行磁控溅射淀积金属ni，然后用az400t或丙酮剥离去除目标待形成的阳极侧n⁺注入窗口上的ni以保证只有目标的碳化硅阳极p⁺发射区上留有ni掩膜，接着干法刻蚀形成阳极侧n⁺注入窗口；最后从最上层即碳化硅阳极p⁺发射区的上方进行n型离子注入使阳极侧n⁺注入窗口内形成碳化硅阳极n⁺发射区。

作为本发明的进一步优选，所述步骤(s4)具体是：

针对经所述步骤(s3)处理后所得的结构，先进行rca清洗以去除晶圆表面包括有机物、金属离子或金属氢化物在内的杂质，然后再进行反转光刻与目标待形成的阴极侧p⁺注入窗口的位置相对应；接着进行磁控溅射淀积金属ni，然后用az400t或丙酮剥离去除目标待形成的阴极侧p⁺注入窗口上的ni以保证只有目标的碳化硅n⁺型衬底上留有ni掩膜，接着干法刻蚀形成阴极侧p⁺注入窗口；最后从最底层即碳化硅n⁺型衬底的下方进行p型离子注入使阴极侧p⁺注入窗口内形成碳化硅阴极p⁺区。

作为本发明的进一步优选，所述步骤(s4)中，所述p型离子注入是离子注入硼元素、铝元素、镓元素中的至少一种。

作为本发明的进一步优选，所述步骤(s6)中，所述阳极欧姆金属为主要由ni元素、ti元素、al元素和ag元素构成的ni/ti/al/ag合金层，所述阴极欧姆金属为主要由ni元素、ti元素、al元素和ag元素构成的ni/ti/al/ag合金层。

通过本发明所构思的以上技术方案，与现有技术相比，能够取得以下有益效果：

(1)本发明的基于碳化硅基的反向晶体管，可以更有效地建立预充等离子体层，同时保证器件不会被损坏或者减小器件损坏的可能性。

(2)本发明将n⁺衬底层减薄至与最外层p⁺层厚度相当(允许若干微米以内的厚度差)，并在阴极面每隔一定距离做p型离子注入形成阴极短路点(emittershunts)。本发明的sicrsd的阳极和阴极几乎呈现双面对称的结构特点，可以承受更高的耐压和更大的电流。

(3)本发明的碳化硅基反向晶体管的准备方法，工艺简单，易于实现。

以现阶段对碳化硅材料的缺陷控制的水平来看，难以通过利用雪崩击穿来实现有效的预充等离子层的建立，本发明针对该情况，通过对器件结构进行改进，具体为将n⁺型衬底减薄，在阴极每隔一定距离注入p⁺型高掺杂离子以形成阴极短路点，从而来实现预充过程。由于rsd器件的导通是利用雪崩击穿来建立预充等离子层来实现的，这样的原理使它具有高的di/dt，但现有工艺水平导致对碳化硅材料的缺陷控制水平不足，使得器件容易击穿，从而不能在这种机理下正常开通，也就是说，现有对sic材料的缺陷的控制水平限制了sicrsd器件的应用发展；而本发明中rsd在减薄后可以做阴极短路点，更利于通过大电流，更容易建立预充等离子层，从而实现器件正常工作。

本发明的制备方法，在形成阳极高掺杂n⁺区和阴极高掺杂p⁺区后，一同进行高温退火，高温退火的作用是激活注入离子同时消除晶格损伤。

本发明利用bevel切穿做终端，sicrsd器件在实际制备过程中采用离子注入的方式制备pn结时，通常在pn结边角处存在曲率，造成拐角处电场值很大，即存在尖峰电场，造成器件提前击穿，基于sicrsd的结构特点，考虑到其阻断结为深结结构，所以本发明提出采用斜角(bevel)作为其终端的方式。由于负斜角结构的芯片面积利用率不高，本发明采用正斜角台面终端。又由于sic材料硬度高，湿法腐蚀困难，且该结构精度要求高，干法刻蚀无法保证精准度，所以本发明采用金刚石刀片机械切割形成该结构。另外，考虑到机械切割对sic材料会造成损伤，本发明还可通过干法刻蚀对表面进行处理来减弱这种损伤造成的影响，即，在切割完成后，考虑到机械切割对sic材料会造成损伤，还可通过干法刻蚀对斜面进行处理来消除或减弱这种损伤造成的影响，然后再沉积钝化层。

本发明通过对rsd的开通机理以及实际制样中很难有效开通的试验现象进行研究，发现碳化硅外延缺陷控制不佳是导致rsd不能很好地实现有效预充的一个较大原因，结合目前工艺的发展，本发明从结构上出发避免或者减小缺陷的影响，本发明具体通过将衬底减薄至1～3μm，能够在对外延工艺的缺陷不提出更高要求的情况下，明显改善器件性能，能够实现sicrsd的有效预充过程。此外，本发明还可对rsd的终端方式进行控制，尤其可使用45°正斜角终端，工艺简单，且可保证实现器件较高的阻断电压。

综上，本发明从目前工艺界对碳化硅缺陷的控制水平考虑，更加容易制造出能正常工作的碳化硅基反向开关晶体管。本发明尤其适用于高压脉冲领域，是一种超高压的碳化硅反向开关晶体管，能更加有效地建立预充等离子层，并且同时又能够确保器件不会提前击穿而损坏。本发明由于建立了短路点，当电流较大时，相比没有短路点的器件，短路点的设置可以让电流更好地导通，简言之，短路点可以流过更大的电流，提高了通流能力，同时也较大程度地增大了器件的耐压值。

附图说明

图1是现有技术的一种基于碳化硅基的反向晶体管的结构示意图。

图2是本发明一种基于碳化硅基的反向晶体管的结构示意图。

图3是本发明的制作方法步骤1完成后的结构示意图。

图4是本发明的制作方法步骤2完成后的结构示意图。

图5是本发明的制作方法步骤3完成后的结构示意图。

图6是本发明的制作方法步骤4完成后的结构示意图。

图7是本发明的制作方法步骤6完成后的结构示意图。

图8是本发明的制作方法步骤7完成后的结构示意图。

图9是本发明的制作方法步骤9完成后的结构示意图。

图中各附图标记的含义如下：1为碳化硅p基区，2为钝化层(如二氧化硅钝化层)，3为碳化硅n^-漂移区，4为碳化硅阳极p⁺发射区，5为阳极欧姆金属，6为碳化硅n⁺发射区，7为碳化硅n⁺衬底，8为阴极碳化硅p⁺短路点，9为阴极欧姆金属。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

本发明中基于碳化硅基的反向开关晶体管，由四层pnpn构成，阳极由p⁺n⁺交替的元胞构成。如图2所示，包括碳化硅n⁺型衬底(7)，阴极碳化硅p⁺短路点(8)，碳化硅p基区(1)，碳化硅n^-漂移区(3)，阳极由碳化硅p⁺发射区(4)和碳化硅n⁺发射区(6)交替组成，碳化硅阳极p⁺发射区(4)和碳化硅阴极n⁺区(6)上覆盖有阳极欧姆金属(5)，碳化硅n⁺衬底(7)和碳化硅阴极p⁺区(8)上覆盖有阴极欧姆金属(9)，整个器件采用45°正斜角的台面终端方式，台面上有二氧化硅钝化层(2)。

所述碳化硅阳极p+发射区(4)的掺杂浓度为3e18cm-3～9e19cm-3，所述碳化硅阳极p⁺发射区(4)的厚度为0.5μm，所述碳化硅阳极p⁺发射区(4)的横向长度为10μm～30μm；所述碳化硅阳极n⁺发射区(6)的掺杂浓度为8e18cm^-3～2e19cm^-3，所述碳化硅阳极n⁺发射区(6)的横向长度为5μm；所述碳化硅n^-漂移区(3)的掺杂浓度为2.3e15cm^-3(当然，还可以是9e14cm^-3～8e15cm^-3等其他掺杂浓度)，所述碳化硅n^-漂移区(3)的厚度为54μm；所述碳化硅p基区(1)的掺杂浓度为4e17cm^-3～2.8e18cm^-3，所述碳化硅p基区(1)的厚度为0.5μm～2.5μm；所述n⁺碳化硅衬底(7)的厚度为1μm～3μm。

可选择的n型杂质离子有氮、磷、砷或它们的混合物，可选择的p型杂质离子有硼、铝、镓或它们的混合物。

碳化硅n⁺型衬底(7)和碳化硅p基区(1)直接接触。器件开通时，电流路径为从碳化硅p基区(1)流经碳化硅阴极p⁺区(8)流到金属电极，从碳化硅n⁺型衬底(7)流经碳化硅n⁺型衬底(7)流到金属电极，且经过碳化硅阴极p⁺区(8)的电流要比碳化硅n⁺型衬底(7)大得多。

相应的，上述基于碳化硅基的反向晶体管，可按以下方法进行制备；具体可按照以下步骤实施：

步骤1、外延生长：先选取n⁺型碳化硅衬底(7)，进行rca标准清洗处理，再依次在n⁺型碳化硅衬底(7)上生长碳化硅p基区(1)、碳化硅n^-漂移区(3)和碳化硅阳极p⁺发射区(4)，形成p⁺n^-pn⁺四层结构，见图3；

n⁺型碳化硅衬底(7)可以为4h-sic单晶，n⁺型碳化硅衬底(7)的厚度为350μm。

碳化硅p基区(1)的掺杂浓度为4e17cm^-3～2.8e18cm^-3，碳化硅p基区(1)的厚度为0.5μm～2.5μm；碳化硅n^-漂移区(3)的掺杂浓度为2.3e15cm^-3,碳化硅n^-漂移区(3)的厚度为54μm；碳化硅阳极p+发射区(4)的掺杂浓度为3e18cm-3～9e19cm-3，碳化硅阳极p⁺发射区(4)的厚度为0.5μm，碳化硅阳极p⁺发射区(4)的横向长度为10μm～30μm。

步骤2、衬底减薄：对步骤1处理后的n⁺型碳化硅衬底(7)进行减薄处理，见图4；

n⁺型碳化硅衬底(7)减薄处理的方法可以是研磨法、化学机械抛光法、湿法腐蚀法或等离子腐蚀法中的一种。减薄后的n⁺型碳化硅衬底厚度为1μm～3μm。

步骤3、正面离子注入形成碳化硅n⁺发射区(6)：先通过rca标准清洗去除晶圆表面的有机物、金属离子、金属氢化物等杂质，之后通过反转光刻的方法形成阳极侧n⁺窗口，再运用磁控溅射的方法全面积金属ni作为掩膜层，用az400t或丙酮剥离去除n⁺区域上除阳极p⁺区之外区域的ni，采用干法刻蚀形成n⁺注入窗口，进行n型离子注入，形成碳化硅n⁺发射区(6)，见图5。

步骤4、背面离子注入形成碳化硅阴极p⁺区(8)：在经过步骤2衬底减薄处理后的n⁺型碳化硅衬底(7)背面进行磁控溅射淀积金属ni形成掩膜层，光刻之后采用az400t或丙酮进行剥离，干法刻蚀形成p⁺注入窗口；进行p型离子注入，形成碳化硅阴极p⁺区(8)，见图6。

可选择的p型杂质离子有硼、铝、镓或它们的混合物。

上述步骤4中，由于减薄后的衬底在1～3μm这个范围，经过步骤3之后实施步骤4的实施难度并不一样，厚度的不同所用的工艺可灵活调整；例如，当厚度偏厚(例如为3μm)时，可以用金属做掩膜，即对步骤3所得的结构先进行光刻，再使用溅射和剥离，最后再使用刻蚀工艺；若厚度偏薄(例如为1μm)时，可以只用光刻胶做掩膜即可，不需要用到溅射和剥离。

步骤5、一起高温退火激活：阳极高掺杂n⁺区和阴极高掺杂p⁺区一起做高温退火，高温退火的作用是激活注入离子同时消除晶格损伤。具体步骤：清洗以去除阳极p⁺区上的ni掩膜，沉积氧化层，高温退火以激活之前注入的离子并消除晶格损伤，之后将器件放入boe常温静置腐蚀去除沉积的氧化层。

步骤6、做阳极欧姆电极(5)：采用光刻剥离法在碳化硅阳极p⁺发射区(4)和经步骤3得到的碳化硅阳极n⁺发射区(6)上表面淀积ni/ti/al/ag(80nm/30nm/80nm/500nm)合金层，以形成阳极欧姆电极(5)，见图7。

做欧姆金属时先做阳极，因为tmah显影液对金属有一定的腐蚀作用，因为做阳极金属时需要经过光刻工艺，如果先做阴极欧姆金属，那么光刻过程中的显影液将对前面阴极上淀积的金属产生影响，从而影响阴极欧姆接触的性能。具体步骤：光刻露出有源区，溅射ni/ti/al/ag。淀积金属的方法可以是pecvd也可以是蒸发镀金属。

步骤7、做阴极欧姆电极(9)：采用光刻剥离法在碳化硅n⁺衬底(7)和经步骤4得到的碳化硅阴极p⁺区(8)上表面淀积ni/ti/al/ag(80nm/30nm/80nm/500nm)合金层，以形成阴极欧姆电极(9)，见图8。

淀积金属的方法可以是pecvd也可以是蒸发镀金属。

步骤8、rta(退火)：将阳极欧姆金属和阴极欧姆金属进行热处理合金化形成欧姆接触。

步骤9、bevel切穿(做终端)：采用带有45°正斜角的金刚石刀片机械切割形成台面终端，见图9。

sicrsd器件在实际制备过程中采用离子注入的方式制备pn结时，通常在pn结边角处存在曲率，造成拐角处电场值很大，即存在尖峰电场，造成器件提前击穿，基于sicrsd的结构特点，考虑到其阻断结为深结结构，所以本发明提出采用斜角(bevel)作为其终端的方式。由于负斜角结构的芯片面积利用率不高，本发明采用正斜角台面终端。又由于sic材料硬度高，湿法腐蚀困难，且该结构精度要求高，干法刻蚀无法保证精准度，所以本发明采用金刚石刀片机械切割形成该结构。另外，考虑到机械切割对sic材料会造成损伤，本发明还可通过干法刻蚀对表面进行处理来减弱这种损伤造成的影响。

步骤10、做钝化层：对经过步骤9得到的斜角为45°的台面进行pecvd沉积二氧化硅钝化层(2)作为钝化膜，得到高压碳化硅反向晶体管，见图2，其阻断电压约为4.5kv(器件耐压值与n基区厚度直接相关，一般阻断电压越大需要的n基区越厚)。

本发明的基于碳化硅基的反向晶体管制备方法，先在高质量的n⁺型碳化硅衬底上外延生长得到各个外延层，再通过减薄工艺将衬底减到适当厚度，之后将n⁺衬底周期性断开，并在断开处进行选择性p型离子注入形成阴极短路点，在反向预充过程中形成的大电流可以通过短路点迅速流过，使得电流分布更加均匀，可以更快实现全面积开通，从而实现在保证有效建立预充等离子体层的同时保证器件不会被损坏。

本发明的基于碳化硅基的反向晶体管将n⁺衬底层减薄至与最外层p⁺层厚度量级相当(例如，最外层p⁺层厚度为0.5μm，衬底减薄后的厚度为1μm～3μm)，并在阴极每隔一定距离做p型离子注入形成阴极短路点(emittershunts)。本发明的sicrsd的阳极和阴极几乎呈现双面对称的结构特点，理论上可以承受更高的耐压和更大的电流。本发明的基于碳化硅基的反向晶体管的制备方法，工艺简单，易于实现。

此外，本发明可以进一步通过修改短路点的尺寸布局来进行结构优化；上述制备工艺流程也仅作示例，还可以采用其他制备方法，只要能够获得本发明这种具有特定结构的基于碳化硅基的反向开关晶体管即可。欧姆电极由哪几种金属组成及它们各自的厚度等参数，也可以灵活调整。

上述实施例仅以侧面采用45°正斜角的终端方式为例，还可以采用30°～60°其他正斜角的终端方式，当然45°正斜角效果较优。另外，钝化层除了二氧化硅钝化层外，还可以采用现有技术中已知的其他钝化层材料。

本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。